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    CARBON NANOTUBE PRECURSOR, CARBON NANOTUBE FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME
    101.
    发明申请
    CARBON NANOTUBE PRECURSOR, CARBON NANOTUBE FILM AND METHOD FOR MAKING THE SAME 有权
    碳纳米管前体，碳纳米管膜及其制造方法

    公开(公告)号：US20110039075A1

    公开(公告)日：2011-02-17

    申请号：US12649538

    申请日：2009-12-30

    申请人： CHEN FENG ,  KAI-LI JIANG ,  ZHUO CHEN ,  YONG-CHAO ZHAI ,  SHOU-SHAN FAN

    发明人： CHEN FENG ,  KAI-LI JIANG ,  ZHUO CHEN ,  YONG-CHAO ZHAI ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC分类号： H01B1/04 ,  D01F9/12

    CPC分类号： H01B1/04 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0233 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C01B2202/34 ,  Y10T428/2457

    摘要： A carbon nanotube film includes a plurality of carbon nanotubes. The plurality of carbon nanotubes is arranged approximately along a same first direction. The plurality of carbon nanotubes are joined end to end by van der Waals attractive force therebetween. The carbon nanotube film has a uniform width. The carbon nanotube film has substantially the same density of the carbon nanotubes along a second direction perpendicular to the first direction. The change in density across the width is within 10 percent. The present application also relates to a carbon nanotube film precursor and a method for making the carbon nanotube film.

    摘要翻译： 碳纳米管膜包括多个碳纳米管。 多个碳纳米管大致沿相同的第一方向排列。 多个碳纳米管由它们之间的范德华力吸引力端对端连接。 碳纳米管膜具有均匀的宽度。 碳纳米管膜沿着与第一方向垂直的第二方向具有基本相同的碳纳米管密度。 宽度上的密度变化在10％以内。 本申请还涉及碳纳米管膜前体和制造碳纳米管膜的方法。

    METHOD FOR MAKING CARBON NANOTUBE WIRE STRUCTURE
    102.
    发明申请
    METHOD FOR MAKING CARBON NANOTUBE WIRE STRUCTURE 审中-公开
    制备碳纳米管结构的方法

    公开(公告)号：US20100308489A1

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：US12621512

    申请日：2009-11-19

    申请人： CHEN FENG ,  KAI-LI JIANG ,  SHOU-SHAN FAN

    发明人： CHEN FENG ,  KAI-LI JIANG ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC分类号： B29C43/02

    CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/15

    摘要： The present disclosure provides a method for making a carbon nanotube wire structure. A plurality of carbon nanotube arrays is provided. One carbon nanotube film is formed by drawing a number of carbon nanotubes from each of the plurality of carbon nanotube arrays, whereby a plurality of carbon nanotube films is formed. The carbon nanotube films converge at one spot. The carbon nanotube wire structure is formed by treating the carbon nanotube films via at least one of a mechanical method and an organic solvent method.

    摘要翻译： 本公开内容提供了制造碳纳米管线结构的方法。 提供多个碳纳米管阵列。 通过从多个碳纳米管阵列中的每一个拉伸多个碳纳米管形成一个碳纳米管膜，由此形成多个碳纳米管膜。 碳纳米管膜会聚在一个点。 通过机械方法和有机溶剂法中的至少一种处理碳纳米管膜来形成碳纳米管线结构。

    LIGHT-EMITTING DIODE
    105.
    发明申请
    LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
    发光二极管

    公开(公告)号：US20080169479A1

    公开(公告)日：2008-07-17

    申请号：US11938467

    申请日：2007-11-12

    申请人： ZHEN-FENG XU ,  GUO-FAN JIN ,  SHOU-SHAN FAN

    发明人： ZHEN-FENG XU ,  GUO-FAN JIN ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0083

    摘要： A light-emitting diode includes a substrate (110), a reflective layer (120), a second diffraction grating (130), a first semiconductor layer (142), an active layer (144), a second semiconductor layer (146), a transparent electrode layer (148), and a first diffraction grating (150), arranged in that order. The first diffraction grating and the second diffraction grating is composed of an array of parallel and equidistant grooves, and a inclined angle between the grooves of the first diffraction grating and the grooves of the second diffraction grating is equal to or more than 0° and equal to or less than 90°. One of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer is an N-type semiconductor and the other thereof is a P-type semiconductor. The light-emitting diode has high light extraction efficiency and is easy to manufacture at a low cost.

