公开(公告)号：US07846756B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US12318590

申请日：2008-12-31

申请人： Bing K. Yen ,  Chun-Ming Wang ,  Yung-Tin Chen ,  Steven Maxwell

发明人： Bing K. Yen ,  Chun-Ming Wang ,  Yung-Tin Chen ,  Steven Maxwell

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： A method of making a device is disclosed including: forming a first hard mask layer over an underlying layer; forming a first imprint resist layer over the underlying layer; forming first features over the first hard mask layer by bringing a first imprint template in contact with the first imprint resist layer; forming a first spacer layer over the first features; etching the first spacer layer to form a first spacer pattern and to expose top of the first features; removing the first features; patterning the first hard mask, using the first spacer pattern as a mask, to form first hard mask features; and etching at least part of the underlying layer using the first hard mask features as a mask.

摘要翻译： 公开了一种制造器件的方法，包括：在下层上形成第一硬掩模层; 在所述下层上形成第一印记抗蚀剂层; 通过使第一印模模板与第一印模抗蚀剂层接触而在第一硬掩模层上形成第一特征; 在所述第一特征上形成第一间隔层; 蚀刻第一间隔层以形成第一间隔图案并暴露第一特征的顶部; 去除第一个特征; 使用第一间隔图案作为掩模来图案化第一硬掩模以形成第一硬掩模特征; 并使用第一硬掩模特征作为掩模蚀刻至少部分下层。

公开(公告)号：US20100167502A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12318590

申请日：2008-12-31

申请人： Bing K. Yen ,  Chun-Ming Wang ,  Yung-Tin Chen ,  Steven Maxwell

发明人： Bing K. Yen ,  Chun-Ming Wang ,  Yung-Tin Chen ,  Steven Maxwell

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/467

CPC分类号： H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： A method of making a device is disclosed including: forming a first hard mask layer over an underlying layer; forming a first imprint resist layer over the underlying layer; forming first features over the first hard mask layer by bringing a first imprint template in contact with the first imprint resist layer; forming a first spacer layer over the first features; etching the first spacer layer to form a first spacer pattern and to expose top of the first features; removing the first features; patterning the first hard mask, using the first spacer pattern as a mask, to form first hard mask features; and etching at least part of the underlying layer using the first hard mask features as a mask.

公开(公告)号：US08076056B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12285466

申请日：2008-10-06

申请人： Chun-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

发明人： Chun-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0334 ,  H01L21/0338

摘要： A method of making a device includes forming an underlying mask layer over an underlying layer, forming a first mask layer over the underlying mask layer, patterning the first mask layer to form first mask features, undercutting the underlying mask layer to form underlying mask features using the first mask features as a mask, removing the first mask features, and patterning the underlying layer using at least the underlying mask features as a mask.

摘要翻译： 一种制造器件的方法包括在下面的层上形成下面的掩模层，在下面的掩模层之上形成第一掩模层，对第一掩模层进行图案化以形成第一掩模特征，利用下面的掩模层来切割下面的掩模特征，使用 第一掩模作为掩模，去除第一掩模特征，并使用至少底层掩模特征作为掩模来图案化底层。

公开(公告)号：US07786015B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US12149151

申请日：2008-04-28

申请人： Yung-Tin Chen ,  Chun-Ming Wang ,  Steven J. Radigan ,  Christopher J. Petti ,  Steven Maxwell

发明人： Yung-Tin Chen ,  Chun-Ming Wang ,  Steven J. Radigan ,  Christopher J. Petti ,  Steven Maxwell

