公开(公告)号：US20100173165A1

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：US12724891

申请日：2010-03-16

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： B32B25/20 ,  C08K13/02 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L51/0529 ,  B82Y30/00 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0533 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0579 ,  Y10T428/31536 ,  Y10T428/31663

摘要： Compositions, methods of using inorganic moieties for dielectric modulation, and related device structures.

摘要翻译： 组合物，使用无机部分进行介电调制的方法以及相关的器件结构。

公开(公告)号：US07679079B1

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11181132

申请日：2005-07-14

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon

IPC分类号： H01L35/24 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/308

摘要： Organic thin film transistor and related composite and device structures comprising an organic dielectric medium comprising, for instance, a non-linear optical chromophoric moiety.

摘要翻译： 有机薄膜晶体管和相关的复合和器件结构包括有机介电介质，其包括例如非线性光学发色部分。

公开(公告)号：US07671202B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11043814

申请日：2005-01-26

申请人： Tobin J. Marks ,  Michael R. Wasielewski ,  Antonio Facchetti ,  Michael J. Ahrens ,  Brooks A. Jones ,  Myung-Han Yoon

发明人： Tobin J. Marks ,  Michael R. Wasielewski ,  Antonio Facchetti ,  Michael J. Ahrens ,  Brooks A. Jones ,  Myung-Han Yoon

IPC分类号： C07D471/02 ,  C07D471/00

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C07D221/14 ,  C07D221/18 ,  C07D471/06 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549

摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.

摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单酰胺和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和核取代的吸电子基团。

公开(公告)号：US20100038630A1

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：US11975911

申请日：2007-10-22

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  He Yan

IPC分类号： H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0094 ,  C08K5/18 ,  H01L51/0043 ,  C08L65/00

摘要： Semiconducting siloxane compositions and methods for manufacturing and use thereof in preparing organic thin-film transistors (OTFTs) are described. The semiconducting siloxane compositions can be crosslinked products of polymeric/monomeric compositions that include silane-derivatized crosslinkable organic p-type compounds and p-type semiconducting polymers.

摘要翻译： 描述了半导体硅氧烷组合物及其在制备有机薄膜晶体管（OTFT）中的制造及其应用的方法。 半导体硅氧烷组合物可以是聚合物/单体组合物的交联产物，其包括硅烷衍生的可交联的有机p型化合物和p型半导体聚合物。

公开(公告)号：US20100019237A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12562800

申请日：2009-09-18

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

IPC分类号： H01L51/10 ,  C08L33/06 ,  C08L25/06 ,  C08K5/1535 ,  C08K5/159 ,  C08K5/01 ,  C08K5/101 ,  C08K5/053 ,  C08K5/10 ,  C08K3/22 ,  B05D3/02 ,  B05D3/12 ,  B05D5/00 ,  B32B27/32

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078

摘要： Dielectric compositions comprising siloxane and polymeric components, as can be used in a range of transistor and related device configurations.

摘要翻译： 包含硅氧烷和聚合物组分的介电组合物，可用于晶体管和相关器件配置的范围。

公开(公告)号：US07605394B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11315076

申请日：2005-12-22

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Myung-Han Yoon ,  He Yan

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L51/052 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0078

摘要： Dielectric compositions comprising siloxane and polymeric components, as can be used in a range of transistor and related device configurations.

摘要翻译： 包含硅氧烷和聚合物组分的介电组合物，可用于晶体管和相关器件配置的范围。

公开(公告)号：US20090036643A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12221123

申请日：2008-07-31

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Hakan Usta

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti ,  Hakan Usta

IPC分类号： C08G75/00 ,  C07D409/10 ,  C08L81/00

CPC分类号： C07C49/697 ,  C07C17/12 ,  C07C45/46 ,  C07C45/63 ,  C07C45/65 ,  C07C49/665 ,  C07C255/34 ,  C07C255/35 ,  C07C2603/10 ,  C07C2603/52 ,  C07D333/22 ,  C07D333/24 ,  C07D333/28 ,  C08G61/02 ,  C08G61/12 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  C07C25/02

摘要： Disclosed are new conjugated compounds (e.g., monomers and polymers) that include ladder-type moieties which can be used for preparing semiconducting materials. Such conjugated compounds can exhibit high n-type carrier mobility and/or good current modulation characteristics. Compounds of the present teachings also can exhibit ambipolar semiconducting activity. In addition, the compounds of the present teachings can possess certain processing advantages such as solution-processability and/or good stability in ambient conditions.

