公开(公告)号：US08513705B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US12923126

申请日：2010-09-03

申请人： Jong-seob Kim ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Whang ,  Jai-kwang Shin

发明人： Jong-seob Kim ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Whang ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/207 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： Power electronic devices including 2-dimensional electron gas (2DEG) channels and methods of manufacturing the same. A power electronic device includes lower and upper material layers for forming a 2DEG channel, and a gate contacting an upper surface of the upper material layer. A region below the gate of the 2DEG channel is an off region where the density of a 2DEG is reduced or zero. The entire upper material layer may be continuous and may have a uniform thickness. A region of the upper material layer under the gate contains an impurity for reducing or eliminating a lattice constant difference between the lower and upper material layers.

摘要翻译： 包括二维电子气体（2DEG）通道的电力电子装置及其制造方法。 电力电子设备包括用于形成2DEG通道的下部和上部材料层，以及与上部材料层的上表面接触的栅极。 2DEG通道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的截止区域。 整个上部材料层可以是连续的并且可以具有均匀的厚度。 在栅极下方的上部材料层的区域包含用于减少或消除下部和上部材料层之间的晶格常数差的杂质。

公开(公告)号：US08487358B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12654349

申请日：2009-12-17

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254

摘要： Provided are spin field effect logic devices, the logic devices including: a gate electrode; a channel formed of a magnetic material above the gate electrode to selectively transmit spin-polarized electrons; a source on the channel; and a drain and an output electrode on the channel outputting electrons transmitted from the source. The gate electrode may control a magnetization state of the channel in order to selectively transmit the electrons injected from the source to the channel.

摘要翻译： 提供的是自旋场效应逻辑器件，逻辑器件包括：栅电极; 由栅电极上方的磁性材料形成的沟道，以选择性地透射自旋极化电子; 频道上的来源; 以及沟道上的漏极和输出电极，输出从源极发射的电子。 栅电极可以控制通道的磁化状态，以选择性地将从源引入的电子传输到通道。

公开(公告)号：US08480959B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US13065000

申请日：2011-05-02

申请人： Ki-ha Hong ,  Hyuk-soon Choi ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Hyuk-soon Choi ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： G01N27/04 ,  G01N30/62

CPC分类号： G01N29/036 ,  G01N2291/0257 ,  Y10S977/957

摘要： Provided is a chemical sensor that may include a first electrode on a substrate, a sensing member covering the first electrode on the substrate, and a plurality of second electrodes on a surface of the sensing member exposing the surface of the sensing member. The chemical sensor may be configured to measure the change in electrical characteristics when a compound to be sensed is adsorbed on the sensing member. Provided also is a chemical sensor array including an array of chemical sensors.

摘要翻译： 提供了一种化学传感器，其可以包括在基板上的第一电极，覆盖基板上的第一电极的感测构件和暴露感测构件的表面的感测构件的表面上的多个第二电极。 化学传感器可以被配置为当要感测的化合物吸附在感测构件上时测量电特性的变化。 还提供了包括化学传感器阵列的化学传感器阵列。

公开(公告)号：US20120086049A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13222322

申请日：2011-08-31

申请人： In-jun Hwang ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh

发明人： In-jun Hwang ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66462

摘要： According to an example embodiment, a high electron mobility transistor (HEMT) includes a substrate, a buffer layer on the substrate, a channel layer on the buffer layer, and a barrier structure on the channel layer. The buffer layer includes a 2-dimensional electron gas (2DEG). A polarization of the barrier structure varies in a region corresponding to a gate electrode. The HEMT further includes and the gate electrode, a source electrode, and a drain electrode on the barrier structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，高电子迁移率晶体管（HEMT）包括衬底，衬底上的缓冲层，缓冲层上的沟道层以及沟道层上的势垒结构。 缓冲层包括二维电子气（2DEG）。 势垒结构的极化在对应于栅电极的区域中变化。 HEMT还包括栅电极，源电极和屏障结构上的漏电极。

公开(公告)号：US20120037958A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US13208671

申请日：2011-08-12

申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462

摘要： According to an example embodiment, a power electronic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer on a first surface of the first semiconductor layer, and a source, a drain, and a gate on the second semiconductor layer. The source, drain and gate are separate from one another. The power electronic device further includes a 2-dimensional electron gas (2DEG) region at an interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first insulating layer on the gate and a second insulating layer adjacent to the first insulating layer. The first insulating layer has a first dielectric constant and the second insulating layer has a second dielectric constant less than the first dielectric constant.

摘要翻译： 根据示例性实施例，功率电子器件包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上的第二半导体层以及第二半导体层上的源极，漏极和栅极。 源极，漏极和栅极彼此分开。 电力电子设备还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的界面处的二维电子气体（2DEG）区域，栅极上的第一绝缘层和与第一绝缘层相邻的第二绝缘层。 第一绝缘层具有第一介电常数，第二绝缘层具有小于第一介电常数的第二介电常数。

公开(公告)号：US09443968B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US13096573

申请日：2011-04-28

申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： High electron mobility transistors (HEMTs) including lightly doped drain (LDD) regions and methods of manufacturing the same. A HEMT includes a source, a drain, a gate, a channel supplying layer for forming at least a 2-dimensional electron gas (2DEG) channel, and a channel formation layer in which at least the 2DEG channel is formed. The channel supplying layer includes a plurality of semiconductor layers having different polarizabilities. A portion of the channel supplying layer is recessed. One of the plurality of semiconductor layers, which is positioned below an uppermost layer is an etching buffer layer, as well as a channel supplying layer.

