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    RESISTANCE-SWITCHING MEMORY CELLS HAVING REDUCED METAL MIGRATION AND LOW CURRENT OPERATION AND METHODS OF FORMING THE SAME
    12.
    发明申请
    RESISTANCE-SWITCHING MEMORY CELLS HAVING REDUCED METAL MIGRATION AND LOW CURRENT OPERATION AND METHODS OF FORMING THE SAME 审中-公开
    具有减少的金属迁移和低电流操作的电阻切换存储器单元及其形成方法

    公开(公告)号：US20130292634A1

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：US13465263

    申请日：2012-05-07

    申请人： Yung-Tin Chen ,  Kun Hou ,  Zhida Lan

    发明人： Yung-Tin Chen ,  Kun Hou ,  Zhida Lan

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146

    摘要： In some aspects, a memory cell is provided that includes a steering element, a metal-insulator-metal (“MIM”) stack coupled in series with the steering element, and a conductor above the MIM stack. The MIM stack includes a resistance switching element and a top electrode disposed on the resistance switching element, and the top electrode includes a highly doped semiconductor material. The memory cell does not include a metal layer between the MIM stack and the conductor. Numerous other aspects are provided.

    摘要翻译： 在一些方面，提供了一种存储单元，其包括转向元件，与该转向元件串联耦合的金属 - 绝缘体金属（“MIM”）堆叠，以及MIM叠层上方的导体。 MIM堆叠包括电阻切换元件和设置在电阻开关元件上的顶部电极，并且顶部电极包括高度掺杂的半导体材料。 存储单元不包括在MIM堆叠和导体之间的金属层。 提供了许多其他方面。

    Nanoimprint enhanced resist spacer patterning method
    15.
    发明授权
    Nanoimprint enhanced resist spacer patterning method 有权
    纳米压印增强型抗蚀剂间隔图案化方法

    公开(公告)号：US07846756B2

    公开(公告)日：2010-12-07

    申请号：US12318590

    申请日：2008-12-31

    申请人： Bing K. Yen ,  Chun-Ming Wang ,  Yung-Tin Chen ,  Steven Maxwell

    发明人： Bing K. Yen ,  Chun-Ming Wang ,  Yung-Tin Chen ,  Steven Maxwell

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

    摘要： A method of making a device is disclosed including: forming a first hard mask layer over an underlying layer; forming a first imprint resist layer over the underlying layer; forming first features over the first hard mask layer by bringing a first imprint template in contact with the first imprint resist layer; forming a first spacer layer over the first features; etching the first spacer layer to form a first spacer pattern and to expose top of the first features; removing the first features; patterning the first hard mask, using the first spacer pattern as a mask, to form first hard mask features; and etching at least part of the underlying layer using the first hard mask features as a mask.

    摘要翻译： 公开了一种制造器件的方法，包括：在下层上形成第一硬掩模层; 在所述下层上形成第一印记抗蚀剂层; 通过使第一印模模板与第一印模抗蚀剂层接触而在第一硬掩模层上形成第一特征; 在所述第一特征上形成第一间隔层; 蚀刻第一间隔层以形成第一间隔图案并暴露第一特征的顶部; 去除第一个特征; 使用第一间隔图案作为掩模来图案化第一硬掩模以形成第一硬掩模特征; 并使用第一硬掩模特征作为掩模蚀刻至少部分下层。

    Method of making sub-resolution pillar structures using undercutting technique
    16.
    发明申请
    Method of making sub-resolution pillar structures using undercutting technique 有权
    使用底切技术制作分辨率柱状结构的方法

    公开(公告)号：US20100086875A1

    公开(公告)日：2010-04-08

    申请号：US12285466

    申请日：2008-10-06

    申请人： Chung-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

    发明人： Chung-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

    IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

    CPC分类号： H01L21/0334 ,  H01L21/0338

    摘要： A method of making a device includes forming an underlying mask layer over an underlying layer, forming a first mask layer over the underlying mask layer, patterning the first mask layer to form first mask features, undercutting the underlying mask layer to form underlying mask features using the first mask features as a mask, removing the first mask features, and patterning the underlying layer using at least the underlying mask features as a mask.

    摘要翻译： 一种制造器件的方法包括在下面的层上形成下面的掩模层，在下面的掩模层之上形成第一掩模层，对第一掩模层进行图案化以形成第一掩模特征，利用下面的掩模层来切割下面的掩模特征，使用 第一掩模作为掩模，去除第一掩模特征，并使用至少底层掩模特征作为掩模来图案化底层。

    Method of making sub-resolution pillar structures using undercutting technique
    17.
    发明授权
    Method of making sub-resolution pillar structures using undercutting technique 有权
    使用底切技术制作分辨率柱状结构的方法

    公开(公告)号：US08076056B2

    公开(公告)日：2011-12-13

    申请号：US12285466

    申请日：2008-10-06

    申请人： Chun-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

    发明人： Chun-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： H01L21/0334 ,  H01L21/0338

    摘要： A method of making a device includes forming an underlying mask layer over an underlying layer, forming a first mask layer over the underlying mask layer, patterning the first mask layer to form first mask features, undercutting the underlying mask layer to form underlying mask features using the first mask features as a mask, removing the first mask features, and patterning the underlying layer using at least the underlying mask features as a mask.

    摘要翻译： 一种制造器件的方法包括在下面的层上形成下面的掩模层，在下面的掩模层之上形成第一掩模层，对第一掩模层进行图案化以形成第一掩模特征，利用下面的掩模层来切割下面的掩模特征，使用 第一掩模作为掩模，去除第一掩模特征，并使用至少底层掩模特征作为掩模来图案化底层。