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1021

摘要： A method of making a semiconductor device includes forming at least one device layer over a substrate, forming at least two spaced apart features over the at least one device layer, forming sidewall spacers on the at least two features, selectively removing the spaced apart features, filling a space between a first sidewall spacer and a second sidewall spacer with a filler feature, selectively removing the sidewall spacers to leave a plurality of the filler features spaced apart from each other, and etching the at least one device layer using the filler feature as a mask.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成至少一个器件层，在所述至少一个器件层上形成至少两个间隔的特征，在所述至少两个特征上形成侧壁间隔物，选择性地去除间隔开的特征， 用填料特征填充第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物之间​​的空间，选择性地去除侧壁间隔物以留下彼此间隔开的多个填料特征，并使用填料特征来蚀刻至少一个器件层，如 一个面具

公开(公告)号：US20090269932A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12149151

申请日：2008-04-28

申请人： Yung-Tin Chen ,  Chun-Ming Wang ,  Steven J. Radigan ,  Christopher J. Petti ,  Steven Maxwell

发明人： Yung-Tin Chen ,  Chun-Ming Wang ,  Steven J. Radigan ,  Christopher J. Petti ,  Steven Maxwell

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1021

摘要： A method of making a semiconductor device includes forming at least one device layer over a substrate, forming at least two spaced apart features over the at least one device layer, forming sidewall spacers on the at least two features, selectively removing the spaced apart features, filling a space between a first sidewall spacer and a second sidewall spacer with a filler feature, selectively removing the sidewall spacers to leave a plurality of the filler features spaced apart from each other, and etching the at least one device layer using the filler feature as a mask.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成至少一个器件层，在所述至少一个器件层上形成至少两个间隔的特征，在所述至少两个特征上形成侧壁间隔物，选择性地去除间隔开的特征， 用填料特征填充第一侧壁间隔物和第二侧壁间隔物之间​​的空间，选择性地去除侧壁间隔物以留下彼此间隔开的多个填料特征，并使用填料特征来蚀刻至少一个器件层，如 一个面具

公开(公告)号：US20120193756A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13020007

申请日：2011-02-02

申请人： Steven Maxwell ,  Abhijit Bandyopadhyay ,  Kun Hou ,  Er-Xuan Ping ,  Yung-Tin Chen ,  Li Xiao

发明人： Steven Maxwell ,  Abhijit Bandyopadhyay ,  Kun Hou ,  Er-Xuan Ping ,  Yung-Tin Chen ,  Li Xiao

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L21/36 ,  H01L29/92

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/90

摘要： In a first aspect, a vertical semiconductor diode is provided that includes (1) a first semiconductor layer formed above a substrate; (2) a second semiconductor layer formed above the first semiconductor layer; (3) a first native oxide layer formed above the first semiconductor layer; and (4) a third semiconductor layer formed above the first semiconductor layer, second semiconductor layer and first native oxide layer so as to form the vertical semiconductor diode that includes the first native oxide layer. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供一种垂直半导体二极管，其包括：（1）形成在基板上的第一半导体层; （2）形成在第一半导体层上方的第二半导体层; （3）形成在所述第一半导体层上方的第一自然氧化物层; 以及（4）形成在第一半导体层上的第三半导体层，第二半导体层和第一自然氧化物层，以形成包括第一自然氧化物层的垂直半导体二极管。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20120091418A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12904770

申请日：2010-10-14

申请人： Yung-Tin Chen ,  Franz Kreupl ,  Steven Maxwell ,  Kun Hou

发明人： Yung-Tin Chen ,  Franz Kreupl ,  Steven Maxwell ,  Kun Hou

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149

摘要： In some embodiments, a memory cell is provided that includes (1) a bipolar storage element formed from a metal-insulator-metal (MIM) stack including (a) a first conductive layer; (b) a reversible resistivity switching (RRS) layer formed above the first conductive layer; (c) a metal/metal oxide layer stack formed above the first conductive layer; and (d) a second conductive layer formed above the RRS layer and the metal/metal oxide layer stack; and (2) a steering element coupled to the storage element. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些实施例中，提供了一种存储单元，其包括：（1）由金属 - 绝缘体 - 金属（MIM）堆叠形成的双极存储元件，包括：（a）第一导电层; （b）形成在第一导电层之上的可逆电阻率切换（RRS）层; （c）形成在所述第一导电层上方的金属/金属氧化物层堆叠; 和（d）形成在RRS层和金属/金属氧化物层堆叠之上的第二导电层; 和（2）联接到存储元件的操纵元件。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US20100086875A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12285466

