公开(公告)号：US09709892B2

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：US13637269

申请日：2011-03-25

申请人： Shohei Kataoka ,  Kaoru Iwato ,  Sou Kamimura ,  Toru Tsuchihashi ,  Yuichiro Enomoto ,  Kana Fujii ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shinji Tarutani ,  Keita Kato

发明人： Shohei Kataoka ,  Kaoru Iwato ,  Sou Kamimura ,  Toru Tsuchihashi ,  Yuichiro Enomoto ,  Kana Fujii ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Shinji Tarutani ,  Keita Kato

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  C08F232/08

CPC分类号： G03F7/30 ,  C08F220/28 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  Y10T428/24802

摘要： Provided is an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition and a method of forming a pattern using the same, ensuring excellent the etching resistivity and the stability during a post-exposure delay (PED) period. The composition contains a resin containing a repeating unit containing a group that is decomposed when acted on by an acid to thereby produce an alcoholic hydroxyl group, and a compound that generates an acid of pKa≧−1.5 when exposed to actinic rays or radiation.

公开(公告)号：US09551935B2

公开(公告)日：2017-01-24

申请号：US13636965

申请日：2011-03-25

申请人： Keita Kato ,  Shinji Tarutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Sou Kamimura ,  Yuichiro Enomoto ,  Kana Fujii ,  Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Kazuyoshi Mizutani

发明人： Keita Kato ,  Shinji Tarutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Sou Kamimura ,  Yuichiro Enomoto ,  Kana Fujii ,  Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Kazuyoshi Mizutani

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2041 ,  Y10T428/24

摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent exposure latitude (EL) and focus latitude (depth of focus DOF). The method of forming a pattern includes (A) forming a film from a resist composition, the resist composition, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent, thereby forming a negative pattern. The resist composition contains (a) a resin that is configured to decompose when acted on by an acid and ΔSP thereof represented by formula (1) below is 2.5 (MPa)1/2 or above, (b) a compound that is composed to generate an acid when exposed to actinic rays or radiation, and (c) a solvent. ΔSP=SPF−SPI  (1)

摘要翻译： 提供了一种形成图案的方法，确保优异的曝光宽容度（EL）和聚焦纬度（焦深DOF）。 形成图案的方法包括（A）从抗蚀剂组合物形成膜，抗蚀剂组合物，（B）将膜曝光，和（C）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜，从而形成 负面模式。 抗蚀剂组合物含有（a）在被酸作用时被分解的树脂，由下式（1）表示的＆Dgr; SP为2.5（MPa）1/2以上，（b） 被组合以在暴露于光化射线或辐射时产生酸，和（c）溶剂。 ＆Dgr; SP = SPF-SPI（1）

公开(公告)号：US09223219B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13521164

申请日：2011-01-07

申请人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Kaoru Iwato ,  Keita Kato ,  Akinori Shibuya

发明人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Kaoru Iwato ,  Keita Kato ,  Akinori Shibuya

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041

摘要： Provided is a pattern forming method comprising (i) a step of forming a film from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using an organic solvent-containing developer, wherein the actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises (A) a resin capable of decreasing the solubility for an organic solvent-containing developer by the action of an acid, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (D) a solvent, and (G) a compound having at least either one of a fluorine atom and a silicon atom and having basicity or being capable of increasing the basicity by the action of an acid.

摘要翻译： 提供了一种图案形成方法，其包括（i）从光化射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物形成膜的步骤，（ii）曝光所述膜的步骤，和（iii）使所述曝光膜显影的步骤 通过使用含有机溶剂的显影剂，其中所述光化学射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物包含（A）能够通过酸的作用降低对含有机溶剂的显影剂的溶解度的树脂，（B） 能够在用光化学射线或辐射照射时产生酸的化合物，（D）溶剂，和（G）具有氟原子和硅原子中的至少一个并具有碱性或能够增加碱度的化合物 通过酸的作用。

公开(公告)号：US09097973B2

公开(公告)日：2015-08-04

申请号：US13172273

申请日：2011-06-29

申请人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Kaoru Iwato ,  Keita Kato ,  Kana Fujii

发明人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Kaoru Iwato ,  Keita Kato ,  Kana Fujii

IPC分类号： G03F7/42 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/422

摘要： Provided is a method of forming a pattern, including (a) forming a chemically amplified resist composition into a film, (b) exposing the film to light, and (c) developing the exposed film with a developer containing an organic solvent, wherein the developer contains an alcohol compound (X) at a content of 0 to less than 500 ppm based on the total mass of the developer.

摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，包括（a）将化学放大的抗蚀剂组合物形成为膜，（b）将膜曝光，和（c）用含有机溶剂的显影剂显影曝光的膜，其中 显影剂含有基于显影剂总质量为0至小于500ppm的醇化合物（X）。

公开(公告)号：US09086623B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13598087

申请日：2012-08-29

申请人： Keita Kato ,  Atsushi Nakamura

发明人： Keita Kato ,  Atsushi Nakamura

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  C08F220/10 ,  C08F212/08 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C2602/14 ,  C07C2603/56 ,  C07C2603/74 ,  C08F212/08 ,  C08F220/10 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  Y10S430/114

摘要： Provided is a method of forming a pattern, including forming an actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition into a film, the actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition including a resin (A) including a repeating unit containing a group that when acted on by an acid, is decomposed to thereby produce a polar group and including an aromatic group, which resin when acted on by an acid, decreases its solubility in an organic solvent, a nonionic compound (B) that when exposed to actinic rays or radiation, generates an acid and a solvent (C), exposing the film to actinic rays or radiation, and developing the exposed film with a developer including an organic solvent to thereby form a negative pattern.

摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，包括将光敏射线或辐射敏感性树脂组合物形成在膜中，所述光化学射线或辐射敏感性树脂组合物包括含有包含基团的重复单元的树脂（A） 当被酸作用时，其被分解，从而产生极性基团并且包括芳族基团，该树脂在被酸作用时降低其在有机溶剂中的溶解度，当暴露于光化反应时的非离子化合物（B） 产生酸和溶剂（C），将膜暴露于光化射线或辐射，并用包含有机溶剂的显影剂显影曝光的膜，从而形成负图案。

公开(公告)号：US20130113082A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13808496

申请日：2011-08-26

申请人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato ,  Kana Fujii

发明人： Yuichiro Enomoto ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato ,  Kana Fujii

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/20 ,  H01L29/02

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L29/02

摘要： Provided is a method of forming a pattern, including (a) forming a chemically amplified resist composition into a film, (b) exposing the film to light, (c) developing the exposed film with a developer containing an organic solvent, and (d) rinsing the developed film with a rinse liquid containing an organic solvent, which rinse liquid has a specific gravity larger than that of the developer.

摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，包括（a）将化学放大的抗蚀剂组合物形成为膜，（b）使膜暴露于光，（c）用含有机溶剂的显影剂显影曝光的膜，和（d ）用含有有机溶剂的漂洗液冲洗显影的膜，冲洗液的比重大于显影剂的比重。

公开(公告)号：US20130011785A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13636965

申请日：2011-03-25

申请人： Keita Kato ,  Shinji Tarutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Sou Kamimura ,  Yuichiro Enomoto ,  Kana Fujii ,  Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Kazuyoshi Mizutani

发明人： Keita Kato ,  Shinji Tarutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Sou Kamimura ,  Yuichiro Enomoto ,  Kana Fujii ,  Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Kazuyoshi Mizutani

IPC分类号： G03F7/004 ,  H01L29/02 ,  B32B3/10 ,  G03F7/20 ,  G03F7/075

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2041 ,  Y10T428/24

摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent exposure latitude (EL) and focus latitude (depth of focus DOF). The method of forming a pattern includes (A) forming a film from a resist composition, the resist composition, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent, thereby forming a negative pattern. The resist composition contains (a) a resin that is configured to decompose when acted on by an acid and ΔSP thereof represented by formula (1) below is 2.5 (MPa)1/2 or above, (b) a compound that is composed to generate an acid when exposed to actinic rays or radiation, and (c) a solvent. ΔSP=SPF−SPI  (1)

