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    SRAM device having forward body bias control
    94.
    发明申请
    SRAM device having forward body bias control 有权
    具有前向偏置控制的SRAM器件

    公开(公告)号：US20050226032A1

    公开(公告)日：2005-10-13

    申请号：US10812894

    申请日：2004-03-31

    申请人： Stephen Tang ,  Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De ,  James Tschanz

    发明人： Stephen Tang ,  Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De ,  James Tschanz

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/412

    摘要： A SRAM device is provided having a plurality of memory cells. Each memory cell may include a plurality of transistors coupled in a cross-coupled inverter configuration. An NMOS transistor may be coupled to a body of the two PMOS transistors in the cross-coupled inverter configuration so as to apply a forward body bias to the PMOS transistors of the cross-coupled inverter configuration. A power control unit may control a supply voltage to each of the PMOS transistors as well as apply the switching signal to the NMOS transistor based on a STANDBY mode of the memory cell.

    摘要翻译： 提供具有多个存储单元的SRAM器件。 每个存储单元可以包括以交叉耦合的反相器配置耦合的多个晶体管。 NMOS晶体管可以以交叉耦合的反相器配置耦合到两个PMOS晶体管的主体，以便向交叉耦合的反相器配置的PMOS晶体管施加正向偏置。 功率控制单元可以控制每个PMOS晶体管的电源电压，并且基于存储器单元的STANDBY模式将开关信号施加到NMOS晶体管。

    SRAM array with dynamic voltage for reducing active leakage power
    99.
    发明授权
    SRAM array with dynamic voltage for reducing active leakage power 有权
    具有动态电压的SRAM阵列，用于降低有源漏电功率

    公开(公告)号：US06724648B2

    公开(公告)日：2004-04-20

    申请号：US10117163

    申请日：2002-04-05

    申请人： Muhammad Khellah ,  Vivek De ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye

    发明人： Muhammad Khellah ,  Vivek De ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye

    IPC分类号： G11C1140

    CPC分类号： G11C11/417

    摘要： A power management device and static random access memory (SRAM) architecture with dynamic supply voltages reduce active power leakage in SRAM cells. When a cell is inactive, a low level supply voltage is applied to the source line connected to the cell to maintain the data stored in the cell. However, before a cell is accessed (e.g., during a read or write operation), the source line is raised to a high level supply voltage.

    摘要翻译： 具有动态电源电压的电源管理器件和静态随机存取存储器（SRAM）架构降低了SRAM单元中的有功功率泄漏。 当单元不活动时，低电平电源电压被施加到连接到单元的源极线以维持存储在单元中的数据。 然而，在单元被访问之前（例如，在读取或写入操作期间），源极线被升高到高电平电源电压。