公开(公告)号：US07816205B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12256119

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and method of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a silicon nitride layer having a compositional gradient in which the ratio of silicon to nitrogen varies through the thickness of the layer. The silicon nitride layer having a compositional gradient of silicon and nitrogen provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供一种形成闪速存储器件的闪速存储器件和方法。 闪速存储器件包括具有组成梯度的氮化硅层，其中硅与氮的比例通过该层的厚度而变化。 具有硅和氮的组成梯度的氮化硅层提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。

公开(公告)号：US20100233633A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12786245

申请日：2010-05-24

申请人： Victor Nguyen ,  Yi Chen ,  Mihaela Balseanu ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Victor Nguyen ,  Yi Chen ,  Mihaela Balseanu ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： G03F7/20 ,  C23C16/44 ,  B05D3/06

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139

摘要： Methods for processing a substrate with a boron rich film are provided. A patterned layer of boron rich material is deposited on a substrate and can be used as an etch stop. By varying the chemical composition, the selectivity and etch rate of the boron rich material can be optimized for different etch chemistries. The boron rich materials can be deposited over a layer stack substrate in multiple layers and etched in a pattern. The exposed layer stack can then be etched with multiple etch chemistries. Each of the boron rich layers can have a different chemical composition that is optimized for the multiple etch chemistries.

摘要翻译： 提供了用富硼膜处理衬底的方法。 富含硼的材料的图案层沉积在衬底上并且可以用作蚀刻停止层。 通过改变化学组成，可以对不同的蚀刻化学物质优化富硼材料的选择性和蚀刻速率。 富硼材料可以沉积在层叠堆叠衬底上多层并以图案蚀刻。 然后可以用多个蚀刻化学品蚀刻暴露的层堆叠。 每个富硼层可以具有针对多个蚀刻化学物质而优化的不同的化学组成。

公开(公告)号：US20090263972A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12415759

申请日：2009-03-31

申请人： Mihaela Balseanu ,  Christopher D. Bencher ,  Yongmei Chen ,  Li Yan Miao ,  Victor Nguyen ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Mihaela Balseanu ,  Christopher D. Bencher ,  Yongmei Chen ,  Li Yan Miao ,  Victor Nguyen ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76832 ,  H01L29/4966

摘要： A method and apparatus are provided to form spacer materials adjacent substrate structures. In one embodiment, a method is provided for processing a substrate including placing a substrate having a substrate structure adjacent a substrate surface in a deposition chamber, depositing a spacer layer on the substrate structure and substrate surface, and etching the spacer layer to expose the substrate structure and a portion of the substrate surface, wherein the spacer layer is disposed adjacent the substrate structure. The spacer layer may comprise a boron nitride material. The spacer layer may comprise a base spacer layer and a liner layer, and the spacer layer may be etched in a two-step etching process.

摘要翻译： 提供了一种形成邻近衬底结构的间隔物材料的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法，包括将具有邻近衬底表面的衬底结构的衬底放置在沉积室中，在衬底结构和衬底表面上沉积间隔层，以及蚀刻间隔层以暴露衬底 结构和衬底表面的一部分，其中间隔层邻近衬底结构设置。 间隔层可以包括氮化硼材料。 间隔层可以包括基底间隔层和衬垫层，并且可以在两步蚀刻工艺中蚀刻间隔层。

公开(公告)号：US20140273529A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14211024

申请日：2014-03-14

申请人： Victor Nguyen ,  Woong Jae Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Victor Nguyen ,  Woong Jae Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348

摘要： Provided are methods of for deposition of SiN films via PEALD processes. Certain methods pertain to exposing a substrate surface to a silicon precursor to provide a silicon precursor at the substrate surface; purging excess silicon precursor; exposing the substrate surface to an ionized reducing agent; and purging excess ionized reducing agent to provide a film comprising SiN, wherein the substrate has a temperature of 23° C. to about 550° C.

摘要翻译： 提供了通过PEALD工艺沉积SiN膜的方法。 某些方法涉及将衬底表面暴露于硅前体以在衬底表面提供硅前体; 清除多余的硅前体; 将基板表面暴露于电离还原剂; 并且吹扫过量的电离还原剂以提供包含SiN的膜，其中所述基材的温度为23℃至约550℃。

公开(公告)号：US08598020B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US12824095

申请日：2010-06-25

申请人： Victor Nguyen ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R Witty

发明人： Victor Nguyen ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R Witty

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045

摘要： In a method of depositing a crystalline germanium layer on a substrate, a substrate is placed in the process zone comprising a pair of process electrodes. In a deposition stage, a crystalline germanium layer is deposited on the substrate by introducing a deposition gas comprising a germanium-containing gas into the process zone, and forming a capacitively coupled plasma of the deposition gas by coupling energy to the process electrodes. In a subsequent treatment stage, the deposited crystalline germanium layer is treated by exposing the crystalline germanium layer to an energized treatment gas or by annealing the layer.

