公开(公告)号：US20130053217A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13586264

申请日：2012-08-15

申请人： Masayuki Tanaka ,  Takeshige Miyazaki

发明人： Masayuki Tanaka ,  Takeshige Miyazaki

IPC分类号： B60W10/02

CPC分类号： F16D48/06 ,  F16D2021/0615 ,  F16D2021/0646 ,  F16D2500/1086 ,  F16D2500/50684 ,  F16D2500/508 ,  F16D2500/7044 ,  Y10T477/75

摘要： The clutch control apparatus includes a first reference value setting portion for setting a first engagement amount reference value of the first and the second clutches and to obtain a target transmitting torque by calculating a target inertia torque by multiplying a target rotation speed change rate of the engine at a speed change operation by an inertia of the engine and subtracting the target inertia torque from the current output torque of the engine to be the target transmitting torque of the first and the second clutches and a second reference value setting portion for setting a second engagement amount reference value by correcting the first engagement amount reference value based on the vehicle speed and the turning radius.

摘要翻译： 离合器控制装置包括第一基准值设定部，用于设定第一和第二离合器的第一接合量基准值，并且通过将发动机的目标转速变化率乘以目标惯性转矩来计算目标惯性转矩，从而获得目标传递转矩 在通过发动机的惯性的变速操作中，从目前的发动机的输出转矩减去目标惯性转矩，作为第一和第二离合器的目标传递转矩，以及第二基准值设定部分，用于设定第二接合 通过基于车速和转弯半径校正第一接合量参考值来量化参考值。

公开(公告)号：US20120193699A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13353512

申请日：2012-01-19

申请人： Masayuki TANAKA

发明人： Masayuki TANAKA

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/788 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7881

摘要： According to one embodiment, a nonvolatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate; an element isolation insulating film buried in the semiconductor substrate so as to isolate adjacent element; a memory cell having a first insulating film and a charge accumulation film; a second insulating film formed on the charge accumulation films of the memory cells and the element isolation insulating film; and a control electrode film formed on the second insulating film. An upper surface of the element isolation insulating film is lower than an upper surface of the charge accumulation film, the second insulating film is provided with a cell upper portion on the charge accumulation film and an inter-cell portion on the element isolation insulating film, and a dielectric constant of the cell upper portion is lower than a dielectric constant of the inter-cell portion.

摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性半导体存储器件包括半导体衬底; 埋置在半导体衬底中以隔离相邻元件的元件隔离绝缘膜; 具有第一绝缘膜和电荷累积膜的存储单元; 形成在存储单元的电荷累积膜和元件隔离绝缘膜上的第二绝缘膜; 以及形成在所述第二绝缘膜上的控制电极膜。 元件隔离绝缘膜的上表面低于电荷累积膜的上表面，第二绝缘膜在电荷累积膜上设置有单元上部，在元件隔离绝缘膜上设置单元间部分， 并且单元上部的介电常数低于单元间部分的介电常数。

公开(公告)号：US20110298039A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：US13207149

申请日：2011-08-10

申请人： Kazuhiro Matsuo ,  Masayuki Tanaka ,  Takeo Furuhata ,  Koji Nakahara

发明人： Kazuhiro Matsuo ,  Masayuki Tanaka ,  Takeo Furuhata ,  Koji Nakahara

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881

摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes a semiconductor substrate, a first insulation layer formed on the semiconductor substrate, a charge storage layer formed on the first insulation layer, a second insulation layer formed on the charge storage layer, and a control electrode formed on the second insulation layer. The second insulation layer includes a first silicon oxide film formed above the charge storage layer, a silicon nitride film formed on the first silicon oxide film, a metal oxide film formed on the silicon nitride film, and a nitride film formed on the metal oxide film. The metal oxide film has a relative permittivity of not less than 7.

摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的电荷存储层，形成在电荷存储层上的第二绝缘层和形成在第二绝缘层上的控制电极 绝缘层。 第二绝缘层包括在电荷存储层上形成的第一氧化硅膜，形成在第一氧化硅膜上的氮化硅膜，形成在氮化硅膜上的金属氧化物膜，以及形成在金属氧化物膜上的氮化物膜 。 金属氧化物膜的相对介电常数不小于7。

公开(公告)号：US20110154159A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12970651

申请日：2010-12-16

申请人： Masayuki TANAKA

发明人： Masayuki TANAKA

IPC分类号： G06F11/08 ,  H03M13/09

CPC分类号： H03M13/091

摘要： A cyclic redundancy check code generating circuit successively receives one or more parallel data as input, and repetitively performs a prescribed operation for calculating a cyclic redundancy check code for each parallel data, based on the parallel data and on an initial value or an earlier calculated cyclic redundancy check code. The cyclic redundancy check code generating circuit includes: a plurality of sub-operation units which, based on the initial value and the parallel data, perform sub-operations in different pipeline stages, respectively, by dividing the prescribed operation in a bit length direction of the parallel data; and a correction unit which, based on the initial value and the earlier calculated cyclic redundancy check code, corrects the cyclic redundancy check code calculated by the sub-operation units.

