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    Fracturing process and composition
    12.
    发明授权
    Fracturing process and composition 有权
    压裂过程和组成

    公开(公告)号：US06599863B1

    公开(公告)日：2003-07-29

    申请号：US09378341

    申请日：1999-08-20

    申请人： Bentley J. Palmer ,  Jesse Lee

    发明人： Bentley J. Palmer ,  Jesse Lee

    IPC分类号： E21B4326

    CPC分类号： C09K8/80 ,  C09K8/685 ,  Y10S507/921 ,  Y10S507/922

    摘要： The invention provides a method of fracturing, including the provision and use of a fracturing fluid suspension containing an effective amount of a solid particulate breaker material having delayed breaking or degradation characteristics, additionally including an amount of durable fibers and/or platelets sufficient to enhance wellbore solids, such as proppant, transport. In a preferred aspect, solid particulate matter, which comprises or is composed of a specified organic polymeric compound or composition having an average molecular weight of at least 10,000, or a mixture of such compounds or compositions, and which solid organic polymeric matter reacts or decomposes, as described, is combined in a fracturing fluid with or containing a specified gellant and proppant, to form a fracturing fluid suspension, and the suspension formed is pumped downwell and deposited as a gelled suspension in the subterranean formation, generally under fracturing conditions.

    摘要翻译： 本发明提供了一种压裂方法，包括提供和使用含有有效量的具有延迟断裂或降解特性的有效量的固体颗粒破碎材料的压裂液悬浮液，另外还包括一定量的耐久纤维和/或足以增强井孔的血小板 固体，如支撑剂，运输。 在优选的方面，固体颗粒物质包含或由具有至少10,000的平均分子量的特定的有机聚合物或组合物或这些化合物或组合物的混合物组成，或者由固体有机聚合物物质反应或分解 如所描述的那样，在压裂流体中与特定的胶凝剂和支撑剂组合在一起，以形成压裂液悬浮液，并且形成的悬浮液通常在压裂条件下被泵送下沉并作为凝胶悬浮液沉积在地层中。

    Method for directly depositing metal containing patterned films
    13.
    发明授权
    Method for directly depositing metal containing patterned films 失效
    用于直接沉积含金属图案的薄膜的方法

    公开(公告)号：US5534312A

    公开(公告)日：1996-07-09

    申请号：US339127

    申请日：1994-11-14

    申请人： Ross H. Hill ,  Bentley J. Palmer ,  Alfred A. Avey, Jr. ,  Sharon L. Blair ,  Chu-Hui W. Chu ,  Meihua Gao ,  Wai L. Law

    发明人： Ross H. Hill ,  Bentley J. Palmer ,  Alfred A. Avey, Jr. ,  Sharon L. Blair ,  Chu-Hui W. Chu ,  Meihua Gao ,  Wai L. Law

    IPC分类号： C23C18/14 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05K3/10 ,  H05H1/00

    CPC分类号： C23C18/14 ,  H05K3/105

    摘要： A photoresist-free method for making patterned films of metal oxides, metals, or other metal containing compounds is described. The method involves applying an amorphous film of a metal complex to a substrate. The film may be conveniently applied by spin coating using standard industry techniques. The metal complex used is photoreactive and undergoes a low temperature chemical reaction in the presence of light of a suitable wavelength. The end product of the reactions depends upon the atmosphere in which the reactions take place. Metal oxide films may be made in air. Patterned films may be made by exposing only selected portions of the film to light. Patterns of two or more materials may be laid down from the same film by exposing different parts of the film to light in different atmospheres. The resulting patterned film is generally planar. Separate planarization steps are not generally required.

