公开(公告)号：US08497703B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13080938

申请日：2011-04-06

申请人： Ho-jung Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Hyun-sik Choi

发明人： Ho-jung Kim ,  Jai-kwang Shin ,  Hyun-sik Choi

IPC分类号： G06F7/38

CPC分类号： H03K19/17752 ,  H03K19/17756

摘要： Example embodiments provide a reconfigurable logic device including at least two logic blocks having a first logic block and a second logic block, a global wire group including at least a plurality of first global wires connected to the first logic block and a plurality of second global wires connected to the second logic block, and a global controller including a plurality of first nonvolatile memory devices associated with at least one first global wire and one second global wire, the global controller configured to selectively couple the pluralities of first and second global wires based on first data stored in the associated first nonvolatile memory devices.

摘要翻译： 示例性实施例提供了一种可重新配置逻辑设备，其包括具有第一逻辑块和第二逻辑块的至少两个逻辑块，包括连接到第一逻辑块的至少多个第一全局线的全局线组和多个第二全局线 连接到第二逻辑块，以及全局控制器，其包括与至少一个第一全局线和一个第二全局线相关联的多个第一非易失性存储器件，所述全局控制器被配置为基于多个第一和第二全局线， 存储在相关联的第一非易失性存储器件中的第一数据。

公开(公告)号：US08604827B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13242060

申请日：2011-09-23

申请人： Hyung-su Jeong ,  Ho-jung Kim ,  Hyun-sik Choi

发明人： Hyung-su Jeong ,  Ho-jung Kim ,  Hyun-sik Choi

IPC分类号： H03K19/173

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  H03K19/1733

摘要： The logic circuit includes at least one variable resistance device configured such that a resistance value of the at least one variable resistance device varies according to at least one selected value. The selected value is selected from among a voltage and a current of an input signal, and the at least one variable resistance device is configured to memorize the resistance value. The logic circuit is configured to store multi-level data by setting the memorized resistance value.

摘要翻译： 逻辑电路包括至少一个可变电阻器件，其被配置为使得至少一个可变电阻器件的电阻值根据至少一个选定值而变化。 选择的值从输入信号的电压和电流中选择，并且至少一个可变电阻装置被配置为存储电阻值。 逻辑电路被配置为通过设置存储的电阻值来存储多电平数据。

公开(公告)号：US20120212255A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13242060

申请日：2011-09-23

申请人： Hyung-su Jeong ,  Ho-jung Kim ,  Hyun-sik Choi

发明人： Hyung-su Jeong ,  Ho-jung Kim ,  Hyun-sik Choi

IPC分类号： H03K19/173 ,  G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  H03K19/1733

摘要： The logic circuit includes at least one variable resistance device configured such that a resistance value of the at least one variable resistance device varies according to at least one selected value. The selected value is selected from among a voltage and a current of an input signal, and the at least one variable resistance device is configured to memorize the resistance value. The logic circuit is configured to store multi-level data by setting the memorized resistance value.

摘要翻译： 逻辑电路包括至少一个可变电阻器件，其被配置为使得至少一个可变电阻器件的电阻值根据至少一个选定值而变化。 选择的值从输入信号的电压和电流中选择，并且至少一个可变电阻装置被配置为存储电阻值。 逻辑电路被配置为通过设置存储的电阻值来存储多电平数据。

公开(公告)号：US08477055B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US13157730

申请日：2011-06-10

申请人： Hyun-sik Choi ,  Ho-jung Kim ,  Hyung-su Jeong

发明人： Hyun-sik Choi ,  Ho-jung Kim ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H03M1/66

CPC分类号： H03M1/1061 ,  G11C13/0002 ,  H03M1/808

摘要： A digital-to-analog converter (DAC) includes: a plurality of first controllers and a plurality of resistor devices. The plurality of first controllers are configured to be selectively switched on according to a received digital signal to control an analog signal according to the received digital signal. The plurality of resistor devices are respectively connected to the plurality of first controllers. The plurality of resistor devices include non-volatile memory devices.

摘要翻译： 数模转换器（DAC）包括：多个第一控制器和多个电阻器件。 多个第一控制器被配置为根据所接收的数字信号选择性地接通，以根据所接收的数字信号来控制模拟信号。 多个电阻器件分别连接到多个第一控制器。 多个电阻器件包括非易失性存储器件。

公开(公告)号：US20120133538A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13157730

申请日：2011-06-10

申请人： Hyun-sik Choi ,  Ho-jung Kim ,  Hyung-su Jeong

发明人： Hyun-sik Choi ,  Ho-jung Kim ,  Hyung-su Jeong

IPC分类号： H03M1/78

CPC分类号： H03M1/1061 ,  G11C13/0002 ,  H03M1/808

摘要： A digital-to-analog converter (DAC) includes: a plurality of first controllers and a plurality of resistor devices. The plurality of first controllers are configured to be selectively switched on according to a received digital signal to control an analog signal according to the received digital signal. The plurality of resistor devices are respectively connected to the plurality of first controllers. The plurality of resistor devices include non-volatile memory devices.

