公开(公告)号：US08508698B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US12250283

申请日：2008-10-13

申请人： Wei-Hung Kuo ,  Weng-Bing Chou ,  Tsung-Chin Cheng ,  Chih-Jen Hu ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Wei-Hung Kuo ,  Weng-Bing Chou ,  Tsung-Chin Cheng ,  Chih-Jen Hu ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/13 ,  H01J9/00 ,  H01L21/00 ,  B05D3/00

CPC分类号： G02F1/1333 ,  G02F1/133512

摘要： A dual view display structure and a method for producing the same are provided. First, a display panel is provided. Then, a patterned barrier layer is formed on a transparent substrate. The transparent substrate with the patterned barrier layer is attached to the display panel. Because there is a gap between the display panel and the patterned barrier layer, a liquid transparent material is injected into the gap to form a transparent material layer to fill the gap. The invention can not only increase the viewing angles of the dual view display, but also increase the production yield.

摘要翻译： 提供双视图显示结构及其制造方法。 首先，提供显示面板。 然后，在透明基板上形成图案化阻挡层。 具有图案化阻挡层的透明基板附接到显示面板。 由于在显示面板和图案化阻挡层之间存在间隙，液体透明材料被注入到间隙中以形成透明材料层以填充间隙。 本发明不仅可以增加双视图显示的视角，而且可以提高产量。

公开(公告)号：US20120126235A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13365395

申请日：2012-02-03

申请人： Ching-Chieh Shih ,  Yeong-Shyang Lee ,  Tsung-Yi Hsu ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Ching-Chieh Shih ,  Yeong-Shyang Lee ,  Tsung-Yi Hsu ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L29/41733 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78696

摘要： In one aspect of the invention, the method of forming a TFT array panel includes forming a patterned first conductive layer on a substrate, forming a gate insulating layer on the patterned first conductive layer and the substrate, forming a patterned semiconductor layer on the gate insulating layer, forming a patterned second conductive layer, forming a patterned passivation layer on the patterned second conductive layer and the substrate, and forming a patterned transparent conductive layer on the patterned passivation layer.

摘要翻译： 在本发明的一个方面中，形成TFT阵列面板的方法包括在衬底上形成图案化的第一导电层，在图案化的第一导电层和衬底上形成栅极绝缘层，在栅绝缘层上形成图案化的半导体层 形成图案化的第二导电层，在图案化的第二导电层和衬底上形成图案化的钝化层，以及在图案化的钝化层上形成图案化的透明导电层。

公开(公告)号：US07688419B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11859832

申请日：2007-09-24

申请人： Yu-Wei Liu ,  Hui-Fen Lin ,  Feng-Yuan Gan ,  Shu-Chin Lee ,  Yen-Heng Huang

发明人： Yu-Wei Liu ,  Hui-Fen Lin ,  Feng-Yuan Gan ,  Shu-Chin Lee ,  Yen-Heng Huang

IPC分类号： G02F1/13

CPC分类号： G02F1/136209 ,  G02F2001/136222 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78633

摘要： A thin film transistor array substrate structure. The array substrate structure includes a thin film transistor array substrate, an organic material layer formed thereon, and a plurality of black matrices and color filter patterns disposed on the organic material layer. The invention also provides a method of fabricating the thin film transistor array substrate.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列基板结构。 阵列基板结构包括薄膜晶体管阵列基板，形成在其上的有机材料层，以及设置在有机材料层上的多个黑色矩阵和滤色器图案。 本发明还提供一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法。

公开(公告)号：US20090101913A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US11873674

申请日：2007-10-17

申请人： Ching-Chieh Shih ,  Yeong-Shyang Lee ,  Tsung-Yi Hsu ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Ching-Chieh Shih ,  Yeong-Shyang Lee ,  Tsung-Yi Hsu ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/41733 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78696

摘要： A method of forming a thin film transistor (TFT) array panel, comprising the steps of: (i) forming a patterned first conductive layer, which includes a gate line and a shielding portion, on a substrate, (ii) forming a gate insulating layer on the patterned first conductive layer and the substrate, (iii) forming a patterned semiconductor layer on the gate insulating layer, (iv) forming a patterned second conductive layer, which includes a source electrode, and a drain electrode on the patterned semiconductor layer, and a data line that is electrically connected to the source electrode, (v) forming a patterned passivation layer on the patterned second conductive layer and the substrate, and (vi) forming a patterned transparent conductive layer on the patterned passivation layer.

摘要翻译： 一种形成薄膜晶体管（TFT）阵列面板的方法，包括以下步骤：（i）在衬底上形成包括栅极线和屏蔽部分的图案化第一导电层，（ii）形成栅极绝缘 （iii）在栅极绝缘层上形成图案化的半导体层，（iv）在图案化的半导体层上形成图案化的第二导电层，其包括源电极和漏电极 以及电连接到所述源电极的数据线，（v）在所述图案化的第二导电层和所述衬底上形成图案化钝化层，以及（vi）在所述图案化钝化层上形成图案化的透明导电层。

公开(公告)号：US20080220343A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US12031058

申请日：2008-02-14

申请人： Chi-Sheng Chen ,  Lun Tsai ,  Wen-Bin Wu ,  Shen-Jye Shieh ,  Shu-Chin Lee ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Chi-Sheng Chen ,  Lun Tsai ,  Wen-Bin Wu ,  Shen-Jye Shieh ,  Shu-Chin Lee ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： G03F1/00 ,  C08K5/05 ,  C08K5/053 ,  C08K5/13

CPC分类号： G03F7/0007 ,  C08K5/06 ,  C08K5/103

摘要： An ink composition for producing a color filter is provided. The ink composition comprises a colorant, a binder and plural solvents. A color filter production method using the above-mentioned ink composition is also provided. The ink composition is adhered to the designated light transmitting regions on the surface of a transparent substrate. Then, the ink composition adhered to the designated light transmitting regions is solidified.

