利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

55 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Methods for fabricating thin film transistors
    5.
    发明申请
    Methods for fabricating thin film transistors 审中-公开
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US20060111244A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11143698

    申请日：2005-06-02

    申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    IPC分类号： H01L39/14

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/4908

    摘要： A fabrication method of thin film transistor. A patterned gate is formed on an insulator substrate. A buffer layer is formed on the insulating substrate. The patterned gate is formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using a mixture of silane, argon, nitrogen to serve as reactants at a temperature of approximately 20-200° C. A gate insulating layer is formed on the buffer layer. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A source/drain layer is formed on the semiconductor layer. The buffer layer protects the metal gate from damage during subsequent plasma enhanced chemical vapor deposition.

    摘要翻译： 薄膜晶体管的制造方法。 图案化栅极形成在绝缘体基板上。 在绝缘基板上形成缓冲层。 图案化的栅极通过使用硅烷，氩，氮的混合物的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成，以在约20-200℃的温度下用作反应物。在缓冲层上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体层。 源极/漏极层形成在半导体层上。 缓冲层在随后的等离子体增强化学气相沉积期间保护金属栅极免受损坏。

    Methods for fabricating thin film transistors
    6.
    发明申请
    Methods for fabricating thin film transistors 有权
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US20060110871A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11142930

    申请日：2005-06-02

    申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    IPC分类号： H01L21/8234

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

    摘要： Fabrication methods for thin film transistors. A metal gate stack structure is formed on an insulating substrate. The substrate is performed using thermal annealing to create an oxide layer on the sidewalls of the metal gate stack structure. A gate insulating layer is formed on the substrate covering the metal gate stack structure. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A source/drain layer is formed on the semiconductor.

    摘要翻译： 薄膜晶体管的制造方法。 在绝缘基板上形成金属栅堆叠结构。 使用热退火进行衬底，以在金属栅极堆叠结构的侧壁上产生氧化物层。 在覆盖金属栅堆叠结构的基板上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体层。 在半导体上形成源极/漏极层。

    METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
    7.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR 有权
    薄膜晶体管的制作方法

    公开(公告)号：US20070275511A1

    公开(公告)日：2007-11-29

    申请号：US11467940

    申请日：2006-08-29

    申请人： Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Han-Tu Lin ,  Feng-Yuan Gan

    发明人： Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Han-Tu Lin ,  Feng-Yuan Gan

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/458

    摘要： A method for fabricating a thin film transistor is provided. A conductive layer is formed on a substrate. A patterned mask is formed on the conductive layer to cover a predetermined thin film transistor (TFT) area, and at least one portion of the conductive layer exposed by the patterned mask are removed. A laser is applied to form a laser hole in the patterned mask to expose a portion of the conductive layer and the laser hole substantially corresponds to a channel region of the predetermined TFT area. The exposed conductive layer is etched to form source and drain electrodes on opposite sides of the channel region.

    摘要翻译： 提供一种制造薄膜晶体管的方法。 在基板上形成导电层。 在导电层上形成图案化掩模以覆盖预定的薄膜晶体管（TFT）区域，并且去除由图案化掩模暴露的导电层的至少一部分。 施加激光以在图案化掩模中形成激光孔，以暴露导电层的一部分，并且激光孔基本对应于预定TFT区域的沟道区域。 蚀刻暴露的导电层以在沟道区域的相对侧上形成源极和漏极。

    Methods for fabricating thin film transistors
    8.
    发明授权
    Methods for fabricating thin film transistors 有权
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US07157323B2

    公开(公告)日：2007-01-02

    申请号：US11142930

    申请日：2005-06-02

    申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

    摘要： Fabrication methods for thin film transistors. A metal gate stack structure is formed on an insulating substrate. The substrate is performed using thermal annealing to create an oxide layer on the sidewalls of the metal gate stack structure. A gate insulating layer is formed on the substrate covering the metal gate stack structure. A semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A source/drain layer is formed on the semiconductor.

    摘要翻译： 薄膜晶体管的制造方法。 在绝缘基板上形成金属栅堆叠结构。 使用热退火进行衬底，以在金属栅极堆叠结构的侧壁上产生氧化物层。 在覆盖金属栅堆叠结构的基板上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成半导体层。 在半导体上形成源极/漏极层。

    Thin film transistors and fabrication methods thereof
    9.
    发明申请
    Thin film transistors and fabrication methods thereof 审中-公开
    薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20060108585A1

    公开(公告)日：2006-05-25

    申请号：US11143405

    申请日：2005-06-02

    申请人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    发明人： Feng-Yuan Gan ,  Han-Tu Lin

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

    摘要： Thin film transistors and fabrication methods thereof. A gate is formed overlying a portion of a substrate. A gate-insulating layer is formed overlying the gate. A vanadium oxide layer is formed between the gate and the substrate and/or the gate and the gate-insulating layer. A semiconductor layer is formed on a portion of the gate-insulating layer. A source and a drain are formed on a portion of the semiconductor layer.

    摘要翻译： 薄膜晶体管及其制造方法。 形成覆盖衬底的一部分的栅极。 栅极绝缘层形成在栅极上方。 在栅极和衬底和/或栅极和栅极绝缘层之间形成氧化钒层。 半导体层形成在栅极绝缘层的一部分上。 源极和漏极形成在半导体层的一部分上。

    Method of fabricating thin film transistor
    10.
    发明授权
    Method of fabricating thin film transistor 有权
    制造薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US07378303B2

    公开(公告)日：2008-05-27

    申请号：US11467940

    申请日：2006-08-29

    申请人： Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Han-Tu Lin ,  Feng-Yuan Gan

    发明人： Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Han-Tu Lin ,  Feng-Yuan Gan

    IPC分类号： H01L21/84

    CPC分类号： H01L29/66765 ,  H01L29/458

    摘要： A method for fabricating a thin film transistor is provided. A conductive layer is formed on a substrate. A patterned mask is formed on the conductive layer to cover a predetermined thin film transistor (TFT) area, and at least one portion of the conductive layer exposed by the patterned mask are removed. A laser is applied to form a laser hole in the patterned mask to expose a portion of the conductive layer and the laser hole substantially corresponds to a channel region of the predetermined TFT area. The exposed conductive layer is etched to form source and drain electrodes on opposite sides of the channel region.

    摘要翻译： 提供一种制造薄膜晶体管的方法。 在基板上形成导电层。 在导电层上形成图案化掩模以覆盖预定的薄膜晶体管（TFT）区域，并且去除由图案化掩模暴露的导电层的至少一部分。 施加激光以在图案化掩模中形成激光孔，以暴露导电层的一部分，并且激光孔基本对应于预定TFT区域的沟道区域。 蚀刻暴露的导电层以在沟道区域的相对侧上形成源极和漏极。