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    Organic memory device and fabrication method thereof
    11.
    发明授权
    Organic memory device and fabrication method thereof 有权
    有机存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07816670B2

    公开(公告)日：2010-10-19

    申请号：US11606892

    申请日：2006-12-01

    申请人： Won Jae Joo ,  Tae Lim Choi ,  Sang Kyun Lee

    发明人： Won Jae Joo ,  Tae Lim Choi ,  Sang Kyun Lee

    IPC分类号： H01L29/08

    CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0016 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0095 ,  H01L51/0579

    摘要： An organic memory device and a method for fabricating the memory device are provided. The organic memory device may include a first electrode, a second electrode, and an ion transfer layer between the first electrode and the second electrode. The organic memory device may have lower operating voltage and current, and may be fabricated at lower costs.

    摘要翻译： 提供一种有机存储装置及其制造方法。 有机存储器件可以包括在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和离子转移层。 有机存储器件可以具有较低的工作电压和电流，并且可以以更低的成本制造。

    PROGRAMMABLE POWER MANAGEMENT USING A NANOTUBE STRUCTURE
    12.
    发明申请
    PROGRAMMABLE POWER MANAGEMENT USING A NANOTUBE STRUCTURE 失效
    使用纳米管结构进行可编程电源管理

    公开(公告)号：US20100090253A1

    公开(公告)日：2010-04-15

    申请号：US12639026

    申请日：2009-12-16

    申请人： JONATHAN BYRN

    发明人： JONATHAN BYRN

    IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  G05B11/01

    CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0579 ,  Y10S977/938

    摘要： Programmable power management using a nanotube structure is disclosed. In one embodiment, a method includes coupling a nanotube structure of an integrated circuit to a conductive surface when a command is processed, and enabling a group of transistors of the integrated circuit based on the coupling the nanotube structure to the conductive surface. A current may be applied to the nanotube structure to couple the nanotube structure to the conductive surface. The nanotube structure may be formed from a material chosen from one or more of a polymer, carbon, and a composite material. The group of transistors may be enabled during an activation sequence of the integrated circuit. In addition, one or more transistors of the group of transistors may be disengaged from the one or more power sources (e.g., to minimize leakage) when the nanotube structure is decoupled from the conductive surface.

    摘要翻译： 公开了使用纳米管结构的可编程功率管理。 在一个实施例中，一种方法包括当处理命令时将集成电路的纳米管结构耦合到导电表面，并且基于将纳米管结构耦合到导电表面来启用集成电路的一组晶体管。 可以将电流施加到纳米管结构以将纳米管结构耦合到导电表面。 纳米管结构可以由选自聚合物，碳和复合材料中的一种或多种的材料形成。 晶体管组可以在集成电路的激活序列期间使能。 此外，当纳米管结构与导电表面分离时，该组晶体管中的一个或多个晶体管可以与一个或多个电源脱离（例如，以最小化泄漏）。

    Redox Systems for Stabilization and Life Extension of Polymer Semiconductors
    14.
    发明申请
    Redox Systems for Stabilization and Life Extension of Polymer Semiconductors 审中-公开
    用于聚合物半导体稳定和寿命延长的氧化还原体系

    公开(公告)号：US20090001359A1

    公开(公告)日：2009-01-01

    申请号：US12096687

    申请日：2006-12-11

    申请人： Jasmin Worle ,  Andreas Ullmann ,  Henning Rost

    发明人： Jasmin Worle ,  Andreas Ullmann ,  Henning Rost

    IPC分类号： H01L51/30

    CPC分类号： H01L51/0579 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

    摘要： The invention relates to an organic electronic component with improved voltage stability and a method for producing it, wherein the voltage stability in the device is improved by targeted addition of additives and/or by formation of an interlayer. The invention for the first time makes it possible to stabilize organic electronic components by modification with a reducing, oxidizing and/or redox system comprising one and/or more functional materials and/or by incorporation of one or more interlayers comprising, as main constituent, a reducing, oxidizing and/or redox system, primarily in the area of relatively high voltages.

    摘要翻译： 本发明涉及具有改进的电压稳定性的有机电子元件及其制造方法，其中通过靶向添加添加剂和/或通过形成中间层来改善器件中的电压稳定性。 本发明第一次使得可以通过用包含一种和/或多种功能材料的还原性，氧化性和/或氧化还原体系进行改性和/或通过掺入一种或多种中间层来稳定有机电子部件，所述中间层包括作为主要成分， 还原，氧化和/或氧化还原系统，主要在较高电压的区域。

    Organic electronic device
    15.
    发明申请
    Organic electronic device 有权
    有机电子设备

    公开(公告)号：US20080280162A1

    公开(公告)日：2008-11-13

    申请号：US12151850

    申请日：2008-05-08

    申请人： Katsuyuki Morii

    发明人： Katsuyuki Morii

    IPC分类号： B32B9/00 ,  C09K11/00 ,  B05D5/12

    CPC分类号： H01L51/0575 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0579 ,  H01L51/422 ,  H01L51/4226 ,  H05B33/22 ,  Y10S428/917

    摘要： An organic electronic device includes: a pair of electrodes, an organic film layer containing an organic substance having a benzothiadiazole skeleton, a metal oxide layer provided on the organic film layer by vacuum vapor deposition, and an interface formed between the pair of electrodes out of the organic film layer and the metal oxide layer.

