公开(公告)号：US06355075B1

公开(公告)日：2002-03-12

申请号：US09502336

申请日：2000-02-11

申请人： Katsuyoshi Ina ,  W. Scott Rader ,  David M. Shemo ,  Tetsuji Hori

发明人： Katsuyoshi Ina ,  W. Scott Rader ,  David M. Shemo ,  Tetsuji Hori

IPC分类号： C09K314

CPC分类号： C09G1/02

摘要： A polishing composition comprising an abrasive, an anticorrosive, an oxidizing agent, an acid, a pH regulator and water and having a pH within a range of from 2 to 5, wherein the abrasive is colloidal silica or fumed silica, and its primary particle size is at most 20 nm.

摘要翻译： 一种抛光组合物，其包含研磨剂，防腐蚀剂，氧化剂，酸，pH调节剂和水，并且pH在2至5的范围内，其中所述研磨剂是胶体二氧化硅或热解法二氧化硅，其初级粒度 至多为20nm。

公开(公告)号：US6139763A

公开(公告)日：2000-10-31

申请号：US451778

申请日：1999-12-01

申请人： Katsuyoshi Ina ,  Tadahiro Kitamura ,  Tomohide Kamiya ,  Satoshi Suzumura

发明人： Katsuyoshi Ina ,  Tadahiro Kitamura ,  Tomohide Kamiya ,  Satoshi Suzumura

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： A polishing composition comprising the following components:(a) an abrasive,(b) an oxidizing agent capable of oxidizing tantalum,(c) a reducing agent capable of reducing tantalum oxide, and(d) water.

摘要翻译： 一种抛光组合物，其包含以下组分：（a）研磨剂，（b）能够氧化钽的氧化剂，（c）能够还原氧化钽的还原剂和（d）水。

公开(公告)号：US06428721B1

公开(公告)日：2002-08-06

申请号：US09564546

申请日：2000-05-04

申请人： Katsuyoshi Ina ,  Tadahiro Kitamura ,  Satoshi Suzumura

发明人： Katsuyoshi Ina ,  Tadahiro Kitamura ,  Satoshi Suzumura

IPC分类号： C09K1306

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： A polishing composition comprising the following components: (a) an abrasive, (b) &agr;-alanine, (c) hydrogen peroxide, and (d) water.

摘要翻译： 一种抛光组合物，其包含以下组分：（a）研磨剂，（b）α-丙氨酸，（c）过氧化氢和（d）水。

公开(公告)号：US6132939A

公开(公告)日：2000-10-17

申请号：US131698

申请日：1998-08-10

申请人： Katsuyoshi Ina

发明人： Katsuyoshi Ina

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/092 ,  G03F7/0045

摘要： A method for forming a resist pattern comprising the steps of: exposing a chemically amplified resist film by use of a mask having a given pattern; forming a protective film made of a paraffin having a melting point of not higher than 10.degree. C. and a boiling point of not lower than 50.degree. C. on the surface of the chemically amplified resist film before or after exposing the chemically amplified resist film; and forming the given pattern in the chemically amplified resist film by developing.

摘要翻译： 一种形成抗蚀剂图案的方法，包括以下步骤：通过使用具有给定图案的掩模曝光化学放大的抗蚀剂膜; 在化学放大抗蚀剂膜暴露之前或之后，在化学放大抗蚀剂膜的表面上形成熔点不高于10℃，沸点不低于50℃的石蜡保护膜 ; 并通过显影在化学放大抗蚀剂膜中形成给定的图案。

公开(公告)号：US06315803B1

公开(公告)日：2001-11-13

申请号：US09452384

申请日：1999-12-01

申请人： Katsuyoshi Ina ,  Tadahiro Kitamura

发明人： Katsuyoshi Ina ,  Tadahiro Kitamura

IPC分类号： C23F118

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： Object: To provide a polishing composition which is capable of polishing a tantalum-containing compound at a high stock removal rate and whereby the copper surface after polishing is scarcely corroded, and to provide a polishing process where dishing can be minimized. Means to accomplish the object: A polishing composition comprising an abrasive, oxalic acid, an ethylenediamine derivative, a benzotriazole derivative and water and not containing an oxidizing agent, and a polishing composition comprising an abrasive, oxalic acid, an ethylenediamine derivative, a benzotriazole derivative, water and hydrogen peroxide. Further, a polishing process for forming a copper printed wiring, which is a polishing process for a semiconductor device and which comprises a first polishing step wherein polishing is completed immediately before reaching a barrier layer while a copper layer still slightly remains, and second and third polishing steps wherein the remaining copper layer and the barrier layer are polished, wherein in the second polishing step, a polishing composition containing hydrogen peroxide is used and all the copper layer to be removed, is removed by polishing, and then, in the third polishing step, a polishing composition not containing hydrogen peroxide is used and all the barrier layer to be removed, is removed by polishing.

摘要翻译： 对象物：提供一种抛光组合物，该抛光组合物能够以较高的原料去除速率抛光含钽化合物，并且由此抛光后的铜表面几乎不被腐蚀，并提供可以最小化凹陷的抛光工艺。 实现该目的的手段：包含磨料，草酸，乙二胺衍生物，苯并三唑衍生物和水，不含氧化剂的抛光组合物，以及包含研磨剂，草酸，乙二胺衍生物，苯并三唑衍生物 ，水和过氧化氢。此外，作为用于半导体器件的抛光工艺的铜印刷布线的抛光工艺，其包括第一抛光步骤，其中抛光在到达阻挡层之前完成，同时铜层仍然稍微 剩下的第二和第三抛光步骤，其中抛光剩余的铜层和阻挡层，其中在第二抛光步骤中，使用含有过氧化氢的抛光组合物，并且通过抛光去除所有要除去的铜层，以及 那么在第三抛光步骤中，不含有氢的抛光组合物 使用xide并且要去除的所有阻挡层通过抛光去除。

公开(公告)号：US06248144B1

公开(公告)日：2001-06-19

申请号：US09616974

申请日：2000-07-14

申请人： Kazusei Tamai ,  Katsuyoshi Ina

发明人： Kazusei Tamai ,  Katsuyoshi Ina

IPC分类号： C01B33141

CPC分类号： C09G1/02 ,  B01F3/1214 ,  B01F2003/125 ,  B01F2215/0045 ,  H01L21/30625

摘要： A process for producing a polishing composition, which comprises preliminarily adjusting water to pH 2-4, adding from 40 to 60 wt % of fumed silica to the water under high shearing force, adding water to lower the viscosity to 2-10000 cps, stirring the mixture under low shearing force for at least 5 minutes, adding water to lower the fumed silica concentration to 10-38 wt %, and adding a basic substance under vigorous stirring to raise the pH to 9-12.

摘要翻译： 一种抛光组合物的制造方法，其特征在于，将水预先调节至pH2〜2-4，在高剪切力下，向水中添加40〜60重量％的热解法二氧化硅，加入水使粘度降至2-10000cps，搅拌 该混合物在低剪切力下至少5分钟，加入水以将煅制二氧化硅浓度降低至10-38重量％，并在剧烈搅拌下加入碱性物质以将pH升高至9-12。