公开(公告)号：US08685772B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13344298

申请日：2012-01-05

申请人： Dong Ju Lee ,  Heon Ho Lee ,  Hyun Wook Shim ,  Young Sun Kim

发明人： Dong Ju Lee ,  Heon Ho Lee ,  Hyun Wook Shim ,  Young Sun Kim

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

摘要： There is provided a method of manufacturing a light emitting diode and a light emitting diode manufactured by the same. The method includes growing a first conductivity type nitride semiconductor layer and an undoped nitride semiconductor layer on a substrate sequentially in a first reaction chamber; transferring the substrate having the first conductivity type nitride semiconductor layer and the undoped nitride semiconductor layer grown thereon to a second reaction chamber; growing an additional first conductivity type nitride semiconductor layer on the undoped nitride semiconductor layer in the second reaction chamber; growing an active layer on the additional first conductivity type nitride semiconductor layer; and growing a second conductivity type nitride semiconductor layer on the active layer.

摘要翻译： 提供了一种制造发光二极管的方法和由其制造的发光二极管。 该方法包括在第一反应室中顺序地在衬底上生长第一导电型氮化物半导体层和未掺杂的氮化物半导体层; 将具有第一导电型氮化物半导体层和其上生长的未掺杂氮化物半导体层的衬底转移到第二反应室; 在第二反应室中的未掺杂的氮化物半导体层上生长附加的第一导电型氮化物半导体层; 在附加的第一导电型氮化物半导体层上生长活性层; 以及在所述有源层上生长第二导电型氮化物半导体层。

公开(公告)号：US20130218816A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13598663

申请日：2012-08-30

申请人： Hong Yeon Yu ,  Sim-Kwon Yoon ,  Nac Woo Kim ,  Byung-Tak Lee ,  Young Sun Kim

发明人： Hong Yeon Yu ,  Sim-Kwon Yoon ,  Nac Woo Kim ,  Byung-Tak Lee ,  Young Sun Kim

IPC分类号： G06F15/18

CPC分类号： G06N99/005

摘要： In a sensor network, a sensor data processing apparatus generates a feature vector identifier table by classifying feature vector identifiers of a plurality of situation information determination reference data to be a reference of situation determination according to a sensor type index and a feature vector identifier set index of the plurality of situation information reference data. When the sensor data processing apparatus receives sensor data, the sensor data processing apparatus generates a feature vector identifier of the sensor data and extracts a sensor type index and a feature vector identifier set index of a feature vector identifier most similar to the feature vector identifier of sensor data with reference to a feature vector identifier table, and generates situation recognition information using the extracted sensor type index and feature vector identifier set index.

摘要翻译： 在传感器网络中，传感器数据处理装置通过根据传感器类型索引和特征向量标识符集索引将多个情境信息确定参考数据的特征向量标识符分类为状况确定的参考，来生成特征向量标识符表 的多个情况信息参考数据。 当传感器数据处理装置接收到传感器数据时，传感器数据处理装置生成传感器数据的特征向量标识符，并且提取与特征向量标识符最相似的传感器类型索引和特征向量标识符的特征向量标识符集， 传感器数据参考特征向量标识符表，并且使用所提取的传感器类型索引和特征向量标识符集索引来生成状况识别信息。

公开(公告)号：US20130073261A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13615322

申请日：2012-09-13

申请人： Nac Woo KIM ,  Hong Yeon Yu ,  Seung Chul Son ,  Byung Tak Lee ,  Young Sun Kim

发明人： Nac Woo KIM ,  Hong Yeon Yu ,  Seung Chul Son ,  Byung Tak Lee ,  Young Sun Kim

IPC分类号： G06F15/00

CPC分类号： G06K9/6289 ,  G06K9/6284

摘要： There are provided a sensor data processing apparatus, and a sensor data distributed processing system including the same. The sensor data distributed processing system includes: a plurality of sensors; one or more sensor data processing apparatuses each configured to compress a sensor signal received from at least one of a plurality of sensors, to create a compressed sensor signal, to adjust the sensor signal based on a reliability of the sensor signal, to analyze the adjusted sensor signal to provide analysis data, to synchronize the compressed sensor signal with the analysis data, to transmit the synchronized sensor data, and to provide management data to a corresponding sensor; and a sensor data management apparatus configured to monitor synchronized sensor data received from each sensor data processing apparatus, and to provide management data to the sensor data processing apparatus.

