公开(公告)号：US07687857B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11957013

申请日：2007-12-14

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/0653 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

摘要： Integrated circuits and methods of forming field effect transistors are disclosed. In one aspect, an integrated circuit includes a semiconductor substrate comprising bulk semiconductive material. Electrically insulative material is received within the bulk semiconductive material. Semiconductor material is formed on the insulative material. A field effect transistor is included and comprises a gate, a channel region, and a pair of source/drain regions. In one implementation, one of the source/drain regions is formed in the semiconductor material, and the other of the source/drain regions is formed in the bulk semiconductive material. In one implementation, the electrically insulative material extends from beneath one of the source/drain regions to beneath only a portion of the channel region. Other aspects and implementations, including methodical aspects, are disclosed.

摘要翻译： 公开了形成场效应晶体管的集成电路和方法。 在一个方面，集成电路包括包括本体半导体材料的半导体衬底。 电绝缘材料容纳在本体半导体材料内。 在绝缘材料上形成半导体材料。 包括场效应晶体管，并包括栅极，沟道区和一对源极/漏极区。 在一个实施方案中，源/漏区中的一个形成在半导体材料中，并且源/漏区中的另一个在体半导体材料中形成。 在一个实施方案中，电绝缘材料从源极/漏极区域之一延伸到仅沟道区域的仅一部分的下方。 公开了其他方面和实施方式，包括方法方面。

公开(公告)号：US20080050885A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11508047

申请日：2006-08-22

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： There is provided a system and method for fabricating a fin field effect transistor. More specifically, in one embodiment, there is provided a method comprising depositing a layer of nitride on a substrate, applying a photolithographic mask on the layer of nitride to define a location of a wall, etching the layer of nitride to create the wall, removing the photolithographic mask, depositing a spacer layer adjacent to the wall, etching the spacer layer to create a spacer adjacent to the wall, wherein the spacer and the wall cover a first portion of the substrate, and etching a second portion of the substrate not covered by the spacer to create a trench.

摘要翻译： 提供了制造鳍式场效应晶体管的系统和方法。 更具体地，在一个实施例中，提供了一种方法，包括在衬底上沉积氮化物层，在氮化层上施加光刻掩模以限定壁的位置，蚀刻氮化物层以产生壁，去除 光刻掩模，在壁附近沉积间隔层，蚀刻间隔层以产生邻近壁的隔离物，其中间隔物和壁覆盖基底的第一部分，并蚀刻未被覆盖的基底的第二部分 通过间隔件形成沟槽。

公开(公告)号：US08748280B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13324520

申请日：2011-12-13

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： There is provided fin methods for fabricating fin structures. More specifically, fin structures are formed in a substrate. The fin structures may include two fins separated by a channel, wherein the fins may be employed as fins of a field effect transistor. The fin structures are formed below the upper surface of the substrate, and may be formed without utilizing a photolithographic mask to etch the fins.

摘要翻译： 提供了用于制造翅片结构的翅片方法。 更具体地，翅片结构形成在基板中。 翅片结构可以包括由通道分开的两个翅片，其中翅片可以用作场效应晶体管的翅片。 翅片结构形成在衬底的上表面下方，并且可以在不利用光刻掩模来形成以蚀刻鳍片的情况下形成。

公开(公告)号：US20120088349A1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：US13324520

申请日：2011-12-13

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： There is provided fin methods for fabricating fin structures. More specifically, fin structures are formed in a substrate. The fin structures may include two fins separated by a channel, wherein the fins may be employed as fins of a field effect transistor. The fin structures are formed below the upper surface of the substrate, and may be formed without utilizing a photolithographic mask to etch the fins.

摘要翻译： 提供了用于制造翅片结构的翅片方法。 更具体地，翅片结构形成在基板中。 翅片结构可以包括由通道分开的两个翅片，其中翅片可以用作场效应晶体管的翅片。 翅片结构形成在衬底的上表面下方，并且可以在不利用光刻掩模来形成以蚀刻鳍片的情况下形成。

公开(公告)号：US20110171802A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13071979

申请日：2011-03-25

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller ,  Daniel H. Doyle

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller ,  Daniel H. Doyle

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7841 ,  G11C11/401 ,  G11C2211/4016 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10844

摘要： One-transistor (1T) capacitor-less DRAM cells each include a MOS transistor having a bias gate layer that separates a floating body region from a base substrate. The MOS transistor functions as a storage device, eliminating the need of the storage capacitor. Logic “1” is written to and stored in the storage device by causing majority carriers (holes in an NMOS transistor) to accumulate and be held in the floating body region next to the bias gate layer, and is erased by removing the majority carriers from where they are held.

