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    Method of forming a reference voltage and structure therefor
    22.
    发明授权
    Method of forming a reference voltage and structure therefor 有权
    形成参考电压的方法及其结构

    公开(公告)号：US07285943B2

    公开(公告)日：2007-10-23

    申请号：US10512767

    申请日：2003-04-18

    申请人： Paolo Migliavacca

    发明人： Paolo Migliavacca

    IPC分类号： G05F1/573

    CPC分类号： G05F3/30

    摘要： A selected bandgap reference (11) of a voltage generator (10) is operated at a duty cycle that is less than one hundred percent. The seclectable bandgap reference (11) has at a high current consumption when enabled and a low current consumption when disabled. The output voltage of the selectable bandgap reference (11) is stored on a storage element (13) when the selectable bandgap reference (11) is enabled. A high impedance amplifier (16) receives the stored voltage and generates the reference voltage.

    摘要翻译： 所选择的电压发生器（10）的带隙基准（11）的工作周期小于百分之一百。 可选择的带隙参考（11）在使能时具有高电流消耗，禁用时具有低电流消耗。 当可选择的带隙基准（11）被使能时，可选择的带隙基准（11）的输出电压被存储在存储元件（13）上。 高阻抗放大器（16）接收存储的电压并产生参考电压。

    Schottky diode and method of manufacture
    24.
    发明授权
    Schottky diode and method of manufacture 有权
    肖特基二极管及其制造方法

    公开(公告)号：US07279390B2

    公开(公告)日：2007-10-09

    申请号：US11084471

    申请日：2005-03-21

    申请人： Mark Duskin ,  Blanca Estela Kruse

    发明人： Mark Duskin ,  Blanca Estela Kruse

    IPC分类号： H01L21/8222

    CPC分类号： H01L29/66143 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/872

    摘要： A Schottky diode capable of sustaining a breakdown voltage of greater than about 250 volts and a method for its manufacture. An epitaxial layer disposed on a semiconductor substrate has a thickness of at least about 15 micrometers and an impurity concentration ranging from about 1×1014 atoms per cubic centimeter to about 1×1015 atoms per cubic centimeter. A guard ring extends from about 3 micrometers to about 15 micrometers into the epitaxial layer. A dielectric material is formed over the epitaxial layer and a portion of the dielectric material is removed to expose a portion of the guard ring and a portion of the epitaxial layer within the guard ring. An electrically conductive material is formed over the exposed portion of the epitaxial layer and an electrically conductive material is formed in contact with a bottom surface of the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 能够维持大于约250伏的击穿电压的肖特基二极管及其制造方法。 设置在半导体衬底上的外延层的厚度为至少约15微米，杂质浓度范围为每立方厘米约1×10 14原子/约1×10 15原子/ 立方厘米。 保护环从约3微米到约15微米延伸到外延层中。 介电材料形成在外延层上，并且介电材料的一部分被去除以暴露保护环的一部分和保护环内的外延层的一部分。 在外延层的暴露部分之上形成导电材料，并且形成与半导体衬底的底表面接触的导电材料。

    Semiconductor device having trench structures and method
    27.
    发明授权
    Semiconductor device having trench structures and method 有权
    具有沟槽结构和方法的半导体器件

    公开(公告)号：US07256119B2

    公开(公告)日：2007-08-14

    申请号：US11132949

    申请日：2005-05-20

    申请人： Gordon M. Grivna ,  Peter J. Zdebel

    发明人： Gordon M. Grivna ,  Peter J. Zdebel

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L21/76286 ,  H01L21/763

    摘要： In one embodiment, a pair of sidewall passivated trench contacts is formed in a substrate to provide electrical contact to a sub-surface feature. A doped region is diffused between the pair of sidewall passivated trenches to provide low resistance contacts.

    摘要翻译： 在一个实施例中，在衬底中形成一对侧壁钝化沟槽触点以提供与子表面特征的电接触。 掺杂区域在一对侧壁钝化沟槽之间扩散，以提供低电阻触点。

    Power system inhibit method and device and structure therefor
    28.
    发明授权
    Power system inhibit method and device and structure therefor 有权
    电力系统抑制方法及其装置及结构

    公开(公告)号：US07227203B2

    公开(公告)日：2007-06-05

    申请号：US11146772

    申请日：2005-06-08

    申请人： Josef Halamik ,  Jefferson W. Hall

    发明人： Josef Halamik ,  Jefferson W. Hall

    IPC分类号： H01L29/80

    CPC分类号： H01L21/823418 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0285 ,  H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H03K17/082

    摘要： A power control system (25) uses two separate currents to control a startup operation of the power control system (25). The two currents are shunted to ground to inhibit operation of the power control system (25) and one of the two currents is disabled to minimize power dissipation. The two independently controlled currents are generated by a multiple output current high voltage device (12) responsively to two separate control signals (23,24).

    摘要翻译： 电力控制系统（25）使用两个单独的电流来控制功率控制系统（25）的启动操作。 两个电流被分流到地，以禁止功率控制系统（25）的操作，并且禁用两个电流中的一个以最小化功率耗散。 两个独立控制的电流由多输出电流高压装置（12）响应于两个分离的控制信号（23,24）产生。

    Thyristor and method of manufacture
    29.
    发明授权
    Thyristor and method of manufacture 有权
    晶闸管及其制造方法

    公开(公告)号：US07205583B1

    公开(公告)日：2007-04-17

    申请号：US11317213

    申请日：2005-12-22

    申请人： Emmanuel Saucedo-Flores

    发明人： Emmanuel Saucedo-Flores

    IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L21/332

    CPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/66363

    摘要： A thyristor and a method for manufacturing the thyristor that includes providing a semiconductor substrate that has first and second major surfaces. A first doped region is formed in the semiconductor substrate, wherein the first doped extends from the first major surface into the semiconductor substrate. The first doped region has a vertical boundary that has a notched portion. A second doped region is formed in first doped region, wherein the second doped region extends from the first major surface into the first doped region. A third doped region is formed in the semiconductor substrate, wherein the third doped region extends from the second major surface into the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 一种晶闸管和一种制造晶闸管的方法，包括提供具有第一和第二主表面的半导体衬底。 第一掺杂区形成在半导体衬底中，其中第一掺杂从第一主表面延伸到半导体衬底中。 第一掺杂区域具有具有凹口部分的垂直边界。 在第一掺杂区域中形成第二掺杂区域，其中第二掺杂区域从第一主表面延伸到第一掺杂区域。 第三掺杂区域形成在半导体衬底中，其中第三掺杂区域从第二主表面延伸到半导体衬底中。