公开(公告)号：US08159037B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12230487

申请日：2008-08-29

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/12674

摘要： Provided are a stack structure including an epitaxial graphene, a method of forming the stack structure, and an electronic device including the stack structure. The stack structure includes: a Si substrate; an under layer formed on the Si substrate; and at least one epitaxial graphene layer formed on the under layer.

摘要翻译： 提供了包括外延石墨烯的堆叠结构，形成堆叠结构的方法和包括堆叠结构的电子器件。 堆叠结构包括：Si衬底; 在Si衬底上形成的底层; 以及形成在下层上的至少一个外延石墨烯层。

公开(公告)号：US20110089995A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12805933

申请日：2010-08-25

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H03K3/01 ,  H01L29/775 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： Provided is a graphene device and a method of manufacturing the same. The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 提供了一种石墨烯装置及其制造方法。 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20090294759A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12230487

申请日：2008-08-29

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung ,  Dae-young Jeon

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  Y10T428/12674

摘要： Provided are a stack structure including an epitaxial graphene, a method of forming the stack structure, and an electronic device including the stack structure. The stack structure includes: a Si substrate; an under layer formed on the Si substrate; and at least one epitaxial graphene layer formed on the under layer.

摘要翻译： 提供了包括外延石墨烯的堆叠结构，形成堆叠结构的方法和包括堆叠结构的电子器件。 堆叠结构包括：Si衬底; 在Si衬底上形成的底层; 以及形成在下层上的至少一个外延石墨烯层。

公开(公告)号：US08513653B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12923163

申请日：2010-09-07

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

摘要： An electronic device, a transparent display and methods for fabricating the same are provided, the electronic device including a first, a second and a third element each formed of a two-dimensional (2D) sheet material. The first, second, and third elements are stacked in a sequential order or in a reverse order. The second element is positioned between the first element and the third element. The second element has an insulator property, the first and third elements have a metal property or a semiconductor property.

摘要翻译： 提供一种电子设备，透明显示器及其制造方法，电子设备包括由二维（2D）片材形成的第一，第二和第三元件。 第一，第二和第三元件以顺序或相反的顺序堆叠。 第二元件位于第一元件和第三元件之间。 第二元件具有绝缘体特性，第一和第三元件具有金属性质或半导体特性。

公开(公告)号：US08101980B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12805933

申请日：2010-08-25

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： Provided is a graphene device and a method of manufacturing the same. The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 提供了一种石墨烯装置及其制造方法。 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US08487356B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13307370

申请日：2011-11-30

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20120075008A1

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：US13307370

申请日：2011-11-30

申请人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H03K3/01 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20110092054A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12805982

申请日：2010-08-27

申请人： Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/268 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684

摘要： Methods of fixing graphene using a laser beam and methods of manufacturing an electronic device are provided, the method of fixing graphene includes fixing a defect of a graphene nanoribbon by irradiating the laser beam onto the graphene nanoribbon.

摘要翻译： 提供了使用激光束固定石墨烯的方法和制造电子器件的方法，固定石墨烯的方法包括通过将激光照射到石墨烯纳米棒上来固定石墨烯纳米纤维的缺陷。

公开(公告)号：US20110089403A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12923163

申请日：2010-09-07

申请人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

发明人： Yun-sung Woo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

摘要： An electronic device, a transparent display and methods for fabricating the same are provided, the electronic device including a first, a second and a third element each formed of a two-dimensional (2D) sheet material. The first, second, and third elements are stacked in a sequential order or in a reverse order. The second element is positioned between the first element and the third element. The second element has an insulator property, the first and third elements have a metal property or a semiconductor property.

摘要翻译： 提供一种电子设备，透明显示器及其制造方法，电子设备包括由二维（2D）片材形成的第一，第二和第三元件。 第一，第二和第三元件以顺序或相反的顺序堆叠。 第二元件位于第一元件和第三元件之间。 第二元件具有绝缘体特性，第一和第三元件具有金属性质或半导体特性。

公开(公告)号：US08664439B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13064896

申请日：2011-04-25

申请人： Sung-Hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-Hoon Lee ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： C07F5/02

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

摘要： Graphene, a method of fabricating the same, and a transistor having the graphene are provided, the graphene includes a structure of carbon (C) atoms partially substituted with boron (B) atoms and nitrogen (N) atoms. The graphene has a band gap. The graphene substituted with boron and nitrogen may be used as a channel of a field effect transistor. The graphene may be formed by performing chemical vapor deposition (CVD) method using borazine or ammonia borane as a boron nitride (B—N) precursor.

摘要翻译： 提供石墨烯，其制造方法和具有石墨烯的晶体管，石墨烯包括部分被硼（B）原子和氮（N）原子取代的碳（C）原子的结构。 石墨烯具有带隙。 用硼和氮取代的石墨烯可以用作场效应晶体管的通道。 可以通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼（B-N）前体进行化学气相沉积（CVD）方法来形成石墨烯。