    摘要翻译： 描述了制造金属氧化物，金属或其它含金属化合物的图案化膜的无光致抗蚀剂方法。 该方法包括将金属络合物的非晶膜施加到基底上。 可以使用标准工业技术通过旋涂方便地施加该膜。 所使用的金属络合物是光反应性的并且在合适波长的光存在下经历低温化学反应。 反应的最终产物取决于反应发生的气氛。 金属氧化物膜可以在空气中制成。 图案化的膜可以通过仅将膜的选定部分曝光而制成。 通过将不同部分的膜暴露于不同气氛中的光，可以从相同的膜中放下两种或更多种材料的图案。 所得图案化膜通常是平面的。 通常不需要单独的平坦化步骤。

    Polishing slurry for copper films
    15.
    发明授权
    Polishing slurry for copper films 有权
    抛光浆料用于铜膜

    公开(公告)号：US08506661B2

    公开(公告)日：2013-08-13

    申请号：US12257950

    申请日：2008-10-24

    申请人： Rebecca A. Sawayda ,  Bentley J. Palmer

    发明人： Rebecca A. Sawayda ,  Bentley J. Palmer

    IPC分类号： B24D3/02 ,  C09G1/02

    CPC分类号： C09G1/02

    摘要： A slurry for use in a chemical mechanical planarization process for a wafer comprises a chemical portion and a mechanical portion. The chemical portion comprises a surfactant that forms a layer over a metallic layer of the wafer to decreasing dishing to less than an average of 843 Å reduce the static etch rate of the metallic layer. The mechanical portion comprises an abrasive agent to assist in the planarization of the metallic layer of the wafer. In another embodiment, a slurry for polishing a copper layer formed over a first layer is disclosed. The slurry comprises an abrasive agent; and a surfactant comprising at least one non-ionic surfactant to reduce the static etch rate of the copper layer. The shelf life of the slurry exceeds 90 days.

    摘要翻译： 用于晶片的化学机械平面化处理的浆料包括化学部分和机械部分。 该化学部分包括在晶片的金属层上形成一层以减少凹陷至小于平均值的表面活性剂，降低金属层的静态蚀刻速率。 机械部分包括研磨剂，以帮助平坦化晶片的金属层。 在另一个实施例中，公开了一种用于抛光在第一层上形成的铜层的浆料。 浆料包含研磨剂; 和包含至少一种非离子表面活性剂的表面活性剂以降低铜层的静态蚀刻速率。 浆料的保存期限超过90天。

    Method for Forming Through-base Wafer Vias in Fabrication of Stacked Devices
    19.
    发明申请
    Method for Forming Through-base Wafer Vias in Fabrication of Stacked Devices 审中-公开
    在堆叠设备制造中形成通孔晶圆通孔的方法

    公开(公告)号：US20100081279A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：US12242002

    申请日：2008-09-30

    申请人： Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

    发明人： Bentley J. Palmer ,  Rebecca A. Sawayda

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76898 ,  C09G1/02 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212

    摘要： An effective method for forming through-base wafer vias in the fabrication of stacked devices is described. The base wafer can be a silicon wafer in which case the method relates to TSV (through-silicon via) technology. The method affords high removal rates of both silicon and metal (e.g., copper) under appropriate conditions and is tuneable with respect to base wafer material to metal selectivity.

    摘要翻译： 描述了在堆叠装置的制造中形成贯穿基底晶片通孔的有效方法。 基底晶片可以是硅晶片，在这种情况下，该方法涉及TSV（穿硅通孔）技术。 该方法在合适的条件下提供了硅和金属（例如铜）的高去除率，并且相对于基底晶片材料可调谐至金属选择性。

    Method for Chemical Mechanical Planarization of Chalcogenide Materials
    20.
    发明申请
    Method for Chemical Mechanical Planarization of Chalcogenide Materials 失效
    硫族化物材料化学机械平面化方法

    公开(公告)号：US20090057834A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US12190882

    申请日：2008-08-13

    申请人： James Allen Schlueter ,  Bentley J. Palmer

    发明人： James Allen Schlueter ,  Bentley J. Palmer

    IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/306

    CPC分类号： C09G1/02

    摘要： A method and associated composition for chemical mechanical planarization of a chalcogenide-containing substrate (e.g., germanium/antimony/tellurium (GST)-containing substrate) are described. The composition and method afford low defect levels as well as low dishing and local erosion levels on the chalcogenide-containing substrate during CMP processing.

    摘要翻译： 描述了含硫族化物的衬底（例如，含锗/锑（碲（GST））衬底的化学机械平面化的方法和相关组合物）。 组合物和方法在CMP处理期间在含硫属化物的衬底上提供低缺陷水平以及低的凹陷和局部侵蚀水平。