摘要翻译： 提供了一种用于制造滤色器的油墨组合物。 油墨组合物包含着色剂，粘合剂和多种溶剂。 还提供了使用上述油墨组合物的滤色器制备方法。 油墨组合物粘附在透明基板的表面上的指定透光区域上。 然后，粘附到指定的透光区域上的油墨组合物被固化。

公开(公告)号：US20070278178A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11889234

申请日：2007-08-10

申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin ,  Kuo-Yuan Tu

发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin ,  Kuo-Yuan Tu

IPC分类号： B44C1/22 ,  B05D1/36 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C14/185 ,  B32B15/00 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3607 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3671 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/388 ,  Y10S438/974 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

摘要： A copper conducting wire structure is for use in the thin-film-transistor liquid crystal display (LCD) device. The copper conducting wire structure includes at least a buffer layer and a copper layer. A fabricating method of the copper conducting wire structure includes the following steps. At first, a glass substrate is provided. Next, the buffer layer is formed on the glass substrate. The buffer layer is comprised of a copper nitride. At last, the copper layer is formed on the buffer layer.

公开(公告)号：US20070275511A1

公开(公告)日：2007-11-29

申请号：US11467940

申请日：2006-08-29

申请人： Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Han-Tu Lin ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Han-Tu Lin ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/458

摘要： A method for fabricating a thin film transistor is provided. A conductive layer is formed on a substrate. A patterned mask is formed on the conductive layer to cover a predetermined thin film transistor (TFT) area, and at least one portion of the conductive layer exposed by the patterned mask are removed. A laser is applied to form a laser hole in the patterned mask to expose a portion of the conductive layer and the laser hole substantially corresponds to a channel region of the predetermined TFT area. The exposed conductive layer is etched to form source and drain electrodes on opposite sides of the channel region.

摘要翻译： 提供一种制造薄膜晶体管的方法。 在基板上形成导电层。 在导电层上形成图案化掩模以覆盖预定的薄膜晶体管（TFT）区域，并且去除由图案化掩模暴露的导电层的至少一部分。 施加激光以在图案化掩模中形成激光孔，以暴露导电层的一部分，并且激光孔基本对应于预定TFT区域的沟道区域。 蚀刻暴露的导电层以在沟道区域的相对侧上形成源极和漏极。

公开(公告)号：US07157323B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US11142930

申请日：2005-06-02

申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

摘要： Fabrication methods for thin film transistors. A metal gate stack structure is formed on an insulating substrate. The substrate is performed using thermal annealing to create an oxide layer on the sidewalls of the metal gate stack structure. A gate insulating layer is formed on the substrate covering the metal gate stack structure. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A source/drain layer is formed on the semiconductor.

摘要翻译： 薄膜晶体管的制造方法。 在绝缘基板上形成金属栅堆叠结构。 使用热退火进行衬底，以在金属栅极堆叠结构的侧壁上产生氧化物层。 在覆盖金属栅堆叠结构的基板上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体层。 在半导体上形成源极/漏极层。

公开(公告)号：US20060124930A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US10908077

申请日：2005-04-27

申请人： Chi-Wen Chen ,  Ting-Chang Chang ,  Po-Tsun Liu ,  Feng-Yuan Gan

发明人： Chi-Wen Chen ,  Ting-Chang Chang ,  Po-Tsun Liu ,  Feng-Yuan Gan

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78669

摘要： A thin film transistor is characterized by having an island-in structure having a semiconductor layer with a channel region, a bottom heavily-doped semiconductor layer, and a top heavily-doped semiconductor layer. The bottom heavily-doped semiconductor layer is positioned on two opposite sides of the surface of the semiconductor layer beyond the channel region. The top heavily-doped semiconductor layer, positioned on the bottom heavily-doped semiconductor layer, covers two opposite side walls of the bottom heavily-doped semiconductor layer and the semiconductor layer so that current leakage from the drain electrode to the source electrode is prevented.

摘要翻译： 薄膜晶体管的特征在于具有岛状结构，其具有具有沟道区的半导体层，底部重掺杂半导体层和顶部重掺杂半导体层。 底部重掺杂半导体层位于超过沟道区的半导体层表面的相对两侧。 位于底部重掺杂半导体层上的顶部重掺杂半导体层覆盖底部重掺杂半导体层和半导体层的两个相对的侧壁，从而防止从漏电极到源电极的电流泄漏。

公开(公告)号：US20060108585A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11143405

申请日：2005-06-02

申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

摘要： Thin film transistors and fabrication methods thereof. A gate is formed overlying a portion of a substrate. A gate-insulating layer is formed overlying the gate. A vanadium oxide layer is formed between the gate and the substrate and/or the gate and the gate-insulating layer. A semiconductor layer is formed on a portion of the gate-insulating layer. A source and a drain are formed on a portion of the semiconductor layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管及其制造方法。 形成覆盖衬底的一部分的栅极。 栅极绝缘层形成在栅极上方。 在栅极和衬底和/或栅极和栅极绝缘层之间形成氧化钒层。 半导体层形成在栅极绝缘层的一部分上。 源极和漏极形成在半导体层的一部分上。