公开(公告)号：US07935580B2

公开(公告)日：2011-05-03

申请号：US11864165

申请日：2007-09-28

申请人： Min-Seok Oh ,  Shi-Yul Kim ,  Sang-Gab Kim ,  Joo-Han Kim ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

发明人： Min-Seok Oh ,  Shi-Yul Kim ,  Sang-Gab Kim ,  Joo-Han Kim ,  Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Seung-Ha Choi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136236

摘要： A display substrate includes a gate line, a storage capacitor, a source line, a switching element, a pixel electrode, and a color filter. The gate line is formed on a base substrate. The storage capacitor has a storage line substantially parallel to the gate line. The source line crosses the gate line to define a pixel area. The switching element is connected to the gate line and the source line. The pixel electrode contacts the switching element. The color filter pattern is formed between the base substrate and the pixel electrode such that the color filter pattern contracts the base substrate and the pixel electrode. Thus, the color filter pattern is formed on the display substrate using a three-mask process.

摘要翻译： 显示基板包括栅极线，存储电容器，源极线，开关元件，像素电极和滤色器。 栅极线形成在基底基板上。 存储电容器具有基本上平行于栅极线的存储线。 源极线穿过栅极线以定义像素区域。 开关元件连接到栅极线和源极线。 像素电极与开关元件接触。 滤色器图案形成在基底基板和像素电极之间，使得滤色器图案使基底基板和像素电极收缩。 因此，使用三掩模处理在显示基板上形成滤色器图案。

公开(公告)号：US20080268581A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12009253

申请日：2008-01-16

申请人： Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Sang-Gab Kim ,  Joo-Han Kim ,  Joo-Ae Youn ,  Min-Seok Oh ,  Jong-Hyun Choung ,  Seung-Ha Choi

发明人： Hong-Kee Chin ,  Yu-Gwang Jeong ,  Sang-Gab Kim ,  Joo-Han Kim ,  Joo-Ae Youn ,  Min-Seok Oh ,  Jong-Hyun Choung ,  Seung-Ha Choi

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： A method of manufacturing a TFT substrate includes: sequentially forming a transparent conductive layer and an opaque conductive layer on a substrate, patterning the transparent conductive layer and the opaque conductive layer by using a first mask to form a gate pattern including a pixel electrode, and forming a gate insulating layer and a semiconductor layer above the substrate. A contact hole is formed which exposes a portion of the pixel electrode and a semiconductor pattern using a second mask. A conductive layer is formed above the substrate and patterned to form a source/drain pattern including a drain electrode which overlaps a portion of the pixel electrode. Portions of the gate insulating layer and the opaque conductive layer above the pixel electrode are removed except a portion overlapping the drain electrode, by using a third mask.

摘要翻译： 一种制造TFT基板的方法包括：在基板上依次形成透明导电层和不透明导电层，通过使用第一掩模对透明导电层和不透明导电层进行构图，形成包括像素电极的栅极图案，以及 在基板上形成栅极绝缘层和半导体层。 使用第二掩模形成露出一部分像素电极和半导体图案的接触孔。 在衬底上形成导电层，并被图案化以形成包括与像素电极的一部分重叠的漏电极的源极/漏极图案。 除了与漏电极重叠的部分之外，通过使用第三掩模除去栅极绝缘层和像素电极上方的不透明导电层的部分。

公开(公告)号：US20070093005A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11544738

申请日：2006-10-05

申请人： Joo-Han Kim ,  Soon-Kwon Lim ,  Hong-Sick Park ,  Shi-Yul Kim ,  Eun-Guk Lee ,  Yang-Ho Bae ,  Byeong-Jin Lee ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Bong-Kyun Kim ,  Won-Suk Shin ,  Sung-Wook Kang

发明人： Joo-Han Kim ,  Soon-Kwon Lim ,  Hong-Sick Park ,  Shi-Yul Kim ,  Eun-Guk Lee ,  Yang-Ho Bae ,  Byeong-Jin Lee ,  Jong-Hyun Choung ,  Sun-Young Hong ,  Bong-Kyun Kim ,  Won-Suk Shin ,  Sung-Wook Kang

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/01 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1288

摘要： A thin film transistor array panel includes a pixel electrode formed on a substrate, a gate line formed on the pixel electrode, a gate insulating film formed on the gate line, a semiconductor formed on the gate insulating film, a data line and a drain electrode formed on the gate insulating film, and a passivation layer formed on portions of the data line and the drain electrode. The gate line includes a first film formed on the same layer and with the same material as the pixel electrode and a second film formed on the first film.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括形成在基板上的像素电极，形成在像素电极上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘膜，形成在栅极绝缘膜上的半导体，数据线和漏极 形成在栅极绝缘膜上，以及形成在数据线和漏电极的部分上的钝化层。 栅线包括形成在同一层上并具有与像素电极相同的材料的第一膜和形成在第一膜上的第二膜。