摘要翻译： 循环冗余校验码产生电路连续地接收一个或多个并行数据作为输入，并且重复执行用于针对每个并行数据计算循环冗余校验码的规定操作，基于并行数据和初始值或较早计算的循环 冗余校验码。 循环冗余校验码产生电路包括：多个子操作单元，其基于初始值和并行数据，分别通过将规定的操作除以位长度方向 并行数据; 以及校正单元，其基于初始值和较早计算的循环冗余校验码来校正由子操作单元计算的循环冗余校验码。

公开(公告)号：US07947610B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12471830

申请日：2009-05-26

申请人： Yoshitaka Tsunashima ,  Seiji Inumiya ,  Yasumasa Suizu ,  Yoshio Ozawa ,  Kiyotaka Miyano ,  Masayuki Tanaka

发明人： Yoshitaka Tsunashima ,  Seiji Inumiya ,  Yasumasa Suizu ,  Yoshio Ozawa ,  Kiyotaka Miyano ,  Masayuki Tanaka

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

摘要： Claimed and disclosed is a semiconductor device including a transistor having a gate insulating film structure containing nitrogen or fluorine in a compound, such as metal silicate, containing metal, silicon and oxygen, a gate insulating film structure having a laminated structure of an amorphous metal oxide film and metal silicate film, or a gate insulating film structure having a first gate insulating film including an oxide film of a first metal element and a second gate insulating film including a metal silicate film of a second metal element.

摘要翻译： 权利要求和公开的是一种半导体器件，包括具有在包含金属，硅和氧的金属硅酸盐的化合物中含有氮或氟的栅极绝缘膜结构的晶体管，具有非晶态金属氧化物层叠结构的栅极绝缘膜结构 膜和金属硅酸盐膜，或具有包括第一金属元素的氧化物膜的第一栅极绝缘膜和包括第二金属元素的金属硅酸盐膜的第二栅极绝缘膜的栅极绝缘膜结构。

公开(公告)号：US20100197130A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12755532

申请日：2010-04-07

申请人： Yoshio OZAWA ,  Isao Kamioka ,  Junichi Shiozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ryota Fujitsuka ,  Yoshihiro Ogawa ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Masayuki Tanaka ,  Daisuke Nishida

发明人： Yoshio OZAWA ,  Isao Kamioka ,  Junichi Shiozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ryota Fujitsuka ,  Yoshihiro Ogawa ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Masayuki Tanaka ,  Daisuke Nishida

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： A semiconductor memory device manufacturing method includes forming a floating gate electrode above a semiconductor substrate, forming an interelectrode insulating film above the floating gate electrode, forming a first radical nitride film on a surface of the interelectrode insulating film by first radical nitriding, and forming a control gate electrode on the first radical nitride film.

摘要翻译： 一种半导体存储器件制造方法，包括在半导体衬底上形成浮置栅电极，在浮置栅电极上形成电极间绝缘膜，通过第一自由基氮化在电极间绝缘膜的表面上形成第一自由基氮化物膜， 第一自由基氮化物膜上的控制栅电极。

公开(公告)号：US07723772B2

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：US11699502

申请日：2007-01-30

申请人： Yoshio Ozawa ,  Isao Kamioka ,  Junichi Shiozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ryota Fujitsuka ,  Yoshihiro Ogawa ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Masayuki Tanaka ,  Daisuke Nishida

发明人： Yoshio Ozawa ,  Isao Kamioka ,  Junichi Shiozawa ,  Akihito Yamamoto ,  Ryota Fujitsuka ,  Yoshihiro Ogawa ,  Katsuaki Natori ,  Katsuyuki Sekine ,  Masayuki Tanaka ,  Daisuke Nishida

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： A semiconductor memory device manufacturing method includes forming a floating gate electrode above a semiconductor substrate, forming an interelectrode insulating film above the floating gate electrode, forming a first radical nitride film on a surface of the interelectrode insulating film by first radical nitriding, and forming a control gate electrode on the first radical nitride film.

