公开(公告)号：US20080054277A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11923751

申请日：2007-10-25

申请人： Masayoshi Takemi ,  Kenichi Ono ,  Yoshihiko Hanamaki ,  Chikara Watatani ,  Tetsuya Yagi ,  Harumi Nishiguchi ,  Motoko Sasaki ,  Shinji Abe ,  Yasuaki Yoshida

发明人： Masayoshi Takemi ,  Kenichi Ono ,  Yoshihiko Hanamaki ,  Chikara Watatani ,  Tetsuya Yagi ,  Harumi Nishiguchi ,  Motoko Sasaki ,  Shinji Abe ,  Yasuaki Yoshida

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436

摘要： The semiconductor laser device includes an active layer, a p-type cladding layer, and a p-type cap layer. The layers are sequentially stacked so that the semiconductor laser device is provided. The p-type cap layer includes both a p-type dopant and an n-type dopant. In another aspect, the p-type cap layer includes a first layer including a first p-type dopant and a second layer including a second p-type dopant having a diffusion coefficient smaller than that of the first p-type dopant. The first layer is far from the active layer, and the second layer is close to the active layer. In further aspect, the p-type cap layer includes carbon (C) as a p-type dopant. According to these configuration, the p-type dopant can be prevented from being diffused in the active layer and the p-type cladding layer.

摘要翻译： 半导体激光器件包括有源层，p型覆层和p型覆盖层。 依次叠层这些层以提供半导体激光器件。 p型覆盖层包括p型掺杂剂和n型掺杂剂。 在另一方面，p型覆盖层包括包含第一p型掺杂剂的第一层和包含扩散系数小于第一p型掺杂剂的扩散系数的第二p型掺杂剂的第二层。 第一层远离有源层，第二层靠近有源层。 在另一方面，p型覆盖层包括作为p型掺杂剂的碳（C）。 根据这些结构，可以防止p型掺杂剂扩散到有源层和p型覆层中。

公开(公告)号：US07394114B2

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：US11549983

申请日：2006-10-17

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Makoto Takada

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Makoto Takada

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/30 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3215

摘要： A laser diode includes a first n-cladding layer disposed on and lattice-matched to an n-semiconductor substrate, wherein the first n-cladding layer is n-AlGaInP or n-GaInP; a second n-cladding layer of n-AlGaAs supported by the first n-cladding layer; and an inserted layer disposed between the first n-cladding layer and the second n-cladding layer, wherein the inserted layer includes the same elements as the first n-cladding layer, the inserted layer has the same composition ratios of Al and Ga (and P) as the first n-cladding layer, and the inserted layer contains a lower composition ratio of In than the first n-cladding layer.

摘要翻译： 激光二极管包括设置在n半导体衬底上且与n半导体衬底晶格匹配的第一n包层，其中第一n包层为n-AlGaInP或n-GaInP; 由第一n包层支撑的n-AlGaAs的第二n包层; 以及设置在所述第一n包层和所述第二n包层之间的插入层，其中所述插入层包括与所述第一n包层相同的元件，所述插入层具有相同的Al和Ga的组成比（和 P）作为第一n包层，并且插入层包含比第一n包层更低的In的组成比。

公开(公告)号：US07564076B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US12115565

申请日：2008-05-06

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Makoto Takada

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Makoto Takada

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/30 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3215

摘要： A laser diode includes a first n-cladding layer disposed on and lattice-matched to an n-semiconductor substrate, wherein the first n-cladding layer is n-AlGaInP or n-GaInP; a second n-cladding layer of n-AlGaAs supported by the first n-cladding layer; and an inserted layer disposed between the first n-cladding layer and the second n-cladding layer, wherein the inserted layer includes the same elements as the first n-cladding layer, the inserted layer has the same composition ratios of Al and Ga (and P) as the first n-cladding layer, and the inserted layer contains a lower composition ratio of In than the first n-cladding layer.