摘要翻译： 在将晶体锗层沉积在衬底上的方法中，将衬底放置在包含一对工艺电极的工艺区中。 在沉积阶段，通过将包含含锗气体的沉积气体引入工艺区域中，将结晶锗层沉积在衬底上，以及通过将能量耦合到工艺电极而形成沉积气体的电容耦合等离子体。 在随后的处理阶段中，通过将结晶锗层暴露于通电处理气体或通过退火该层来处理沉积的结晶锗层。

公开(公告)号：US08337950B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12786245

申请日：2010-05-24

申请人： Victor Nguyen ,  Yi Chen ,  Mihaela Balseanu ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R Witty

发明人： Victor Nguyen ,  Yi Chen ,  Mihaela Balseanu ,  Isabelita Roflox ,  Li-Qun Xia ,  Derek R Witty

IPC分类号： C23C16/38 ,  C23C16/30

CPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139

摘要： Methods for processing a substrate with a boron rich film are provided. A patterned layer of boron rich material is deposited on a substrate and can be used as an etch stop. By varying the chemical composition, the selectivity and etch rate of the boron rich material can be optimized for different etch chemistries. The boron rich materials can be deposited over a layer stack substrate in multiple layers and etched in a pattern. The exposed layer stack can then be etched with multiple etch chemistries. Each of the boron rich layers can have a different chemical composition that is optimized for the multiple etch chemistries.

摘要翻译： 提供了用富硼膜处理衬底的方法。 富含硼的材料的图案层沉积在衬底上并且可以用作蚀刻停止层。 通过改变化学组成，可以对不同的蚀刻化学物质优化富硼材料的选择性和蚀刻速率。 富硼材料可以沉积在层叠堆叠衬底上多层并以图案蚀刻。 然后可以用多个蚀刻化学品蚀刻暴露的层堆叠。 每个富硼层可以具有针对多个蚀刻化学物质而优化的不同的化学组成。

公开(公告)号：US08252653B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12255617

申请日：2008-10-21

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L29/792 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and methods of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a doped silicon nitride layer having a dopant comprising carbon, boron or oxygen. The doped silicon nitride layer generates a higher number and higher concentration of nitrogen and silicon dangling bonds in the layer and provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供闪速存储器件和形成闪存器件的方法。 闪速存储器件包括具有包含碳，硼或氧的掺杂剂的掺杂氮化硅层。 掺杂的氮化硅层在该层中产生更高数量和更高浓度的氮和硅悬挂键，并且提供非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。

公开(公告)号：US20100099247A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12256173

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A methods of forming a flash memory device are provided. The flash memory device comprises a silicon dioxide layer on a substrate and a silicon nitride layer that is formed on the silicon dioxide layer. The properties of the silicon nitride layer can be modified by any of: exposing the silicon nitride layer to ultraviolet radiation, exposing the silicon nitride layer to an electron beam, and by plasma treating the silicon nitride layer. A dielectric material is deposited on the silicon nitride layer and a conductive date is formed over the dielectric material. The flash memory device with modified silicon nitride layer provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供了形成闪速存储器件的方法。 闪存器件包括在衬底上的二氧化硅层和形成在二氧化硅层上的氮化硅层。 氮化硅层的性质可以通过以下任何方式改变：将氮化硅层暴露于紫外线辐射，将氮化硅层暴露于电子束，以及通过等离子体处理氮化硅层。 介电材料沉积在氮化硅层上，并且在电介质材料上形成导电日期。 具有改进的氮化硅层的闪速存储器件提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保持时间的增加。

公开(公告)号：US20100096688A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12256119

申请日：2008-10-22

申请人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

发明人： Mihaela Balseanu ,  Vladimir Zubkov ,  Li-Qun Xia ,  Atif Noori ,  Reza Arghavani ,  Derek R. Witty ,  Amir Al-Bayati

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L29/68

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A flash memory device and method of forming a flash memory device are provided. The flash memory device includes a silicon nitride layer having a compositional gradient in which the ratio of silicon to nitrogen varies through the thickness of the layer. The silicon nitride layer having a compositional gradient of silicon and nitrogen provides an increase in charge holding capacity and charge retention time of the unit cell of a non-volatile memory device.

摘要翻译： 提供一种形成闪速存储器件的闪速存储器件和方法。 闪速存储器件包括具有组成梯度的氮化硅层，其中硅与氮的比例通过该层的厚度而变化。 具有硅和氮的组成梯度的氮化硅层提供了非易失性存储器件的单元电池的电荷保持容量和电荷保留时间的增加。

公开(公告)号：US20090107626A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12258300

申请日：2008-10-24

申请人： Yong-Won Lee ,  Sang M. Lee ,  Meiyee(Maggie Le) Shek ,  Weifeng Ye ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Jigang Li

发明人： Yong-Won Lee ,  Sang M. Lee ,  Meiyee(Maggie Le) Shek ,  Weifeng Ye ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty ,  Thomas Nowak ,  Juan Carlos Rocha-Alvarez ,  Jigang Li

IPC分类号： B32B37/00

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Embodiments described herein provide a method of processing a substrate. The method includes depositing an interface adhesion layer between a conductive material and a dielectric material such that the interface adhesion layer provides increased adhesion between the conductive material and the dielectric material. In one embodiment a method for processing a substrate is provided. The method comprises depositing an interface adhesion layer on a substrate comprising a conductive material, exposing the interface adhesion layer to a nitrogen containing plasma, and depositing a dielectric layer on the interface adhesion layer after exposing the interface adhesion layer to the nitrogen containing plasma.

摘要翻译： 本文所述的实施例提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括在导电材料和电介质材料之间沉积界面粘合层，使得界面粘合层在导电材料和电介质材料之间提供增加的粘合力。 在一个实施例中，提供了一种用于处理衬底的方法。 该方法包括在包括导电材料的基底上沉积界面粘附层，将界面粘附层暴露于含氮等离子体，以及在将界面粘附层暴露于含氮等离子体之后，在界面粘附层上沉积电介质层。