摘要翻译： 提供了一种传感器数据处理装置和包括该传感器数据处理装置的传感器数据分布式处理系统。 传感器数据分布处理系统包括：多个传感器; 一个或多个传感器数据处理设备，每个传感器数据处理设备被配置为压缩从多个传感器中的至少一个传感器接收的传感器信号，以创建压缩的传感器信号，以基于传感器信号的可靠性来调整传感器信号，以分析调节的 传感器信号提供分析数据，使压缩的传感器信号与分析数据同步，传送同步的传感器数据，并向对应的传感器提供管理数据; 以及传感器数据管理装置，被配置为监视从每个传感器数据处理装置接收的同步的传感器数据，并向所述传感器数据处理装置提供管理数据。

公开(公告)号：US08344439B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US13171163

申请日：2011-06-28

申请人： Jae-hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Cha-young Yoo ,  Young-sun Kim ,  Se-hoon Oh

发明人： Jae-hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Cha-young Yoo ,  Young-sun Kim ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

摘要： Integrated circuit capacitors have composite dielectric layers therein. These composite dielectric layers include crystallization inhibiting regions that operate to increase the overall crystallization temperature of the composite dielectric layer. An integrated circuit capacitor includes first and second capacitor electrodes and a capacitor dielectric layer extending between the first and second capacitor electrodes. The capacitor dielectric layer includes a composite of a first dielectric layer extending adjacent the first capacitor electrode, a second dielectric layer extending adjacent the second capacitor electrode and an electrically insulating crystallization inhibiting layer extending between the first and second dielectric layers. The electrically insulating crystallization inhibiting layer is formed of a material having a higher crystallization temperature characteristic relative to the first and second dielectric layers.

摘要翻译： 集成电路电容器在其中具有复合电介质层。 这些复合电介质层包括用于增加复合介电层的整体结晶温度的结晶抑制区。 集成电路电容器包括第一和第二电容器电极和在第一和第二电容器电极之间延伸的电容器介电层。 电容器介电层包括邻近第一电容器电极延伸的第一电介质层，邻近第二电容器电极延伸的第二电介质层和在第一和第二电介质层之间延伸的电绝缘的结晶抑制层的复合材料。 电绝缘结晶抑制层由相对于第一和第二介电层具有较高结晶温度特性的材料形成。

公开(公告)号：US08264026B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12694655

申请日：2010-01-27

申请人： Sung-Hae Lee ,  Byong-Sun Ju ,  Suk-Jin Chung ,  Young-Sun Kim

发明人： Sung-Hae Lee ,  Byong-Sun Ju ,  Suk-Jin Chung ,  Young-Sun Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324

摘要： Nonvolatile memory devices and related methods of manufacturing the same are provided. A nonvolatile memory device includes a tunneling layer on a substrate, a floating gate on the tunneling layer, an inter-gate dielectric layer structure on the floating gate, and a control gate on the inter-gate dielectric layer structure. The inter-gate dielectric layer structure includes a first silicon oxide layer, a high dielectric layer on the first silicon oxide layer, and a second silicon oxide layer on the high dielectric layer opposite to the first silicon oxide layer The high dielectric layer may include first and second high dielectric layers laminated on each other, and the first high dielectric layer may have a lower density of electron trap sites than the second high dielectric layer and may have a larger energy band gap or conduction band-offset than the second high dielectric layer.

摘要翻译： 提供了非易失性存储器件及其制造方法。 非易失性存储器件包括衬底上的隧道层，隧道层上的浮动栅极，浮置栅极上的栅极间电介质层结构以及栅极间电介质层结构上的控制栅极。 栅极间电介质层结构包括第一氧化硅层，第一氧化硅层上的高电介质层和与第一氧化硅层相对的高电介质层上的第二氧化硅层。高电介质层可以包括第一氧化硅层 和第二高介电层彼此层叠，并且第一高介电层可以具有比第二高介电层更低的电子陷阱位置密度，并且可以具有比第二高介电层更大的能带隙或导带偏移 。

公开(公告)号：US20110278698A1

公开(公告)日：2011-11-17

申请号：US13171163

申请日：2011-06-28

申请人： Jay-hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Cha-young Yoo ,  Young-sun Kim ,  So-hoon Oh

发明人： Jay-hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Cha-young Yoo ,  Young-sun Kim ,  So-hoon Oh

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

摘要： Integrated circuit capacitors have composite dielectric layers therein. These composite dielectric layers include crystallization inhibiting regions that operate to increase the overall crystallization temperature of the composite dielectric layer. An integrated circuit capacitor includes first and second capacitor electrodes and a capacitor dielectric layer extending between the first and second capacitor electrodes. The capacitor dielectric layer includes a composite of a first dielectric layer extending adjacent the first capacitor electrode, a second dielectric layer extending adjacent the second capacitor electrode and an electrically insulating crystallization inhibiting layer extending between the first and second dielectric layers. The electrically insulating crystallization inhibiting layer is formed of a material having a higher crystallization temperature characteristic relative to the first and second dielectric layers.