    摘要翻译： 发光二极管包括基板（110），反射层（120），第二衍射光栅（130），第一半导体层（142），有源层（144），第二半导体层（146） 透明电极层（148）和第一衍射光栅（150）。 第一衍射光栅和第二衍射光栅由平行和等距凹槽的阵列组成，并且第一衍射光栅的凹槽与第二衍射光栅的凹槽之间的倾斜角度等于或大于0°并且等于 至或小于90°。 第一半导体层和第二半导体层中的一个是N型半导体，另一个是P型半导体。 发光二极管的光提取效率高，易于制造成本低。

    PIXEL TUBE FOR FIELD EMISSION DEVICE
    107.
    发明申请
    PIXEL TUBE FOR FIELD EMISSION DEVICE 有权
    用于场发射装置的像素管

    公开(公告)号：US20080030123A1

    公开(公告)日：2008-02-07

    申请号：US11777179

    申请日：2007-07-12

    申请人： YUAN-CHAO YANG ,  YANG WEI ,  LIANG LIU ,  KAI-LI JIANG ,  SHOU-SHAN FAN

    发明人： YUAN-CHAO YANG ,  YANG WEI ,  LIANG LIU ,  KAI-LI JIANG ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC分类号： H01J1/62

    CPC分类号： H01J29/04 ,  B82Y10/00 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/86

    摘要： A triode field emission device (100) includes a sealed container (110) having a light permeable portion (120), a phosphor layer (130) formed on the light permeable portion in the sealed container, an anode (140) formed on the phosphor layer, a cathode (150) arranged in the sealed container and facing the light permeable portion, and a grid (160) arranged in the sealed container and between the cathode and the anode. The cathode has a carbon nanotube yarn (151) facing toward the light permeable portion configured for serving as an emission source for electrons.

    摘要翻译： 三极管场致发射器件（100）包括具有透光部分（120）的密封容器（110），形成在密封容器中的透光部分上的荧光体层（130），形成在荧光体 层，布置在密封容器中并面向透光部分的阴极（150）和布置在密封容器中以及阴极和阳极之间的栅极（160）。 阴极具有面向透光部分的碳纳米管丝（151），被配置为用作电子的发射源。

    FIELD EMISSION ELEMENT HAVING CARBON NANOTUBE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    108.
    发明申请
    FIELD EMISSION ELEMENT HAVING CARBON NANOTUBE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    具有碳纳米管的场致发射元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070296323A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：US11766998

    申请日：2007-06-22

    申请人： LIANG LIU ,  KAI-LI JIANG ,  SHOU-SHAN FAN ,  CAESAR CHEN ,  HSI-FU LEE ,  GA-LANE CHEN

    发明人： LIANG LIU ,  KAI-LI JIANG ,  SHOU-SHAN FAN ,  CAESAR CHEN ,  HSI-FU LEE ,  GA-LANE CHEN

    IPC分类号： H01J1/00 ,  H01J19/06

    CPC分类号： H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/304 ,  H01J2201/30469

    摘要： A given field emission element includes a carbon nanotube field emission wire and at least one supporting protective layer coating an outer surface of the carbon nanotube field emission wire. The carbon nanotube field emission wire is selected from a group consisting of a carbon nanotube yarn, a wire-shaped CNT-polymer composite, and a wire-shaped CNT-glass composite. A method for manufacturing the described field emission element includes the steps of: (a) providing one carbon nanotube field emission wire; (b) forming one supporting protective layer on an outer surface of the carbon nanotube field emission wire; and (c) cutting the carbon nanotube field emission wire to a predetermined length and treating the carbon nanotube emission wire to form the field emission element.