公开(公告)号：US08258510B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12390020

申请日：2009-02-20

申请人： Joo-Han Kim ,  Seung-Hwan Shim

发明人： Joo-Han Kim ,  Seung-Hwan Shim

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7866 ,  H01L29/78696

摘要： A display device including the thin film transistor, and a method of manufacturing the display device are provided. The thin film transistor comprising a first gate electrode, a second gate electrode formed on the first gate electrode, a first semiconductor formed on the first gate electrode and including a polycrystalline semiconductor, a second semiconductor formed on the second gate electrode and including an amorphous semiconductor.

摘要翻译： 提供了包括薄膜晶体管的显示装置和制造显示装置的方法。 所述薄膜晶体管包括第一栅电极，形成在所述第一栅电极上的第二栅电极，形成在所述第一栅极上并包括多晶半导体的第一半导体，形成在所述第二栅极上并包括非晶半导体的第二半导体 。

公开(公告)号：US07969522B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12841554

申请日：2010-07-22

申请人： Doo-Hee Jung ,  Kyung-Su Mun ,  Jeong-Min Park ,  Joo-Han Kim ,  Joo-Ae Youn

发明人： Doo-Hee Jung ,  Kyung-Su Mun ,  Jeong-Min Park ,  Joo-Han Kim ,  Joo-Ae Youn

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136231

摘要： A display substrate includes a first metal pattern, a first insulating layer, a first electrode, and a second metal pattern. The first metal pattern includes a gate line and a signal line. The first insulating layer is disposed on a substrate having the first metal pattern formed thereon. A first opening passes through the first insulating layer to partially expose the signal line. The first electrode is disposed on the first insulating layer corresponding to a unit pixel. The second metal pattern includes a connection electrode contacting the first electrode and the signal line through the first opening and a data line.

摘要翻译： 显示基板包括第一金属图案，第一绝缘层，第一电极和第二金属图案。 第一金属图案包括栅极线和信号线。 第一绝缘层设置在其上形成有第一金属图案的基板上。 第一开口穿过第一绝缘层以部分地暴露信号线。 第一电极设置在对应于单位像素的第一绝缘层上。 第二金属图案包括通过第一开口接触第一电极和信号线的连接电极和数据线。

公开(公告)号：US07876415B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US12045283

申请日：2008-03-10

申请人： Min-Sik Jung ,  Bong-Kyu Shin ,  Joo-Han Kim

发明人： Min-Sik Jung ,  Bong-Kyu Shin ,  Joo-Han Kim

IPC分类号： G02F1/1339

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214

摘要： A display substrate includes a base substrate, a thin-film transistor (TFT), a pixel electrode, a pad part, and a cell-gap compensating part. The base substrate has a display region, a seal region surrounding the display region, and a peripheral region surrounding the seal region. The TFT is in the display region. The pixel electrode is connected to a drain electrode of the TFT and contacts the base substrate. The pad part is interposed between a first side of the base substrate and the seal region and is connected to the TFT through a first transmission line. The cell-gap compensating part is in the seal region and includes a compensating pattern adjacent to a second side of the base substrate and an insulating pattern on the compensating pattern.

摘要翻译： 显示基板包括基底基板，薄膜晶体管（TFT），像素电极，焊盘部分和单元间隙补偿部分。 基底具有显示区域，围绕显示区域的密封区域和围绕密封区域的周边区域。 TFT位于显示区域。 像素电极连接到TFT的漏电极并接触基底。 衬垫部分介于基底衬底的第一侧和密封区之间，并通过第一传输线连接到TFT。 单元间隙补偿部分在密封区域中，并且包括与基底基板的第二侧相邻的补偿图案和补偿图案上的绝缘图案。

公开(公告)号：US20090212288A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12390020

申请日：2009-02-20

申请人： Joo-Han Kim ,  Seung-Hwan Shim

发明人： Joo-Han Kim ,  Seung-Hwan Shim

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7866 ,  H01L29/78696

摘要： A display device including the thin film transistor, and a method of manufacturing the display device are provided. The thin film transistor comprising a first gate electrode, a second gate electrode formed on the first gate electrode, a first semiconductor formed on the first gate electrode and including a polycrystalline semiconductor, a second semiconductor formed on the second gate electrode and including an amorphous semiconductor.

