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    Pattern forming method, pattern, chemical amplification resist composition and resist film
    13.
    发明授权
    Pattern forming method, pattern, chemical amplification resist composition and resist film 有权
    图案形成方法，图案，化学放大抗蚀剂组合物和抗蚀剂膜

    公开(公告)号：US08808965B2

    公开(公告)日：2014-08-19

    申请号：US13522147

    申请日：2011-01-13

    申请人： Kaoru Iwato ,  Shinji Tarutani ,  Yuichiro Enomoto ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato

    发明人： Kaoru Iwato ,  Shinji Tarutani ,  Yuichiro Enomoto ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128 ,  Y10T428/24802

    摘要： A pattern forming method comprising (i) a step of forming a film from a chemical amplification resist composition (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the chemical amplification resist composition contains (A) a resin containing a repeating unit having two or more hydroxyl groups, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (C) a crosslinking agent and (D) a solvent; a pattern formed by the pattern forming method; a chemical amplification resist composition used in the pattern forming method; and a resist film formed using the chemical amplification resist composition.

    摘要翻译： 一种图案形成方法，包括（i）从化学放大抗蚀剂组合物形成膜的步骤（ii）暴露所述膜的步骤，和（iii）通过使用含有机溶剂的显影剂显影所述曝光的膜的步骤， 其中，所述化学增幅抗蚀剂组合物含有（A）含有具有2个以上羟基的重复单元的树脂，（B）能够在光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，（C）交联剂和（ D）溶剂; 由图案形成方法形成的图案; 在图案形成方法中使用的化学放大抗蚀剂组合物; 以及使用该化学放大抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂膜。

    PATTERN FORMING METHOD, PATTERN, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM
    14.
    发明申请
    PATTERN FORMING METHOD, PATTERN, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM 有权
    图案形成方法，图案，化学放大电阻组合物和电阻膜

    公开(公告)号：US20120288691A1

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：US13522147

    申请日：2011-01-13

    申请人： Kaoru Iwato ,  Shinji Tarutani ,  Yuichiro Enomoto ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato

    发明人： Kaoru Iwato ,  Shinji Tarutani ,  Yuichiro Enomoto ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/075 ,  B32B3/10 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/128 ,  Y10T428/24802

    摘要： A pattern forming method comprising (i) a step of forming a film from a chemical amplification resist composition (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the chemical amplification resist composition contains (A) a resin containing a repeating unit having two or more hydroxyl groups, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (C) a crosslinking agent and (D) a solvent; a pattern formed by the pattern forming method; a chemical amplification resist composition used in the pattern forming method; and a resist film formed using the chemical amplification resist composition.

    摘要翻译： 一种图案形成方法，包括（i）从化学放大抗蚀剂组合物形成膜的步骤（ii）暴露所述膜的步骤，和（iii）通过使用含有机溶剂的显影剂显影所述曝光的膜的步骤， 其中，所述化学增幅抗蚀剂组合物含有（A）含有具有2个以上羟基的重复单元的树脂，（B）能够在光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，（C）交联剂和（ D）溶剂; 由图案形成方法形成的图案; 在图案形成方法中使用的化学放大抗蚀剂组合物; 以及使用该化学放大抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂膜。

    PATTERN FORMING METHOD, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM
    15.
    发明申请
    PATTERN FORMING METHOD, CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST COMPOSITION AND RESIST FILM 有权
    图案形成方法，化学放大电阻组合物和电阻膜

    公开(公告)号：US20120148957A1

    公开(公告)日：2012-06-14

    申请号：US13390847

    申请日：2010-10-05

    申请人： Yuichiro Enomoto ,  Sou Kamimura ,  Shinji Tarutani ,  Keita Kato ,  Kaoru Iwato

    发明人： Yuichiro Enomoto ,  Sou Kamimura ,  Shinji Tarutani ,  Keita Kato ,  Kaoru Iwato

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/075 ,  G03F7/004

    CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/325 ,  G03F7/327 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

    摘要： A pattern forming method includes: (i) forming a film from a chemical amplification resist composition; (ii) exposing the film, so as to form an exposed film; and (iii) developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the chemical amplification resist composition contains: (A) a resin substantially insoluble in alkali; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; (C) a crosslinking agent; and (D) a solvent, a negative chemical amplification resist composition used in the method, and a resist film formed from the negative chemical amplification resist composition.

    摘要翻译： 图案形成方法包括：（i）从化学放大抗蚀剂组合物形成膜; （ii）使膜曝光，形成曝光膜; 和（iii）通过使用含有机溶剂的显影剂显影所述曝光的膜，其中所述化学增幅抗蚀剂组合物含有：（A）基本上不溶于碱的树脂; （B）能够在用光化射线或辐射照射时能产生酸的化合物; （C）交联剂; 和（D）本方法中使用的溶剂，负性化学增幅抗蚀剂组合物和由负极化学增幅抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂膜。

    PATTERN FORMING METHOD AND ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSTIVE RESIN COMPOSITION
    17.
    发明申请
    PATTERN FORMING METHOD AND ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSTIVE RESIN COMPOSITION 有权
    图案形成方法和丙烯酰胺或辐射敏感性树脂组合物

    公开(公告)号：US20130040096A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13642751

    申请日：2011-05-20

    申请人： Kaoru Iwato ,  Hidenori Takahashi ,  Shuji Hirano ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato

    发明人： Kaoru Iwato ,  Hidenori Takahashi ,  Shuji Hirano ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato

    IPC分类号： G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24

    摘要： Provided is a method of forming a pattern and an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition that excels in the limiting resolving power, roughness characteristics, exposure latitude (EL) and bridge defect performance. The method of forming a pattern includes (1) forming an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition into a film, (2) exposing the film to light, and (3) developing the exposed film with a developer containing an organic solvent. The actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition contains (A) a resin containing a repeating unit with a structural moiety that is configured to decompose when exposed to actinic rays or radiation to thereby generate an acid, and (B) a solvent.

    摘要翻译： 提供了形成极限分辨能力，粗糙度特性，曝光宽容度（EL）和桥梁缺陷性能优异的图案和光化射线或辐射敏感性树脂组合物的方法。 形成图案的方法包括（1）将光化学射线或辐射敏感性树脂组合物形成膜，（2）将膜曝光，和（3）用含有机溶剂的显影剂显影曝光膜 。 所述光化学射线或辐射敏感性树脂组合物含有（A）含有具有结构部分的重复单元的树脂，所述结构部分被配置为当暴露于光化射线或辐射时分解从而产生酸，和（B）溶剂。