摘要翻译： 激光二极管包括设置在n半导体衬底上且与n半导体衬底晶格匹配的第一n包层，其中第一n包层为n-AlGaInP或n-GaInP; 由第一n包层支撑的n-AlGaAs的第二n包层; 以及设置在所述第一n包层和所述第二n包层之间的插入层，其中所述插入层包括与所述第一n包层相同的元件，所述插入层具有相同的Al和Ga的组成比（和 P）作为第一n包层，并且插入层包含比第一n包层更低的In的组成比。

公开(公告)号：US20080265275A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12115565

申请日：2008-05-06

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Makoto Takada

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Makoto Takada

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01L33/30 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3215

摘要： A laser diode includes a first n-cladding layer disposed on and lattice-matched to an n-semiconductor substrate, wherein the first n-cladding layer is n-AlGaInP or n-GaInP; a second n-cladding layer of n-AlGaAs supported by the first n-cladding layer; and an inserted layer disposed between the first n-cladding layer and the second n-cladding layer, wherein the inserted layer includes the same elements as the first n-cladding layer, the inserted layer has the same composition ratios of Al and Ga (and P) as the first n-cladding layer, and the inserted layer contains a lower composition ratio of In than the first n-cladding layer.

摘要翻译： 激光二极管包括设置在n半导体衬底上且与n半导体衬底晶格匹配的第一n包层，其中第一n包层为n-AlGaInP或n-GaInP; 由第一n包层支撑的n-AlGaAs的第二n包层; 以及设置在所述第一n包层和所述第二n包层之间的插入层，其中所述插入层包括与所述第一n包层相同的元件，所述插入层具有相同的Al和Ga的组成比（和 P）作为第一n包层，并且插入层包含比第一n包层更低的In的组成比。

公开(公告)号：US20070086498A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11472383

申请日：2006-06-22

申请人： Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Harumi Nishiguchi

发明人： Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Harumi Nishiguchi

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/162 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/34326

摘要： A first buffer layer (GaAs), a second buffer layer (AlGaAs), and a diffusion suppressing layer consisting of GaAs or AlGaAs are stacked on a GaAs substrate. The structure has a first clad layer formed thereon. When AlGaAs is used for the diffusion suppressing layer, the Al ratio of AlGaAs is made smaller than the second buffer layer. By such a structure, when the window layer is formed, the diffusion rate of the impurity (Zn) can be lowered in the diffusion suppressing layer, and the diffusion of the impurity can be stopped at the second buffer layer.

摘要翻译： 在GaAs衬底上堆叠第一缓冲层（GaAs），第二缓冲层（AlGaAs）和由GaAs或AlGaAs构成的扩散抑制层。 该结构具有形成在其上的第一覆盖层。 当AlGaAs用于扩散抑制层时，使AlGaAs的Al比小于第二缓冲层。 通过这样的结构，当形成窗口层时，可以在扩散抑制层中降低杂质（Zn）的扩散速率，并且可以在第二缓冲层处停止杂质的扩散。

公开(公告)号：US07590158B2

公开(公告)日：2009-09-15

申请号：US11472383

申请日：2006-06-22

申请人： Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Harumi Nishiguchi

发明人： Kenichi Ono ,  Masayoshi Takemi ,  Harumi Nishiguchi

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/162 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/34326

摘要： A first buffer layer (GaAs), a second buffer layer (AlGaAs), and a diffusion suppressing layer consisting of GaAs or AlGaAs are stacked on a GaAs substrate. The structure has a first cladding layer thereon. When AlGaAs is used for the diffusion suppressing layer, the Al ratio of AlGaAs is made smaller than in the second buffer layer. In such a structure, when a window region is formed, the diffusion rate of the impurity (Zn) can be lowered in the diffusion suppressing layer, and the diffusion of the impurity can be stopped at the second buffer layer.

摘要翻译： 在GaAs衬底上堆叠第一缓冲层（GaAs），第二缓冲层（AlGaAs）和由GaAs或AlGaAs构成的扩散抑制层。 该结构在其上具有第一覆层。 当AlGaAs用于扩散抑制层时，使AlGaAs的Al比小于第二缓冲层。 在这种结构中，当形成窗口区域时，可以在扩散抑制层中降低杂质（Zn）的扩散速率，并且可以在第二缓冲层处停止杂质的扩散。

公开(公告)号：US20080254563A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US12019665

申请日：2008-01-25

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Takehiro Nishida ,  Makoto Takada ,  Kenichi Ono

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Takehiro Nishida ,  Makoto Takada ,  Kenichi Ono

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/162 ,  H01S5/209 ,  H01S2304/04

摘要： A method for manufacturing a semiconductor optical device includes: forming a p-type cladding layer; forming a capping layer on the p-type cladding layer the capping layer being selectively etchable relative to the p-type cladding layer; forming a through film on the capping layer; forming a window structure by in implantation; removing the through film after the ion implantation; and selectively removing the capping layer using a chemical solution.