摘要翻译： 一种半导体存储器件制造方法，包括在半导体衬底上形成浮置栅电极，在浮置栅电极上形成电极间绝缘膜，通过第一自由基氮化在电极间绝缘膜的表面上形成第一自由基氮化物膜， 第一自由基氮化物膜上的控制栅电极。

公开(公告)号：US07714373B2

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：US11822437

申请日：2007-07-05

申请人： Katsuaki Natori ,  Masayuki Tanaka ,  Katsuyuki Sekine ,  Hirokazu Ishida ,  Masumi Matsuzaki ,  Yoshio Ozawa

发明人： Katsuaki Natori ,  Masayuki Tanaka ,  Katsuyuki Sekine ,  Hirokazu Ishida ,  Masumi Matsuzaki ,  Yoshio Ozawa

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： There is disclosed a semiconductor device including a plurality of memory cell transistors, each memory cell transistor including a floating gate electrode isolated from each other via an isolation insulating film every memory cell transistor, an inter-electrode insulating film comprising a HfxAl1-xOy film (0.8≦x≦0.95) formed on the floating gate electrode, and a control gate electrode formed on the inter-electrode insulating film, wherein the memory cell transistors are arrayed to form a memory cell array.

摘要翻译： 公开了一种包括多个存储单元晶体管的半导体器件，每个存储单元晶体管包括通过每个存储单元晶体管的隔离绝缘膜彼此隔离的浮栅，包括Hf x Al 1-x O y膜的电极间绝缘膜（ 形成在浮置栅电极上的栅极电极，以及形成在电极间绝缘膜上的控制栅电极，其中存储单元晶体管被排列以形成存储单元阵列。

公开(公告)号：US07682899B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11727536

申请日：2007-03-27

申请人： Katsuaki Natori ,  Masayuki Tanaka ,  Akihito Yamamoto ,  Katsuyuki Sekine ,  Ryota Fujitsuka ,  Daisuke Nishida ,  Yoshio Ozawa

发明人： Katsuaki Natori ,  Masayuki Tanaka ,  Akihito Yamamoto ,  Katsuyuki Sekine ,  Ryota Fujitsuka ,  Daisuke Nishida ,  Yoshio Ozawa

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device comprising a first insulating film formed on a semiconductor substrate, a charge storage layer formed on the first insulating film, a second insulating film formed on the charge storage layer, and a control electrode formed on the second insulating film, wherein forming the second insulating film comprises forming an insulating film containing silicon using source gas not containing chlorine, and forming an insulating film containing oxygen and a metal element on the insulating film containing silicon.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷存储层，形成在电荷存储层上的第二绝缘膜，以及形成在第二绝缘膜上的控制电极 其中，形成所述第二绝缘膜包括使用不含氯的源气体形成含硅的绝缘膜，以及在含有硅的绝缘膜上形成含有氧和金属元素的绝缘膜。

公开(公告)号：US20100049489A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12544595

申请日：2009-08-20

申请人： Masayuki TANAKA

发明人： Masayuki TANAKA

IPC分类号： G06G7/57

CPC分类号： G06F17/5018 ,  G06F2217/16

摘要： A system for a flow simulation using Moving Particle Semi-implicit method, includes a processor representing a target incompressible fluid by a plurality of particles grouped according to different particle sizes depending on a spatial resolution required at positions in a simulation domain; temporarily updating a velocity and a position coordinate of each particle to a first velocity and a first position coordinate by implicitly calculating a variation of the velocity of each particle due to a viscosity of the incompressible fluid in each of a plurality of time steps having a predetermined time interval; and updating the first velocity and the first position coordinate to a second velocity and a second position coordinate of each particle at a next time step of each time step by calculating a velocity correction of the first velocity due to a pressure gradient of the incompressible fluid using the first velocity.

摘要翻译： 一种使用运动粒子半隐式方法进行流动模拟的系统，包括根据模拟域中的位置所需的空间分辨率，根据不同的粒度分组的多个粒子代表目标不可压缩流体的处理器; 通过在具有预定的多个时间步长的每个时间步骤中隐含地计算由于不可压缩流体的粘度引起的每个粒子的速度的变化，将每个粒子的速度和位置坐标临时更新为第一速度和第一位置坐标 时间间隔; 以及通过计算由于所述不可压缩流体的压力梯度而导致的第一速度的速度校正，使用在每个时间步长的下一个时间步长，将所述第一速度和所述第一位置坐标更新为每个粒子的第二速度和第二位置坐标 第一速度。