公开(公告)号：US20130004781A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13615984

申请日：2012-09-14

申请人： Daniel N. Carothers

发明人： Daniel N. Carothers

IPC分类号： B32B15/04

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12097 ,  H01L21/8258 ,  Y10T428/31678

摘要： A method is provided for the integration of an optical gain material into a Complementary metal oxide semiconductor device, the method comprising the steps of: configuring a workpiece from a silicon wafer upon which is disposed an InP wafer bearing an epitaxy layer; mechanically removing the InP substrate; etching the InP remaining on epitaxy layer with hydrochloric acid; depositing at least one Oxide pad on revealed the epitaxy layer; using the Oxide pad as a mask during a first pattern etch removing the epitaxy to an N level; etching with a patterned inductively coupled plasma (ICP) technique; isolating the device on the substrate with additional pattern etching patterning contacts, applying the contacts.

摘要翻译： 提供了一种用于将光学增益材料集成到互补金属氧化物半导体器件中的方法，所述方法包括以下步骤：从硅晶片配置工件，其上设置有承载外延层的InP晶片; 机械去除InP基板; 用盐酸蚀刻留在外延层上的InP; 沉积至少一个氧化物垫显露外延层; 在第一图案蚀刻期间使用氧化物垫作为掩模，将外延移除到N电平; 用图案化电感耦合等离子体（ICP）技术蚀刻; 用附加图案蚀刻图案化触点隔离衬底上的器件，施加触点。

公开(公告)号：US20120252158A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US12521853

申请日：2008-10-27

申请人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T. S. Pomerene ,  Vu A. Vu ,  Robert Kamocsai ,  Timothy J. Conway

发明人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T. S. Pomerene ,  Vu A. Vu ,  Robert Kamocsai ,  Timothy J. Conway

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L27/1467

摘要： An improved method for manufacturing a lateral germanium detector is disclosed. A detector window is opened through an oxide layer to expose a doped single crystalline silicon layer situated on a substrate. Next, a single crystal germanium layer is grown within the detector window, and an amorphous germanium layer is grown on the oxide layer. The amorphous germanium layer is then polished to leave only a small portion around the single crystal germanium layer. A dielectric layer is deposited on the amorphous germanium layer and the single crystal germanium layer. Using resist masks and ion implants, multiple doped regions are formed on the single crystal germanium layer. After opening several oxide windows on the dielectric layer, a refractory metal layer is deposited on the doped regions to form multiple germanide layers.

摘要翻译： 公开了用于制造侧向锗检测器的改进方法。 检测器窗口通过氧化物层打开以暴露位于衬底上的掺杂单晶硅层。 接下来，在检测器窗口内生长单晶锗层，并且在氧化物层上生长非晶锗层。 然后抛光无定形锗层以在单晶锗层周围仅留下一小部分。 介电层沉积在非晶锗层和单晶锗层上。 使用抗蚀剂掩模和离子注入，在单晶锗层上形成多个掺杂区。 在介电层上打开几个氧化物窗后，在掺杂区域上沉积难熔金属层以形成多个锗化物层。

公开(公告)号：US20120098101A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13316920

申请日：2011-12-12

申请人： Daniel N. CAROTHERS ,  Rick THOMPSON

发明人： Daniel N. CAROTHERS ,  Rick THOMPSON

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L51/0015 ,  B82Y10/00 ,  C23C10/02 ,  C23C16/042 ,  C23C16/26 ,  C23C16/483 ,  C23C26/00 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0048

摘要： A system is provided for the manufacture of carbon based electrical components including, an ultraviolet light source; a substrate receiving unit whereby a substrate bearing a first layer of carbon based semiconductor is received and disposed beneath the ultraviolet light source; a mask disposed between the ultraviolet light source and the carbon based semiconductor layer; a doping agent precursor source; and environmental chemical controls, configured such that light from the ultraviolet light source irradiates a doping agent precursor and the first carbon layer.

摘要翻译： 提供一种用于制造碳基电气部件的系统，包括紫外光源; 基板接收单元，由此容纳并设置在所述紫外线光源下方的具有第一碳基半导体层的基板; 掩模，设置在所述紫外光源和所述碳基半导体层之间; 掺杂剂前体源; 以及环境化学品控制，其被配置为使得来自紫外光源的光照射掺杂剂前体和第一碳层。

公开(公告)号：US08031343B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US12525965

申请日：2008-08-29

申请人： Daniel N. Carothers ,  Jefferson E. Odhner

发明人： Daniel N. Carothers ,  Jefferson E. Odhner

IPC分类号： G01C19/72

CPC分类号： G01C19/72

摘要： A waveguide optical gyroscope is disclosed. The waveguide optical gyroscope includes a laser, two detectors, a set of couplers and a set of waveguides. The laser generates a light beam. A first waveguide guides the light beam to travel in a first direction, and a second waveguide guides the light beam to travel in a second direction. The first and second waveguides are coupled to several ring waveguides via the couplers. The first detector detects the arrival of the light beam traveling from the first waveguide, and the second detector detects the arrival of the light beam traveling from the second waveguide.