摘要翻译： 提供了包括薄膜晶体管的显示装置和制造显示装置的方法。 所述薄膜晶体管包括第一栅电极，形成在所述第一栅电极上的第二栅电极，形成在所述第一栅极上并包括多晶半导体的第一半导体，形成在所述第二栅极上并包括非晶半导体的第二半导体 。

公开(公告)号：US07501297B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11336087

申请日：2006-01-20

申请人： Jang-Soo Kim ,  Soo-Jin Kim ,  Kyoung-Tai Han ,  Hee-Hwan Choe ,  Joo-Han Kim

发明人： Jang-Soo Kim ,  Soo-Jin Kim ,  Kyoung-Tai Han ,  Hee-Hwan Choe ,  Joo-Han Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14692

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor array panel is provided, The method includes: forming a gate line on a substrate; forming a gate insulating layer on the gate line; forming a semiconductor layer on the gate insulating layer; forming a data line and a drain electrode on the semiconductor layer; depositing a passivation layer on the data line and the drain electrode; forming a photoresist including a first portion and a second portion thinner than the first portion on the passivation layer; etching the passivation layer using the photoresist as a mask to expose a portion of the drain electrode at least in part; removing the second portion of the photoresist; depositing a conductive film; and removing the photoresist to form a pixel electrode on the exposed portion of the drain electrode.

摘要翻译： 提供一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基板上形成栅极线; 在栅极线上形成栅极绝缘层; 在所述栅极绝缘层上形成半导体层; 在半导体层上形成数据线和漏电极; 在数据线和漏电极上沉积钝化层; 在所述钝化层上形成包含比所述第一部分薄的第一部分和第二部分的光致抗蚀剂; 使用所述光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述钝化层，以至少部分地暴露所述漏电极的一部分; 去除光致抗蚀剂的第二部分; 沉积导电膜; 并且去除光致抗蚀剂以在漏电极的暴露部分上形成像素电极。

公开(公告)号：US07486343B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11100516

申请日：2005-04-07

申请人： Sung-Kyu Hong ,  Joo-Han Kim ,  Jae-Jin Lyu ,  Sung-Hwan Hong ,  Won-Jae Lee

发明人： Sung-Kyu Hong ,  Joo-Han Kim ,  Jae-Jin Lyu ,  Sung-Hwan Hong ,  Won-Jae Lee

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F2001/134345

摘要： A thin film transistor array panel including a substrate; a gate line formed on the substrate; a gate insulating layer formed on the gate line; a semiconductor layer formed on the gate insulating layer; a data line formed on the semiconductor layer; a drain electrode separated from the data line and formed on the semiconductor layer; a coupling electrode connected to the drain electrode; a first subpixel electrode connected to the drain electrode; and a second subpixel electrode separated from the first subpixel electrode and overlapping the coupling electrode.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列面板，包括基板; 形成在基板上的栅极线; 栅极绝缘层，形成在栅极线上; 形成在所述栅极绝缘层上的半导体层; 形成在半导体层上的数据线; 漏极，与数据线分离并形成在半导体层上; 连接到所述漏电极的耦合电极; 连接到所述漏电极的第一子像素电极; 以及与第一子像素电极分离并与耦合电极重叠的第二子像素电极。

公开(公告)号：US07371592B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11313150

申请日：2005-12-19

申请人： Jeong-Min Park ,  Hi-kuk Lee ,  Woo-Seok Jeon ,  Joo-Han Kim ,  Doo-Hee Jung

发明人： Jeong-Min Park ,  Hi-kuk Lee ,  Woo-Seok Jeon ,  Joo-Han Kim ,  Doo-Hee Jung

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14692

摘要： A method for manufacturing a thin film transistor array panel using a photo mask is provided. The photo mask includes: a transmitting area and a translucent area, wherein the translucent area includes a plurality of light blocking portions blocking light, and wherein the light blocking portions have a plurality of areas blocking different amounts of light. By using this type of photo mask, a substantially flat layer of photoresist film can be deposited even on top of an uneven surface to manufacture a thin film transistor array panel. The flat photoresist film reduces processing cost and enhances the reliability of the panel manufacturing process.

摘要翻译： 提供一种使用光掩模制造薄膜晶体管阵列面板的方法。 光掩模包括：透射区域和半透明区域，其中半透明区域包括阻挡光的多个遮光部分，并且其中遮光部分具有阻挡不同量的光的多个区域。 通过使用这种类型的光掩模，即使在不平坦表面的顶部也可沉积基本平坦的光致抗蚀剂层，以制造薄膜晶体管阵列面板。 平坦的光致抗蚀剂膜降低了加工成本并提高了面板制造工艺的可靠性。