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    SEMICONDUCTOR DEVICE
    101.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：US20090302293A1

    公开(公告)日：2009-12-10

    申请号：US12094403

    申请日：2006-11-14

    申请人： Takahiro Morikawa ,  Motoyasu Terao ,  Norikatsu Takaura ,  Kenzo Kurotsuchi

    发明人： Takahiro Morikawa ,  Motoyasu Terao ,  Norikatsu Takaura ,  Kenzo Kurotsuchi

    IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

    摘要： On the same semiconductor substrate 1, a memory cell array in which a plurality of memory elements R having a chalcogenide-material storage layer 22 storing a high-resistance state with a high electric resistance value and a low-resistance state with a low electric resistance value by a change of an atom arrangement are disposed in a matrix is formed in a memory cell region mmry, and a semiconductor integrated circuit is formed in a logic circuit region lgc. This chalcogenide-material storage layer 22 is made of a chalcogenide material containing at least either one of Ga or In of 10.5 atom % or larger to 40 atom % or smaller, Ge of 5 atom % or larger to 35 atom % or smaller, Sb of 5 atom % or larger to 25 atom % or smaller, and Te of 40 atom % or larger to 65 atom % or smaller.

    摘要翻译： 在相同的半导体衬底1上，存储单元阵列，其中具有存储具有高电阻值的高电阻状态的硫族化物材料存储层22的多个存储元件R和具有低电阻的低电阻状态 在存储单元区域mmry中形成以矩阵形式设置的原子排列变化的值，在逻辑电路区域lgc中形成半导体集成电路。 该硫属化物材料储存层22由含有10.5原子％以上至40原子％以下的Ga或In中的至少任一种的硫属元素化物构成，5原子％以上且35原子％以下的Ge，Sb 为5原子％以上且25原子％以下，Te为40原子％以上且65原子％以下。

    SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
    102.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE 有权
    半导体集成电路设备

    公开(公告)号：US20090250680A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：US12487492

    申请日：2009-06-18

    申请人： Norikatsu Takaura ,  Hideyuki Matsuoka ,  Motoyasu Terao ,  Kenzo Kurotsuchi ,  Tsuyoshi Yamauchi

    发明人： Norikatsu Takaura ,  Hideyuki Matsuoka ,  Motoyasu Terao ,  Kenzo Kurotsuchi ,  Tsuyoshi Yamauchi

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： With a high-speed nonvolatile phase change memory, reliability in respect of the number of refresh times is enhanced. In a memory cell forming area of a phase change memory using a MISFET as a transistor for selection of memory cells, a phase change material layer of a memory cell comprising a resistor element, using a phase change material, is formed for common use. As a result, variation in shape and a change in composition of the phase change material, caused by isolation of memory cell elements by etching, are reduced, thereby enhancing reliability of memory cells, in respect of the number of refresh times.

    摘要翻译： 通过高速非易失性相变存储器，提高了刷新次数的可靠性。 在使用MISFET作为选择存储单元的晶体管的相变存储器的存储单元形成区域中，形成了使用相变材料的包括电阻元件的存储单元的相变材料层，用于常用。 结果，减少了通过蚀刻对存储单元元件的隔离而导致的相变材料的形状变化和组成变化，从而提高了存储单元的刷新次数的可靠性。