摘要翻译： 公开了包括可用于制备半导体材料的梯型部分的新的共轭化合物（例如单体和聚合物）。 这种共轭化合物可表现出高的n型载流子迁移率和/或良好的电流调制特性。 本发明的化合物还可以显示出双极半导体活性。 此外，本发明的化合物可以具有某些加工优点，例如在环境条件下的溶液加工性和/或良好的稳定性。

公开(公告)号：US20080293937A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US12113662

申请日：2008-05-01

申请人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： C07D409/14

CPC分类号： H01B1/128 ,  C08G61/126 ,  H01B1/127 ,  H01L27/32 ,  H01L51/0008 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

摘要： The new fluorocarbon-functionalized and/or heterocycle-modified polythiophenes, in particular, α,ω-diperfluorohexylsexithiophene DFH-6T can be straightforwardly prepared in high yield and purity. Introduction of such modifications to a thiophene core affords enhanced thermal stability and volatility, and increased electron affinity versus the unmodified compositions of the prior art. Evaporated films behave as n-type semiconductors, and can be used to fabricate thin film transistors with FET mobilities ˜0.01 cm2/Vs—some of the highest reported to date for n-type organic semiconductors.

摘要翻译： 可以以高产率和纯度直接制备新的氟碳官能化和/或杂环改性的聚噻吩，特别是α，ω-二全氟己基噻吩DFH-6T。 引入噻吩核心的这种修饰提供了增强的热稳定性和挥发性，并且相对于现有技术的未改性组合物提高了电子亲和力。 蒸发膜表现为n型半导体，并且可用于制造具有约0.01cm 2 / Vs的FET迁移率的薄膜晶体管 - 对于n型有机半导体迄今为止最高的一些。

公开(公告)号：US20080185555A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11986017

申请日：2007-11-19

申请人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  Zhiming M. Wang

发明人： Antonio Facchetti ,  Tobin J. Marks ,  Zhiming M. Wang

IPC分类号： C07D241/46 ,  C07D209/56 ,  C07F9/02 ,  C07C49/105 ,  C09K3/00 ,  C07C13/48 ,  C07D219/00 ,  C07D221/06

CPC分类号： H01L51/0053 ,  C09B5/62 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/424 ,  H01L51/5012 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Acene-based compounds that can be used to prepare n-type semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including n-type semiconductor materials prepared from these compounds also are provided.

摘要翻译： 可用于制备n型半导体材料的基于乙烯的化合物具有制备它们的方法。 还提供了包括由这些化合物制备的n型半导体材料的复合材料和电子器件。

公开(公告)号：US20070282094A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11803020

申请日：2007-08-13

申请人： Tobin Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

发明人： Tobin Marks ,  Antonio Facchetti ,  Gang Lu ,  Hakan Usta ,  Joseph Letizia

IPC分类号： B32B9/04 ,  C08G75/32

CPC分类号： H01L51/0094 ,  H01L51/0508 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/31504

摘要： The present teachings provide silole-based polymers that can be used as p-type semiconductors. More specifically, the present teachings provide polymers that include a repeating unit of Formula I: wherein R1, R2, R3, R4, R5, R6, Z, x, and x′ are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing these polymers, and relate to various compositions, composites, and devices that incorporate these polymers.

摘要翻译： 本教导提供可用作p型半导体的基于硅烷的聚合物。 更具体地，本发明提供包含式I的重复单元的聚合物：其中R 1，R 2，R 3，R 3， R 4，R 5，R 6，Z，x和x'如本文所定义。 本教导还提供制备这些聚合物的方法，并涉及结合这些聚合物的各种组合物，复合材料和装置。