摘要翻译： 单晶体管（1T）无电容器DRAM单元各自包括具有将浮体区域与基底基板分离的偏置栅极层的MOS晶体管。 MOS晶体管用作存储器件，不需要存储电容器。 通过使多数载波（NMOS晶体管中的空穴）累积并保持在偏置栅极层旁边的浮动体区域中，将逻辑“1”写入并存储在存储装置中，并且通过从多个载流子 他们在哪里举行。

公开(公告)号：US07547945B2

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US10932150

申请日：2004-09-01

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller ,  Kris K. Brown ,  Tuman Earl Allen, III

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller ,  Kris K. Brown ,  Tuman Earl Allen, III

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78

摘要： The invention includes a transistor device having a semiconductor substrate with an upper surface. A pair of source/drain regions are formed within the semiconductor substrate and a channel region is formed within the semiconductor substrate and extends generally perpendicularly relative to the upper surface of the semiconductor substrate. A gate is formed within the semiconductor substrate between the pair of the source/drain regions.

摘要翻译： 本发明包括具有上表面的半导体衬底的晶体管器件。 一对源极/漏极区域形成在半导体衬底内，并且沟道区形成在半导体衬底内并相对于半导体衬底的上表面大致垂直地延伸。 栅极形成在半导体衬底中的一对源/漏区之间。

公开(公告)号：US07501684B2

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：US11496930

申请日：2006-07-31

申请人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller ,  Kris K. Brown ,  Tuman Earl Allen, III

发明人： Sanh D. Tang ,  Gordon Haller ,  Kris K. Brown ,  Tuman Earl Allen, III

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/41758 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78

摘要： The invention includes a transistor device having a semiconductor substrate with an upper surface. A pair of source/drain regions are formed within the semiconductor substrate and a channel region is formed within the semiconductor substrate and extends generally perpendicularly relative to the upper surface of the semiconductor substrate. A gate is formed within the semiconductor substrate between the pair of the source/drain regions.

摘要翻译： 本发明包括具有上表面的半导体衬底的晶体管器件。 一对源极/漏极区域形成在半导体衬底内，并且沟道区形成在半导体衬底内并相对于半导体衬底的上表面大致垂直地延伸。 栅极形成在半导体衬底中的一对源/漏区之间。

公开(公告)号：US20150279851A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：US14227217

申请日：2014-03-27

申请人： Darwin Fan ,  Sateesh Koka ,  Gordon Haller ,  John Hopkins ,  Shyam Surthi ,  Anish Khandekar

发明人： Darwin Fan ,  Sateesh Koka ,  Gordon Haller ,  John Hopkins ,  Shyam Surthi ,  Anish Khandekar

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11556

摘要： 3D NAND memory structures and related method are provided. In some embodiments such structures can include a control gate material and a floating gate material disposed between a first insulating layer and a second insulating layer, an interpoly dielectric (IPD) layer disposed between the floating gate material and control gate material such that the IPD layer electrically isolates the control gate material from the floating gate material, and a tunnel dielectric material deposited on the floating gate material opposite the control gate material.

摘要翻译： 提供3D NAND存储器结构及相关方法。 在一些实施例中，这样的结构可以包括设置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料，设置在浮置栅极材料和控制栅极材料之间的多层电介质（IPD）层，使得IPD层 将控制栅极材料与浮动栅极材料电隔离，以及沉积在与控制栅极材料相对的浮动栅极材料上的隧道电介质材料。

公开(公告)号：US20130168756A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13343087

申请日：2012-01-04

申请人： John Hopkins ,  James Mathew ,  Jie Sun ,  Gordon Haller

发明人： John Hopkins ,  James Mathew ,  Jie Sun ,  Gordon Haller

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157

摘要： Devices, memory arrays, and methods are disclosed. In an embodiment, one such device has a source/drain zone that has first and second active regions, and an isolation region and a dielectric plug between the first and second active regions. The dielectric plug may extend below upper surfaces of the first and second active regions and may be formed of a dielectric material having a lower removal rate than a dielectric material of the isolation region for a particular isotropic removal chemistry.

摘要翻译： 公开了设备，存储器阵列和方法。 在一个实施例中，一个这样的器件具有源极/漏极区域，其具有第一和第二有源区域，以及在第一和第二有源区域之间的隔离区域和电介质插塞。 电介质插塞可以延伸到第一和第二有源区域的上表面之下，并且可以由对于特定各向同性去除化学物质具有比隔离区域的电介质材料更低的去除速率的电介质材料形成。

公开(公告)号：US08076721B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12795495

申请日：2010-06-07

申请人： Sahn D. Tang ,  Gordon Haller

发明人： Sahn D. Tang ,  Gordon Haller

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： There is provided fin structures and methods for fabricating fin structures. More specifically, fin structures are formed in a substrate. The fin structures may include two fins separated by a channel, wherein the fins may be employed as fins of a field effect transistor. The fin structures are formed below the upper surface of the substrate, and may be formed without utilizing a photolithographic mask to etch the fins.

摘要翻译： 提供了用于制造翅片结构的翅片结构和方法。 更具体地，翅片结构形成在基板中。 翅片结构可以包括由通道分开的两个翅片，其中翅片可以用作场效应晶体管的翅片。 翅片结构形成在衬底的上表面下方，并且可以在不利用光刻掩模来形成以蚀刻鳍片的情况下形成。