    摘要翻译： 有机电子器件包括：一对电极，含有具有苯并噻二唑骨架的有机物质的有机膜层，通过真空气相沉积设置在有机膜层上的金属氧化物层，以及在该对电极之间形成的界面 有机膜层和金属氧化物层。

    Method of creating a high performance organic semiconductor device
    18.
    发明授权
    Method of creating a high performance organic semiconductor device 失效
    制造高性能有机半导体器件的方法

    公开(公告)号：US06784017B2

    公开(公告)日：2004-08-31

    申请号：US10218141

    申请日：2002-08-12

    申请人： Yang Yang ,  Liping Ma ,  Michael L. Beigel

    发明人： Yang Yang ,  Liping Ma ,  Michael L. Beigel

    IPC分类号： H01L5140

    CPC分类号： H01L51/0579 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0044 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5221

    摘要： A high temperature thermal annealing process creates a low resistance contact between a metal material and an organic material of an organic semiconductor device, which improves the efficiency of carrier injection. The process forms ohmic contacts and Schottky contacts. Additionally, the process may cause metal ions or atoms to migrate or diffuse into the organic material, cause the organic material to crystallize, or both. The resulting organic semiconductor device has enhanced operating characteristics such as faster speeds of operation. Instead of using heat, the process may use other forms of energy, such as voltage, current, electromagnetic radiation energy for localized heating, infrared energy and ultraviolet energy. An example enhanced organic diode comprising aluminum, carbon C60, and copper is described, as well as example insulated gate field effect transistors.

    摘要翻译： 高温热退火工艺在金属材料和有机半导体器件的有机材料之间产生低电阻接触，这提高了载流子注入的效率。 该过程形成欧姆接触和肖特基接触。 另外，该过程可能导致金属离子或原子迁移或扩散到有机材料中，导致有机材料结晶，或两者都结合。 所得到的有机半导体器件具有增强的操作特性，例如更快的操作速度。 代替使用热量，该方法可以使用其他形式的能量，例如用于局部加热的电压，电流，电磁辐射能量，红外能量和紫外线能量。 描述了包括铝，碳C60和铜的增强有机二极管的示例，以及示例性绝缘栅场效应晶体管。

    Organic thin film zener diodes
    19.
    发明申请
    Organic thin film zener diodes 失效
    有机薄膜齐纳二极管

    公开(公告)号：US20040051096A1

    公开(公告)日：2004-03-18

    申请号：US10244591

    申请日：2002-09-17

    发明人： Richard P. Kingsborough ,  Igor Sokolik

    IPC分类号： H01L035/24

    CPC分类号： H01L51/0579 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0583

    摘要： A thin film Zener diode, comprising: (a) a thin film comprised of at least one layer including at least one organic material; and (b) first and second electrodes in contact with respective opposite sides of the thin film, wherein the materials of the first and second electrodes and the thickness of the thin film are selected to provide a pre-selected Zener threshhold voltage.

    摘要翻译： 一种薄膜齐纳二极管，包括：（a）由至少一层包括至少一种有机材料构成的薄膜; 和（b）与薄膜的相应相对侧接触的第一和第二电极，其中选择第一和第二电极的材料和薄膜的厚度以提供预选的齐纳阈值电压。

    Method of creating a hight performance organic semiconductor device
    20.
    发明申请
    Method of creating a hight performance organic semiconductor device 失效
    创造高性能有机半导体器件的方法

    公开(公告)号：US20040033641A1

    公开(公告)日：2004-02-19

    申请号：US10218141

    申请日：2002-08-12

    申请人： Precision Dynamics Corporation

    发明人： Yang Yang ,  Liping Ma ,  Michael L. Beigel

    IPC分类号： H01L021/00 ,  H01L021/84

    CPC分类号： H01L51/0579 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0044 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5221

    摘要： A high temperature thermal annealing process creates a low resistance contact between a metal material and an organic material of an organic semiconductor device, which improves the efficiency of carrier injection. The process forms ohmic contacts and Schottky contacts. Additionally, the process may cause metal ions or atoms to migrate or diffuse into the organic material, cause the organic material to crystallize, or both. The resulting organic semiconductor device has enhanced operating characteristics such as faster speeds of operation. Instead of using heat, the process may use other forms of energy, such as voltage, current, electromagnetic radiation energy for localized heating, infrared energy and ultraviolet energy. An example enhanced organic diode comprising aluminum, carbon C60, and copper is described, as well as example insulated gate field effect transistors.

    摘要翻译： 高温热退火工艺在金属材料和有机半导体器件的有机材料之间产生低电阻接触，这提高了载流子注入的效率。 该过程形成欧姆接触和肖特基接触。 另外，该过程可能导致金属离子或原子迁移或扩散到有机材料中，导致有机材料结晶，或两者都结合。 所得到的有机半导体器件具有增强的操作特性，例如更快的操作速度。 代替使用热量，该方法可以使用其他形式的能量，例如用于局部加热的电压，电流，电磁辐射能量，红外能量和紫外线能量。 描述了包括铝，碳C60和铜的增强有机二极管的示例，以及示例性绝缘栅场效应晶体管。