公开(公告)号：US08994079B2

公开(公告)日：2015-03-31

申请号：US13491999

申请日：2012-06-08

申请人： Hyun-jae Song ,  Byung-jin Cho ,  Sun-ae Seo ,  Woo-cheol Shin

发明人： Hyun-jae Song ,  Byung-jin Cho ,  Sun-ae Seo ,  Woo-cheol Shin

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/778 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/513

摘要： A graphene electronic device includes a multi-layered gate insulating layer between a graphene channel layer and a gate electrode. The multi-layered gate insulating layer includes an organic insulating layer and an inorganic insulating layer on the organic insulating layer.

摘要翻译： 石墨烯电子器件包括在石墨烯通道层和栅电极之间的多层栅极绝缘层。 多层栅绝缘层包括有机绝缘层和有机绝缘层上的无机绝缘层。

公开(公告)号：US08785912B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13225988

申请日：2011-09-06

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jae-hong Lee ,  Jae-ho Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jae-hong Lee ,  Jae-ho Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Graphene electronic devices may include a gate electrode on a substrate, a first gate insulating film covering the gate electrode, a plurality of graphene channel layers on the substrate, a second gate insulating film between the plurality of graphene channel layers, and a source electrode and a drain electrode connected to both edges of each of the plurality of graphene channel layers.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括衬底上的栅极电极，覆盖栅电极的第一栅极绝缘膜，衬底上的多个石墨烯沟道层，多个石墨烯沟道层之间的第二栅极绝缘膜，以及源电极和 连接到所述多个石墨烯通道层中的每一个的两个边缘的漏电极。

公开(公告)号：US08728880B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13329842

申请日：2011-12-19

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78684

摘要： A graphene electronic device includes a graphene channel layer on a substrate, a source electrode on an end portion of the graphene channel layer and a drain electrode on another end portion of the graphene channel layer, a gate oxide on the graphene channel layer and between the source electrode and the drain electrode, and a gate electrode on the gate oxide. The gate oxide has substantially the same shape as the graphene channel layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件包括在衬底上的石墨烯通道层，石墨烯通道层的端部上的源电极和在石墨烯通道层的另一端部上的漏电极，石墨烯通道层上的栅极氧化物 源电极和漏电极，栅极氧化物上的栅电极。 栅极氧化物具有与源电极和漏电极之间的石墨烯沟道层基本相同的形状。

公开(公告)号：US08614014B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US12662215

申请日：2010-04-06

申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo ,  Ji-young Bae

发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo ,  Ji-young Bae

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11C19/02

CPC分类号： G11B5/72 ,  G11B5/7325 ,  G11C11/14

摘要： A magnetic memory device includes a track in which different non-magnetic layers are respectively formed on upper and lower surfaces of a magnetic layer. One of the two non-magnetic layers includes an element having an atomic number greater than or equal to 12. Accordingly, the magnetic layer has a relatively high non-adiabaticity (β).

摘要翻译： 一种磁存储器件包括其中分别在磁性层的上表面和下表面上形成不同非磁性层的轨道。 两个非磁性层中的一个包括原子序数大于或等于12的元素。因此，磁性层具有相对高的非绝热性（β）。

公开(公告)号：US08466461B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US11987150

申请日：2007-11-28

申请人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

发明人： Sun-ae Seo ,  Young-soo Park ,  Ran-ju Jung ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-chul Kim ,  Seung-eon Ahn

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： Example embodiments relate to a resistive random access memory (RRAM) and a method of manufacturing the RRAM. A RRAM according to example embodiments may include a lower electrode, which may be formed on a lower structure (e.g., substrate). A resistive layer may be formed on the lower electrode, wherein the resistive layer may include a transition metal dopant. An upper electrode may be formed on the resistive layer. Accordingly, the transition metal dopant may form a filament in the resistive layer that operates as a current path.

摘要翻译： 示例实施例涉及电阻随机存取存储器（RRAM）和制造RRAM的方法。 根据示例性实施例的RRAM可以包括下电极，其可以形成在下结构（例如，衬底）上。 电阻层可以形成在下电极上，其中电阻层可以包括过渡金属掺杂剂。 上电极可以形成在电阻层上。 因此，过渡金属掺杂剂可以在作为电流路径工作的电阻层中形成丝。

公开(公告)号：US08320152B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12385859

申请日：2009-04-22

申请人： Young-jin Cho ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Sung-chul Lee ,  Ji-young Bae

发明人： Young-jin Cho ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Sung-chul Lee ,  Ji-young Bae

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G01R33/12 ,  G01R33/1207 ,  G01R33/1284 ,  G01R33/1292 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  G11C19/0841

摘要： An information storage device includes a storage node, a write unit configured to write information to a first magnetic domain region of the storage node, and a read unit configured to read information from a second magnetic domain region of the storage node. The information storage device further includes a temporary storage unit configured to temporarily store information read by the read unit, and a write control unit electrically connected to the temporary storage unit and configured to control current supplied to the write unit. The information read from the second magnetic domain region is stored in the temporary storage unit and written to the first magnetic domain region.

