公开(公告)号：US20070242176A1

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：US11734630

申请日：2007-04-12

申请人： Young-Jin Chang ,  Seung-Hwan Shim ,  Hoon-Kee Min ,  Kwan-Wook Jung

发明人： Young-Jin Chang ,  Seung-Hwan Shim ,  Hoon-Kee Min ,  Kwan-Wook Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/1251 ,  G02F1/13624 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04

摘要： A display device and a manufacturing method thereof are provided. The display device includes a substrate, first and second signal lines formed on the substrate, a first thin film transistor connected to the first and second signal lines., a gate driver and a data driver connected to the first signal line and the second signal line, respectively, and a second thin film transistor formed in at least one of the gate driver and the data driver The first thin film transistor and the second thin film transistor include a first semiconductor and a second semiconductor, respectively, and the first semiconductor and the second semiconductor are formed at the different layers from each other.

摘要翻译： 提供了显示装置及其制造方法。 显示装置包括基板，形成在基板上的第一和第二信号线，连接到第一和第二信号线的第一薄膜晶体管，连接到第一信号线和第二信号线的栅极驱动器和数据驱动器 以及形成在栅极驱动器和数据驱动器中的至少一个中的第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别包括第一半导体和第二半导体，第一半导体和第二半导体 第二半导体形成在彼此不同的层。

公开(公告)号：US20060164566A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US10538166

申请日：2003-12-06

申请人： Pil-Mo Choi ,  Chung Yi ,  Deok-Hoi Kim ,  Kwan-Wook Jung

发明人： Pil-Mo Choi ,  Chung Yi ,  Deok-Hoi Kim ,  Kwan-Wook Jung

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

摘要： In a pixel for displays capable of simplifying manufacturing process, a display apparatus having a simplified pixel structure and a method of manufacturing a cost competitive display device, a display pixel includes a channel layer, first to third signal lines, first and second insulating layers and a pixel electrode. The first signal line is formed on the first insulating layer. The first insulating layer insulates the channel layer from the first signal line. The second insulating layer insulates the first signal line from the second and third signal lines, and includes contact holes. The second and third signal lines are connected to the channel layer through the contact holes. The pixel electrode including indium zinc oxide is formed on the identical layer with the first and second signal lines, and disposed on the second insulating layer. Therefore, manufacturing process is simplified and manufacturing time is reduced.

摘要翻译： 在能够简化制造工艺的显示器的像素中，具有简化的像素结构的显示装置和制造成本竞争力的显示装置的方法，显示像素包括沟道层，第一至第三信号线，第一和第二绝缘层，以及 像素电极。 第一信号线形成在第一绝缘层上。 第一绝缘层使通道层与第一信号线绝缘。 第二绝缘层使第一信号线与第二和第三信号线绝缘，并且包括接触孔。 第二和第三信号线通过接触孔连接到沟道层。 包括氧化铟锌的像素电极形成在与第一和第二信号线相同的层上，并且设置在第二绝缘层上。 因此，制造工序简化，制造时间缩短。

公开(公告)号：US20060138424A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11359138

申请日：2006-02-22

申请人： Bo Sung Kim ,  Kwan-Wook Jung ,  Wan-Shick Hong ,  Sang-Gab Kim ,  Mun-Pyo Hong

发明人： Bo Sung Kim ,  Kwan-Wook Jung ,  Wan-Shick Hong ,  Sang-Gab Kim ,  Mun-Pyo Hong

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device including forming a first wire on a substrate, forming a lower film on the first wire, forming a photosensitive pattern on the lower film using a photosensitive material, forming contact holes for exposing the first wire by etching the lower film using the photosensitive film as an etching mas, removing part of the photosensitive film pattern by an ashing process to expose a borderline of the lower film defining the contact holes and forming second wire connected to the firs wire via the contact holes.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成第一线，在第一线上形成下膜，使用感光材料在下膜上形成感光图案，形成用于通过蚀刻下部的第一线露出的接触孔 使用感光膜作为蚀刻的膜，通过灰化处理去除部分感光膜图案以暴露限定接触孔的下膜的边界，并且形成通过接触孔连接到第一线的第二线。

公开(公告)号：US20050148143A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US11071544

申请日：2005-03-03

申请人： Sung-Hoon Yang ,  Wan-Shick Hong ,  Kwan-Wook Jung

发明人： Sung-Hoon Yang ,  Wan-Shick Hong ,  Kwan-Wook Jung

IPC分类号： G02F1/1368 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/205 ,  H01L21/312 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/56

CPC分类号： G02F1/136227 ,  C23C16/30 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/56

摘要： The present invention relates to a process for vapor depositing a low dielectric insulating film, a thin film transistor using the same, and a preparation method thereof, and more particularly to a process for vapor deposition of low dielectric insulating film that can significantly improve a vapor deposition speed while maintaining properties of the low dielectric insulating film, thereby solving parasitic capacitance problems to realize a high aperture ratio structure, and can reduce a process time by using silane gas when vapor depositing an insulating film by a CVD or PECVD method to form a protection film for a semiconductor device. The present invention also relates to a thin film transistor using the process and preparation method thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于气相沉积低介电绝缘膜的方法，使用其的薄膜晶体管及其制备方法，更具体地涉及可以显着改善蒸气的低介电绝缘膜的气相沉积方法 同时保持低介电绝缘膜的性能，从而解决了寄生电容问题，以实现高开口率结构，并且通过使用硅烷气体通过CVD或PECVD方法蒸镀绝缘膜时可以减少处理时间，以形成 用于半导体器件的保护膜。 本发明还涉及使用该方法及其制备方法的薄膜晶体管。