摘要翻译： 一种半导体光学器件的制造方法包括：形成p型覆层; 在所述p型覆层上形成覆盖层，所述覆盖层相对于所述p型覆层可选择性地蚀刻; 在覆盖层上形成通孔; 通过植入形成窗户结构; 离子注入后去除通膜; 并使用化学溶液选择性地去除覆盖层。

公开(公告)号：US20080227233A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11837676

申请日：2007-08-13

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/0421 ,  H01L33/02 ,  H01L33/305 ,  H01S5/3054

摘要： A method for manufacturing a semiconductor optical device includes forming a BDR (Band Discontinuity Reduction) layer of a first conductivity type doped with an impurity, depositing a contact layer of the first conductivity type in contact with the BDR layer after forming the BDR layer, the contact layer being doped with the same impurity as the BDR layer and used to form an electrode, and heat treating after forming the contact layer.

摘要翻译： 一种制造半导体光学器件的方法包括：形成掺杂有杂质的第一导电类型的BDR（带断续连续性降低）层;在形成BDR层之后，沉积与BDR层接触的第一导电类型的接触层， 接触层掺杂与BDR层相同的杂质并用于形成电极，以及在形成接触层之后进行热处理。

公开(公告)号：US20060220037A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11263997

申请日：2005-11-02

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Kimio Shigihara ,  Kazushige Kawasaki ,  Kimitaka Shibata ,  Naoyuki Shimada

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono ,  Kimio Shigihara ,  Kazushige Kawasaki ,  Kimitaka Shibata ,  Naoyuki Shimada

IPC分类号： H01L31/12

CPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/323

摘要： A semiconductor optical element having a includes an n-type GaAs buffer layer, an n-type AlGaInP cladding layer, a first InGaAsP (including zero As content) guide layer without added dopant impurities, an InGaAsP (including zero In content) active layer, a second InGaAsP (including zero As content) guide layer without added dopant impurities, a p-type AlGaInP cladding layer, a p-type band discontinuity reduction layer, and a p-type GaAs contact layer sequentially laminated on an n-type GaAs substrate C or Mg is the dopant impurity in the p-type-GaAs contact layer, the p-type band discontinuity reduction layer, and the p-type AlGaInP cladding layer.

摘要翻译： 具有包括n型GaAs缓冲层，n型AlGaInP包层，没有添加掺杂杂质的第一InGaAsP（包括零As含量）引导层的半导体光学元件，InGaAsP（包括0 In含量）有源层， 没有添加掺杂剂杂质的第二InGaAsP（包括零As含量）引导层，顺序地层叠在n型GaAs衬底上的p型AlGaInP包层，p型带不连续性还原层和p型GaAs接触层 C或Mg是p型GaAs接触层中的掺杂剂杂质，p型带不连续性还原层和p型AlGaInP包层。

公开(公告)号：US07759148B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11837676

申请日：2007-08-13

申请人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono

发明人： Yoshihiko Hanamaki ,  Kenichi Ono

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01S5/0421 ,  H01L33/02 ,  H01L33/305 ,  H01S5/3054

摘要： A method for manufacturing a semiconductor optical device includes forming a BDR (Band Discontinuity Reduction) layer of a first conductivity type doped with an impurity, depositing a contact layer of the first conductivity type in contact with the BDR layer after forming the the BDR layer, the contact layer being doped with the same impurity as the BDR layer and used to form an electrode, and heat treating after forming the contact layer.

摘要翻译： 一种制造半导体光学器件的方法包括：形成掺杂有杂质的第一导电类型的BDR（带断续连续性降低）层;在形成BDR层之后，沉积第一导电类型的接触层与BDR层接触; 接触层掺杂与BDR层相同的杂质并用于形成电极，以及在形成接触层之后进行热处理。