摘要翻译： 信息存储装置包括存储节点，写入单元，被配置为向存储节点的第一磁畴区域写入信息;以及读取单元，被配置为从存储节点的第二磁畴区域读取信息。 所述信息存储装置还包括临时存储单元，其被配置为临时存储由所述读取单元读取的信息;以及写入控制单元，电连接到所述临时存储单元并且被配置为控制提供给所述写入单元的电流。 从第二磁畴区域读取的信息存储在临时存储单元中，并写入第一磁畴区域。

公开(公告)号：US20120256167A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13224941

申请日：2011-09-02

申请人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  Y10S977/936

摘要： The graphene electronic device may include a gate oxide on a conductive substrate, the conductive substrate configured to function as a gate electrode, a pair of first metals on the gate oxide, the pair of the first metals separate from each other, a graphene channel layer extending between the first metals and on the first metals, and a source electrode and a drain electrode on both edges of the graphene channel layer.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括在导电衬底上的栅极氧化物，导电衬底被配置为用作栅电极，栅极氧化物上的一对第一金属，一对第一金属彼此分开，石墨烯沟道层 在第一金属和第一金属之间延伸，以及在石墨烯通道层的两个边缘上的源电极和漏电极。

公开(公告)号：US08233305B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12458249

申请日：2009-07-07

申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Ji-young Bae

发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Ji-young Bae

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  Y10T29/49069

摘要： A magnetic structure includes a first portion and a plurality of second portions. The first portion extends in a first direction. The plurality of second portions extend from ends of the first portion in a second direction. The first and second directions are perpendicular to one another. Two magnetic domains magnetized in directions opposite to each other and a magnetic domain wall between the magnetic domains are formed in the magnetic structure.

摘要翻译： 磁性结构包括第一部分和多个第二部分。 第一部分沿第一方向延伸。 多个第二部分在第二方向从第一部分的端部延伸。 第一和第二方向彼此垂直。 在磁性结构中形成两个彼此相反方向磁化的磁畴和磁畴之间的磁畴壁。

公开(公告)号：US08101983B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US11654626

申请日：2007-01-18

申请人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

发明人： Sun-ae Seo ,  In-kyeong Yoo ,  Myoung-jae Lee ,  Wan-jun Park

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A nonvolatile memory device including one transistor and one resistant material and a method of manufacturing the nonvolatile memory device are provided. The nonvolatile memory device includes a substrate, a transistor formed on the substrate, and a data storage unit connected to a drain of the transistor. The data storage unit includes a data storage material layer having different resistance characteristics in different voltage ranges.

摘要翻译： 提供了包括一个晶体管和一个电阻材料的非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。 非易失性存储器件包括衬底，形成在衬底上的晶体管，以及连接到晶体管的漏极的数据存储单元。 数据存储单元包括在不同电压范围内具有不同电阻特性的数据存储材料层。

公开(公告)号：US08089797B2

公开(公告)日：2012-01-03

申请号：US12659515

申请日：2010-03-11

申请人： Ho-jung Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-chul Lee

发明人： Ho-jung Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-chul Lee

IPC分类号： G11C19/00

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： A memory cell includes: a memory cell array unit having a plurality of nano wires arranged vertically on a substrate, each of the plurality of nano wires having a plurality of domains for storing information; a nano wire selection unit formed on the substrate and configured to select at least one of the plurality of nano wires; a domain movement control unit formed on the substrate and configured to control a domain movement operation with respect to at least one of the plurality of nano wires; and a read/write control unit formed on the substrate and configured to control at least one of a read operation and a write operation with respect to at least one of the plurality of nano wires.

摘要翻译： 存储单元包括：存储单元阵列单元，具有垂直地布置在基板上的多个纳米线，所述多个纳米线中的每一个具有用于存储信息的多个域; 形成在所述基板上并被配置为选择所述多个纳米线中的至少一个的纳米线选择单元; 域移动控制单元，形成在所述基板上，并且被配置为控制相对于所述多个纳米线中的至少一个的域移动操作; 以及读/写控制单元，形成在所述基板上并被配置为控制关于所述多根纳米线中的至少一个的读取操作和写入操作中的至少一个。