摘要翻译： 提供了一种形成图案的方法，确保优异的曝光宽容度（EL）和聚焦纬度（焦深DOF）。 形成图案的方法包括（A）从抗蚀剂组合物形成膜，抗蚀剂组合物，（B）将膜曝光，和（C）使用含有有机溶剂的显影剂显影曝光膜，从而形成 负面模式。 抗蚀剂组合物含有（a）在被酸作用时被分解的树脂，由下式（1）表示的＆Dgr; SP为2.5（MPa）1/2以上，（b） 被组合以在暴露于光化射线或辐射时产生酸，和（c）溶剂。 ＆Dgr; SP = SPF-SPI（1）

公开(公告)号：US20120322007A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13579733

申请日：2011-02-18

申请人： Keita Kato ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Yuichiro Enomoto ,  Kaoru Iwato

发明人： Keita Kato ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Yuichiro Enomoto ,  Kaoru Iwato

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/325

摘要： A pattern forming method comprising (i) a step of forming a film from a chemical amplification resist composition, (ii) a step of exposing the film, and (iii) a step of developing the exposed film by using a developer containing an organic solvent, wherein the resist composition contains (A) a resin, (B) a compound capable of generating a specific acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (C) a crosslinking agent, and (D) a solvent.

摘要翻译： 一种图案形成方法，包括（i）从化学放大抗蚀剂组合物形成膜的步骤，（ii）曝光所述膜的步骤，以及（iii）通过使用含有有机溶剂的显影剂使所述曝光膜显影的步骤 其中，抗蚀剂组合物含有（A）树脂，（B）能够在光化射线或辐射照射时能够产生特定酸的化合物，（C）交联剂和（D）溶剂。

公开(公告)号：US20120052449A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13216903

申请日：2011-08-24

申请人： Keita KATO ,  Sou KAMIMURA ,  Yuichiro ENOMOTO ,  Kaoru IWATO ,  Shohei KATAOKA ,  Shoichi SAITOH

发明人： Keita KATO ,  Sou KAMIMURA ,  Yuichiro ENOMOTO ,  Kaoru IWATO ,  Shohei KATAOKA ,  Shoichi SAITOH

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

摘要： Provided is a method of forming pattern including (a) forming a chemically amplified resist composition into a film, (b) exposing the film to light, and (c) developing the exposed film with a developer containing a first organic solvent, wherein in the developer, particles each having a diameter of 0.3 μm or greater amount to a density of 30 particles/ml or less.

摘要翻译： 提供一种形成图案的方法，包括（a）将化学放大的抗蚀剂组合物形成在膜中，（b）将膜曝光，和（c）用含有第一有机溶剂的显影剂显影曝光的膜，其中在 显影剂，每个具有0.3μm或更大直径的颗粒的密度为30个/ ml或更小。

公开(公告)号：US10126653B2

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：US13580921

申请日：2011-02-24

申请人： Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato ,  Yuichiro Enomoto ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Kana Fujii

发明人： Kaoru Iwato ,  Shohei Kataoka ,  Shinji Tarutani ,  Sou Kamimura ,  Keita Kato ,  Yuichiro Enomoto ,  Kazuyoshi Mizutani ,  Toru Tsuchihashi ,  Kana Fujii

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  G03F7/075 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

摘要： Provided is a method of forming a pattern, ensuring excellent sensitivity, limiting resolving power, roughness characteristic, exposure latitude (EL), dependence on post-exposure bake (PEB) temperature and focus latitude (depth of focus DOF), and a resist composition for use in the method. The method comprises (A) forming a film from a resist composition comprising a resin containing a repeating unit containing a group that is decomposed when acted on by an acid to thereby produce an alcoholic hydroxyl group, which resin thus when acted on by an acid decreases its solubility in a developer containing an organic solvent, (B) exposing the film to light, and (C) developing the exposed film using a developer containing an organic solvent.