申请日：2008-10-06

申请人： Chung-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

发明人： Chung-Ming Wang ,  Steven Maxwell ,  Paul Wai Kie Poon ,  Yung-Tin Chen

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0334 ,  H01L21/0338

摘要： A method of making a device includes forming an underlying mask layer over an underlying layer, forming a first mask layer over the underlying mask layer, patterning the first mask layer to form first mask features, undercutting the underlying mask layer to form underlying mask features using the first mask features as a mask, removing the first mask features, and patterning the underlying layer using at least the underlying mask features as a mask.

摘要翻译： 一种制造器件的方法包括在下面的层上形成下面的掩模层，在下面的掩模层之上形成第一掩模层，对第一掩模层进行图案化以形成第一掩模特征，利用下面的掩模层来切割下面的掩模特征，使用 第一掩模作为掩模，去除第一掩模特征，并使用至少底层掩模特征作为掩模来图案化底层。

公开(公告)号：US08866124B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13020007

申请日：2011-02-02

申请人： Steven Maxwell ,  Abhijit Bandyopadhyay ,  Kun Hou ,  Er-Xuan Ping ,  Yung-Tin Chen ,  Li Xiao

发明人： Steven Maxwell ,  Abhijit Bandyopadhyay ,  Kun Hou ,  Er-Xuan Ping ,  Yung-Tin Chen ,  Li Xiao

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/868 ,  H01L27/102

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/90

摘要： In a first aspect, a vertical semiconductor diode is provided that includes (1) a first semiconductor layer formed above a substrate; (2) a second semiconductor layer formed above the first semiconductor layer; (3) a first native oxide layer formed above the first semiconductor layer; and (4) a third semiconductor layer formed above the first semiconductor layer, second semiconductor layer and first native oxide layer so as to form the vertical semiconductor diode that includes the first native oxide layer. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在第一方面，提供一种垂直半导体二极管，其包括：（1）形成在基板上的第一半导体层; （2）形成在第一半导体层上方的第二半导体层; （3）形成在所述第一半导体层上方的第一自然氧化物层; 以及（4）形成在第一半导体层上的第三半导体层，第二半导体层和第一自然氧化物层，以形成包括第一自然氧化物层的垂直半导体二极管。 提供了许多其他方面。

公开(公告)号：US08389971B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12905047

申请日：2010-10-14

申请人： Yung-Tin Chen ,  Chuanbin Pan ,  Andrei Mihnea ,  Steven Maxwell ,  Kun Hou

发明人： Yung-Tin Chen ,  Chuanbin Pan ,  Andrei Mihnea ,  Steven Maxwell ,  Kun Hou

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1616 ,  Y10S438/957

摘要： In some embodiments, a memory cell is provided that includes a storage element formed from an MIM stack including (1) a first conductive layer; (2) an RRS layer formed above the first conductive layer; and (3) a second conductive layer formed above the RRS layer, at least one of the first and second conductive layers comprising a first semiconductor material layer. The memory cell includes a steering element coupled to the storage element, the steering element formed from the first semiconductor material layer of the MIM stack and one or more additional material layers. Numerous other aspects are provided.

摘要翻译： 在一些实施例中，提供了一种存储单元，其包括由MIM堆叠形成的存储元件，所述存储元件包括：（1）第一导电层; （2）形成在第一导电层上方的RRS层; 和（3）形成在RRS层之上的第二导电层，第一和第二导电层中的至少一个包括第一半导体材料层。 存储单元包括耦合到存储元件的操纵元件，由MIM堆叠的第一半导体材料层形成的操纵元件和一个或多个附加材料层。 提供了许多其他方面。