公开(公告)号：US20110150406A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12929970

申请日：2011-02-28

申请人： Su Hwan Oh ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

发明人： Su Hwan Oh ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B2006/121 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

摘要： Provided are a reflective semiconductor optical amplifier (R-SOA) and a superluminescent diode (SLD). The R-SOA includes: a substrate; an optical waveguide including a lower clad layer, an active layer independent of the polarization of light, and an upper clad layer sequentially stacked on the substrate, the optical waveguide comprising linear, curved, and tapered waveguide areas; and a current blocking layer formed around the optical waveguide to block a flow of current out of the active layer, wherein the linear and curved waveguide areas have a single buried hetero (BH) structure, and the tapered waveguide area has a dual BH structure.

摘要翻译： 提供了反射半导体光放大器（R-SOA）和超发光二极管（SLD）。 R-SOA包括：基板; 包括下包层，独立于光的偏振的有源层和顺序地堆叠在基板上的上包层的光波导，所述光波导包括线性，弯曲和锥形的波导区域; 以及形成在所述光波导周围的电流阻挡层，以阻挡所述有源层中的电流流动，其中所述线性和弯曲波导区域具有单个埋入异质（BH）结构，并且所述锥形波导区域具有双BH结构。

公开(公告)号：US20080137180A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11924772

申请日：2007-10-26

申请人： Su Hwan OH ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

发明人： Su Hwan OH ,  Sahnggi Park ,  Yongsoon Baek ,  Kwang-Ryong Oh

IPC分类号： H01S3/00 ,  G02B6/10 ,  H01L33/00

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B2006/121 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/227 ,  H01S5/50

摘要： Provided are a reflective semiconductor optical amplifier (R-SOA) and a superluminescent diode (SLD). The R-SOA includes: a substrate; an optical waveguide including a lower clad layer, an active layer independent of the polarization of light, and an upper clad layer sequentially stacked on the substrate, the optical waveguide comprising linear, curved, and tapered waveguide areas; and a current blocking layer formed around the optical waveguide to block a flow of current out of the active layer, wherein the linear and curved waveguide areas have a single buried hetero (BH) structure, and the tapered waveguide area has a dual BH structure.

摘要翻译： 提供了反射半导体光放大器（R-SOA）和超发光二极管（SLD）。 R-SOA包括：基板; 包括下包层，独立于光的偏振的有源层和顺序地堆叠在基板上的上包层的光波导，所述光波导包括线性，弯曲和锥形的波导区域; 以及形成在所述光波导周围的电流阻挡层，以阻挡所述有源层中的电流流动，其中所述线性和弯曲波导区域具有单个埋入异质（BH）结构，并且所述锥形波导区域具有双BH结构。

公开(公告)号：US20050141571A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10923834

申请日：2004-08-24

申请人： Sahnggi Park ,  Moon Park ,  Ki Kim ,  Su Oh ,  Ji Lee ,  Chul Lee

发明人： Sahnggi Park ,  Moon Park ,  Ki Kim ,  Su Oh ,  Ji Lee ,  Chul Lee

IPC分类号： H01S5/125 ,  H01S3/10 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0625

CPC分类号： H01S5/06256 ,  H01S5/0425

摘要： Provided is a coherent tuning apparatus capable of continuously tuning wavelength of light over a wide band of wavelength at high speed and outputting high power, the apparatus including an optical waveguide through which spatially coherent light passes, an electrode array for changing a direction of the light passing through the optical waveguide by applying electric field or current to a portion of the optical waveguide, and a wavelength selection optical element unit for selecting a specific wavelength of the light.

摘要翻译： 提供一种相干调谐装置，其能够以高速连续地调整宽波长波长的光的波长并输出高功率，该装置包括空间相干光通过的光波导，用于改变光的方向的电极阵列 通过对光波导施加电场或电流通过光波导，以及用于选择光的特定波长的波长选择光学元件单元。