摘要翻译： 包括轻掺杂漏极（LDD）区域的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 HEMT包括源极，漏极，栅极，用于形成至少二维电子气（2DEG）沟道的沟道供应层，以及至少形成2DEG通道的沟道形成层。 通道供给层包括具有不同极化率的多个半导体层。 通道供应层的一部分凹进。 位于最上层下方的多个半导体层中的一个是蚀刻缓冲层，以及沟道供给层。

公开(公告)号：US09245947B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US13534730

申请日：2012-06-27

申请人： In-jun Hwang ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Jong-bong Ha ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Jai-kwang Shin

发明人： In-jun Hwang ,  Ki-ha Hong ,  Jae-joon Oh ,  Jong-bong Ha ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787

摘要： High electron mobility transistors (HEMTs) including a cavity below a drain and methods of manufacturing HEMTS including removing a portion of a substrate below a drain.

摘要翻译： 包括漏极下面的空穴的高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMTS的方法包括去除漏极下方的衬底的一部分。

公开(公告)号：US08921890B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13551217

申请日：2012-07-17

申请人： Hyuk-soon Choi ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-yong Um ,  Jae-joon Oh ,  Jong-bong Ha ,  In-jun Hwang ,  Ki-ha Hong

发明人： Hyuk-soon Choi ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-yong Um ,  Jae-joon Oh ,  Jong-bong Ha ,  In-jun Hwang ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L31/102

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734

摘要： According to example embodiments, a substrate structure may include a GaN-based third material layer, a GaN-based second material layer, a GaN-based first material layer, and a buffer layer on a non-GaN-based substrate. The GaN-based first material layer may be doped with a first conductive type impurity. The GaN-based second material layer may be doped with a second conductive type impurity at a density that is less than a density of the first conductive type impurity in the first GaN-based material layer. The GaN-based third material layer may be doped with a first conductive type impurity at a density that is less than the density of the first conductive type impurity of the GaN-based first material layer. After a second substrate is attached onto the substrate structure, the non-GaN-based substrate may be removed and a GaN-based vertical type semiconductor device may be fabricated on the second substrate.

摘要翻译： 根据示例实施例，衬底结构可以包括GaN基第三材料层，GaN基第二材料层，GaN基第一材料层和非GaN基衬底上的缓冲层。 GaN基第一材料层可以掺杂有第一导电类型的杂质。 GaN基第二材料层可以以小于第一GaN基材料层中的第一导电类型杂质的密度的密度掺杂第二导电型杂质。 GaN基第三材料层可以以比GaN基第一材料层的第一导电类型杂质的密度小的密度掺杂第一导电型杂质。 在将第二衬底附着到衬底结构上之后，可以去除非GaN基衬底，并且可以在第二衬底上制造GaN基垂直型半导体器件。

公开(公告)号：US20110212582A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US13017361

申请日：2011-01-31

申请人： Ki-ha Hong ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

发明人： Ki-ha Hong ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang

IPC分类号： H01L21/335

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A method of manufacturing a High Electron Mobility Transistor (HEMT) may include forming first and second material layers having different lattice constants on a substrate, forming a source, a drain, and a gate on the second material layer, and changing the second material layer between the gate and the drain into a different material layer, or changing a thickness of the second material layer, or forming a p-type semiconductor layer on the second material layer. The change in the second material layer may occur in an entire region of the second material layer between the gate and the drain, or only in a partial region of the second material layer adjacent to the gate. The p-type semiconductor layer may be formed on an entire top surface of the second material layer between the gate and the drain, or only on a partial region of the top surface adjacent to the gate.

摘要翻译： 制造高电子迁移率晶体管（HEMT）的方法可以包括在衬底上形成具有不同晶格常数的第一和第二材料层，在第二材料层上形成源极，漏极和栅极，以及改变第二材料层 在栅极和漏极之间形成不同的材料层，或改变第二材料层的厚度，或在第二材料层上形成p型半导体层。 第二材料层的变化可以在栅极和漏极之间的第二材料层的整个区域中发生，或者仅在与栅极相邻的第二材料层的部分区域中发生。 p型半导体层可以形成在栅极和漏极之间的第二材料层的整个顶表面上，或者仅形成在与栅极相邻的顶表面的部分区域上。

公开(公告)号：US08835985B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13208671

申请日：2011-08-12

申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462

摘要： According to an example embodiment, a power electronic device includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer on a first surface of the first semiconductor layer, and a source, a drain, and a gate on the second semiconductor layer. The source, drain and gate are separate from one another. The power electronic device further includes a 2-dimensional electron gas (2DEG) region at an interface between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, a first insulating layer on the gate and a second insulating layer adjacent to the first insulating layer. The first insulating layer has a first dielectric constant and the second insulating layer has a second dielectric constant less than the first dielectric constant.

摘要翻译： 根据示例性实施例，功率电子器件包括第一半导体层，第一半导体层的第一表面上的第二半导体层以及第二半导体层上的源极，漏极和栅极。 源极，漏极和栅极彼此分开。 电力电子设备还包括在第一半导体层和第二半导体层之间的界面处的二维电子气体（2DEG）区域，栅极上的第一绝缘层和与第一绝缘层相邻的第二绝缘层。 第一绝缘层具有第一介电常数，第二绝缘层具有小于第一介电常数的第二介电常数。