    摘要翻译： 给定的场发射元件包括碳纳米管场发射线和涂覆碳纳米管场发射线的外表面的至少一个支撑保护层。 碳纳米管场致发射线选自碳纳米管丝，线状CNT-聚合物复合物和线状CNT-玻璃复合物。 一种制造所述场发射元件的方法包括以下步骤：（a）提供一个碳纳米管场发射线; （b）在碳纳米管场发射线的外表面上形成一个支撑保护层; 和（c）将碳纳米管场致发射线切割成预定长度并处理碳纳米管发射线以形成场致发射元件。

    THERMIONIC EMISSION DEVICE
    109.
    发明申请
    THERMIONIC EMISSION DEVICE 有权
    THERMONIC排放装置

    公开(公告)号：US20130342106A1

    公开(公告)日：2013-12-26

    申请号：US13592867

    申请日：2012-08-23

    申请人： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

    发明人： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC分类号： H01J19/06 ,  H01J19/08 ,  B82Y99/00

    CPC分类号： G01Q60/40 ,  B82Y15/00 ,  G01Q70/12 ,  H01J1/14 ,  H01J1/16

    摘要： A thermionic emission device includes an insulating substrate, a patterned carbon nanotube film structure, a positive electrode and a negative electrode. The insulating substrate includes a surface. The surface includes an edge. The patterned carbon nanotube film structure is partially arranged on the surface of the insulating substrate. The patterned carbon nanotube film structure includes two strip-shaped arms joined at one end to form a tip portion protruded from the edge of the surface of the insulating substrate and suspended. The patterned carbon nanotube film structure includes a number of carbon nanotubes parallel to the surface of the insulating substrate. The patterned carbon nanotube film structure is connected between the positive electrode and the negative electrode in series.

    摘要翻译： 热电子发射器件包括绝缘衬底，图案化碳纳米管膜结构，正极和负极。 绝缘基板包括表面。 表面包括边缘。 图案化的碳纳米管膜结构部分地布置在绝缘基板的表面上。 图案化碳纳米管膜结构包括两端连接的带状臂，形成从绝缘基板的表面的边缘突出的顶端部分并悬挂。 图案化碳纳米管膜结构包括平行于绝缘基板的表面的多个碳纳米管。 图案化碳纳米管膜结构串联连接在正极和负极之间。

    METHOD FOR MAKING EPITAXIAL STRUCTURE
    110.
    发明申请
    METHOD FOR MAKING EPITAXIAL STRUCTURE 有权
    制造外形结构的方法

    公开(公告)号：US20130288458A1

    公开(公告)日：2013-10-31

    申请号：US13676033

    申请日：2012-11-13

    申请人： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

    发明人： YANG WEI ,  SHOU-SHAN FAN

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66037 ,  H01L33/007 ,  H01L33/40

    摘要： A method for making epitaxial structure is provided. The method includes providing a substrate having an epitaxial growth surface, growing a buffer layer on the epitaxial growth surface; placing a graphene layer on the buffer layer; epitaxially growing an epitaxial layer on the buffer layer; and removing the substrate. The graphene layer includes a number of apertures to expose a part of the buffer layer. The epitaxial layer is grown from the exposed part of the buffer layer and through the apertures.

    摘要翻译： 提供了制造外延结构的方法。 该方法包括提供具有外延生长表面的衬底，在外延生长表面上生长缓冲层; 在缓冲层上放置石墨烯层; 在缓冲层上外延生长外延层; 并去除衬底。 石墨烯层包括许多孔以暴露缓冲层的一部分。 外延层从缓冲层的暴露部分并通过孔生长。