摘要翻译： 集成电路电容器在其中具有复合电介质层。 这些复合电介质层包括用于增加复合介电层的整体结晶温度的结晶抑制区。 集成电路电容器包括第一和第二电容器电极和在第一和第二电容器电极之间延伸的电容器介电层。 电容器介电层包括邻近第一电容器电极延伸的第一电介质层，邻近第二电容器电极延伸的第二电介质层和在第一和第二电介质层之间延伸的电绝缘的结晶抑制层的复合材料。 电绝缘结晶抑制层由相对于第一和第二介电层具有较高结晶温度特性的材料形成。

公开(公告)号：US08060636B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US11971321

申请日：2008-01-09

申请人： Yoo-jin Choi ,  Hyun-cheol Park ,  Chang-seog Ko ,  Young-sun Kim ,  Jung-kun Lee

发明人： Yoo-jin Choi ,  Hyun-cheol Park ,  Chang-seog Ko ,  Young-sun Kim ,  Jung-kun Lee

IPC分类号： G06F15/16 ,  H04N7/173 ,  H04N7/16

CPC分类号： H04L67/303 ,  H04L65/1083 ,  H04L65/80 ,  H04N1/00307 ,  H04N1/00347 ,  H04N2201/001 ,  H04N2201/0043 ,  H04N2201/0055 ,  H04N2201/0089 ,  H04N2201/0096

摘要： A content reproducing method and a content reproducing apparatus capable of continuously reproducing content by searching for an apparatus having optimal capabilities for reproducing the content, when a plurality of content reproducing apparatuses with similar functions are located within a short range of each other.

摘要翻译： 一种内容再现方法和内容再现装置，当具有类似功能的多个内容再现装置位于彼此的短距离范围内时，能够通过搜索具有用于再现内容的最佳能力的装置来连续再现内容。

公开(公告)号：US20110198667A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US12940399

申请日：2010-11-05

申请人： Dong Ju LEE ,  Hyun Wook Shim ,  Heon Ho Lee ,  Young Sun Kim ,  Sung Tae Kim

发明人： Dong Ju LEE ,  Hyun Wook Shim ,  Heon Ho Lee ,  Young Sun Kim ,  Sung Tae Kim

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/45563 ,  C30B23/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： There are provided a vapor deposition system, a method of manufacturing a light emitting device, and a light emitting device. A vapor deposition system according to an aspect of the invention may include: a first chamber having a first susceptor and at least one gas distributor discharging a gas in a direction parallel to a substrate disposed on the first susceptor; and a second chamber having a second susceptor and at least one second gas distributor arranged above the second susceptor to discharge a gas downwards.When a vapor deposition system according to an aspect of the invention is used, a semiconductor layer being thereby grown has excellent crystalline quality, thereby improving the performance of a light emitting device. Furthermore, while the operational capability and productivity of the vapor deposition system are improved, deterioration in an apparatus can be prevented.

摘要翻译： 提供了蒸镀系统，制造发光器件的方法和发光器件。 根据本发明的一个方面的气相沉积系统可以包括：具有第一基座和至少一个气体分布器的第一腔室，其沿平行于设置在第一基座上的衬底的方向排放气体; 以及第二室，具有第二基座和布置在第二基座上方的至少一个第二气体分配器，以向下排放气体。 当使用根据本发明的一个方面的气相沉积系统时，由此生长的半导体层具有优异的结晶质量，从而提高了发光器件的性能。 此外，虽然改善了气相沉积系统的操作能力和生产率，但是可以防止装置的劣化。

公开(公告)号：USD625321S1

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US29328188

申请日：2008-11-20

申请人： Yoo-Jin Choi ,  Young-Sun Kim ,  Sahng-Hee Bahn ,  Min-Jung Park ,  Young-Shil Jang ,  Ji-Bum Moon ,  Dong-Seok Kim ,  Yoon-Ji Kim

设计人： Yoo-Jin Choi ,  Young-Sun Kim ,  Sahng-Hee Bahn ,  Min-Jung Park ,  Young-Shil Jang ,  Ji-Bum Moon ,  Dong-Seok Kim ,  Yoon-Ji Kim

公开(公告)号：US20100187655A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12754713

申请日：2010-04-06

申请人： Jae-hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Cha-young Yoo ,  Young-sun Kim ,  Se-hoon Oh

发明人： Jae-hyoung Choi ,  Jung-hee Chung ,  Cha-young Yoo ,  Young-sun Kim ,  Se-hoon Oh

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

摘要： Integrated circuit capacitors have composite dielectric layers therein. These composite dielectric layers include crystallization inhibiting regions that operate to increase the overall crystallization temperature of the composite dielectric layer. An integrated circuit capacitor includes first and second capacitor electrodes and a capacitor dielectric layer extending between the first and second capacitor electrodes. The capacitor dielectric layer includes a composite of a first dielectric layer extending adjacent the first capacitor electrode, a second dielectric layer extending adjacent the second capacitor electrode and an electrically insulating crystallization inhibiting layer extending between the first and second dielectric layers. The electrically insulating crystallization inhibiting layer is formed of a material having a higher crystallization temperature characteristic relative to the first and second dielectric layers.

摘要翻译： 集成电路电容器在其中具有复合电介质层。 这些复合电介质层包括用于增加复合介电层的整体结晶温度的结晶抑制区。 集成电路电容器包括第一和第二电容器电极和在第一和第二电容器电极之间延伸的电容器介电层。 电容器介电层包括邻近第一电容器电极延伸的第一电介质层，邻近第二电容器电极延伸的第二电介质层和在第一和第二电介质层之间延伸的电绝缘的结晶抑制层的复合材料。 电绝缘结晶抑制层由相对于第一和第二介电层具有较高结晶温度特性的材料形成。