摘要翻译： 数模转换器（DAC）包括：多个第一控制器和多个电阻器件。 多个第一控制器被配置为根据所接收的数字信号选择性地接通，以根据所接收的数字信号来控制模拟信号。 多个电阻器件分别连接到多个第一控制器。 多个电阻器件包括非易失性存储器件。

公开(公告)号：US20110062448A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12923266

申请日：2010-09-13

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

摘要： Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing the same are provided, the field effect semiconductor devices include a second semiconductor layer on a first surface of a first semiconductor layer, a first and a second third semiconductor layer respectively on two sides of the second semiconductor layer, a source and a drain respectively on the first and second third semiconductor layer, and a gate electrode on a second surface of the first semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了场效应半导体器件及其制造方法，场效应半导体器件包括在第一半导体层的第一表面上的第二半导体层，以及分别在第二半导体层的两侧上的第一和第二第三半导体层 ，分别在第一和第二第三半导体层上的源极和漏极，以及在第一半导体层的第二表面上的栅电极。

公开(公告)号：US09450071B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US12923266

申请日：2010-09-13

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

摘要： Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing the same are provided, the field effect semiconductor devices include a second semiconductor layer on a first surface of a first semiconductor layer, a first and a second third semiconductor layer respectively on two sides of the second semiconductor layer, a source and a drain respectively on the first and second third semiconductor layer, and a gate electrode on a second surface of the first semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了场效应半导体器件及其制造方法，场效应半导体器件包括在第一半导体层的第一表面上的第二半导体层，以及分别在第二半导体层的两侧上的第一和第二第三半导体层 ，分别在第一和第二第三半导体层上的源极和漏极，以及在第一半导体层的第二表面上的栅电极。

公开(公告)号：US08509430B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12923375

申请日：2010-09-17

申请人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ho-jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H04L29/06

CPC分类号： G06F21/85 ,  G06F21/78 ,  G11C7/24 ,  G11C11/005 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0059 ,  G11C14/009

摘要： A storage device may include a storage unit that stores data transmitted via a plurality of first wires; and a security control unit that controls connection between each of a plurality of second wires connected to an external device and each of the plurality of first wires by programming a plurality of switching devices according to an encryption key.

摘要翻译： 存储装置可以包括：存储单元，存储经由多条第一布线发送的数据; 以及安全控制单元，其通过根据加密密钥对多个交换设备进行编程来控制连接到外部设备的多个第二线路中的每一个与所述多条第一线路中的每一条线路之间的连接。

公开(公告)号：US09118795B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US12805723

申请日：2010-08-17

申请人： Ho-jung Kim ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon

发明人： Ho-jung Kim ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-il Kim ,  I-hun Song ,  Chang-jung Kim ,  Sang-hun Jeon

IPC分类号： H01J27/00 ,  H04N9/04 ,  H04N5/3745 ,  H01L27/146

CPC分类号： H04N9/045 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745

摘要： Image sensors and methods of operating the same. An image sensor includes a pixel array including a plurality of pixels. Each of the plurality of pixels includes a photo sensor, the voltage-current characteristics of which vary according to energy of incident light, and that generates a sense current determined by the energy of the incident light; a reset unit that is activated to generate a reference current, according to a reset signal for resetting at least one of the plurality of pixels; and a conversion unit that converts the sense current and the reference current into a sense voltage and a reference voltage, respectively.

摘要翻译： 图像传感器及其操作方法。 图像传感器包括包括多个像素的像素阵列。 多个像素中的每一个包括光电传感器，其电压 - 电流特性根据入射光的能量而变化，并且产生由入射光的能量确定的感测电流; 根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号，被激活以产生参考电流的复位单元; 以及转换单元，其将感测电流和参考电流分别转换为感测电压和参考电压。

公开(公告)号：US08638163B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13550848

申请日：2012-07-17

申请人： Ho-jung Kim ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ho-jung Kim ,  U-in Chung ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： G05F1/10

CPC分类号： H01L29/78684 ,  G11C29/12005

摘要： A semiconductor device and a method of operating the semiconductor device. The semiconductor device includes a voltage generator configured to generate a test voltage, a graphene transistor configured to receive a gate-source voltage based on the test voltage, and a detector configured to detect whether the gate-source voltage is a Dirac voltage of the graphene transistor, and output a feedback signal applied to the voltage generator indicating whether the gate-source voltage is the Dirac voltage.

摘要翻译： 一种半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件包括被配置为产生测试电压的电压发生器，被配置为基于测试电压接收栅极 - 源极电压的石墨烯晶体管，以及检测器，被配置为检测栅极 - 源极电压是否为石墨烯的狄拉克电压 并输出施加到电压发生器的反馈信号，指示栅极 - 源极电压是否为狄拉克电压。