摘要翻译： 公开了一种波导光学陀螺仪。 波导光学陀螺仪包括激光器，两个检测器，一组耦合器和一组波导。 激光产生光束。 第一波导引导光束沿第一方向行进，第二波导引导光束沿第二方向行进。 第一和第二波导通过耦合器耦合到多个环形波导。 第一检测器检测从第一波导传播的光束的到达，并且第二检测器检测从第二波导传播的光束的到达。

公开(公告)号：US20110036289A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12539003

申请日：2009-08-11

申请人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T.S. Pomerene ,  Vu A. Vu

发明人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T.S. Pomerene ,  Vu A. Vu

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02658

摘要： A method for growing germanium epitaxial films is disclosed. Initially, a silicon substrate is preconditioned with hydrogen gas. The temperature of the preconditioned silicon substrate is then decreased, and germane gas is flowed over the preconditioned silicon substrate to form an intrinsic germanium seed layer. Next, a mixture of germane and phosphine gases can be flowed over the intrinsic germanium seed layer to produce an n-doped germanium seed layer. Otherwise, a mixture of diborane and germane gases can be flowed over the intrinsic germanium seed layer to produce a p-doped germanium seed layer. At this point, a bulk germanium layer can be grown on top of the doped germanium seed layer.

摘要翻译： 公开了一种用于生长锗外延膜的方法。 首先，用氢气预处理硅衬底。 然后，预处理的硅衬底的温度降低，并且锗烷气体在预处理的硅衬底上流动以形成固有的锗种子层。 接下来，可以将锗烷烃和磷化氢气体的混合物流过本征锗种子层，以产生n掺杂的锗种子层。 否则，乙硼烷和锗烷气体的混合物可以流过本征锗种子层，以产生p掺杂锗种子层。 此时，可以在掺杂的锗种子层的顶部上生长大块锗层。

公开(公告)号：US20100140708A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12328853

申请日：2008-12-05

申请人： Craig M. Hill ,  Andrew T. Pomerene ,  Daniel N. Carothers ,  Timothy J. Conway ,  Vu A. Vu

发明人： Craig M. Hill ,  Andrew T. Pomerene ,  Daniel N. Carothers ,  Timothy J. Conway ,  Vu A. Vu

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/84 ,  G02B6/136 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Techniques are disclosed that facilitate fabrication of semiconductors including structures and devices of varying thickness. One embodiment provides a method for semiconductor device fabrication that includes thinning a region of a semiconductor wafer upon which the device is to be formed thereby defining a thin region and a thick region of the wafer. The method continues with forming on the thick region one or more photonic devices and/or partially depleted electronic devices, and forming on the thin region one or more fully depleted electronic devices. Another embodiment provides a semiconductor device that includes a semiconductor wafer defining a thin region and a thick region. The device further includes one or more photonic devices and/or partially depleted electronic devices formed on the thick region, and one or more fully depleted electronic devices formed on the thin region. An isolation area can be formed between the thin region and the thick region.

摘要翻译： 公开了促进包括不同厚度的结构和器件的半导体的制造的技术。 一个实施例提供了一种用于半导体器件制造的方法，其包括使要形成器件的半导体晶片的区域变薄从而限定晶片的薄区域和厚区域。 该方法继续在厚区域上形成一个或多个光子器件和/或部分耗尽的电子器件，并且在薄区域上形成一个或多个完全耗尽的电子器件。 另一个实施例提供一种半导体器件，其包括限定薄区域和厚区域的半导体晶片。 该器件还包括形成在厚区域上的一个或多个光子器件和/或部分耗尽的电子器件，以及形成在薄区域上的一个或多个完全耗尽的电子器件。 可以在薄区域和厚区域之间形成隔离区域。

公开(公告)号：US07693354B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US12201791

申请日：2008-08-29

申请人： Daniel N. Carothers

发明人： Daniel N. Carothers

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02B6/136 ,  G02B6/122 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12135 ,  G02B2006/12142 ,  G02F1/0147 ,  G02F1/025 ,  G02F1/2257

摘要： A salicide heater structure for use in thermo-optic and other heat-influenced semiconductor devices is disclosed. In one example embodiment, a system is provided that includes a silicon substrate, and a salicide heating element formed on the substrate, for delivering heat radiation to a heat-influenced semiconductor device. Another example embodiment is a salicide semiconductor system that includes a silicon substrate and a salicide structure formed on the substrate, wherein the salicide structure is for delivering heat radiation to a heat-influenced semiconductor device.

摘要翻译： 公开了一种用于热光和其他受热影响的半导体器件的自对准硅加热器结构。 在一个示例性实施例中，提供了一种系统，其包括硅衬底和形成在衬底上的用于将热辐射传递到受热影响的半导体器件的硅化物加热元件。 另一个示例性实施例是一种自对准半导体系统，其包括硅衬底和形成在衬底上的自对准硅化物结构，其中所述自对准硅结构用于将热辐射传递到受热影响的半导体器件。

公开(公告)号：US20100055919A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12201618

申请日：2008-08-29

申请人： Daniel N. Carothers

发明人： Daniel N. Carothers

IPC分类号： H01L21/302 ,  B32B15/04

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/13 ,  G02B2006/12078 ,  G02B2006/12097 ,  H01L21/8258 ,  Y10T428/31678

摘要： A method is provided for the integration of an optical gain material into a Complementary metal oxide semiconductor device, the method comprising the steps of: configuring a workpiece from a silicon wafer upon which is disposed an InP wafer bearing an epitaxy layer; mechanically removing the InP substrate; etching the InP remaining on epitaxy layer with hydrochloric acid; depositing at least one Oxide pad on revealed the epitaxy layer; using the Oxide pad as a mask during a first pattern etch removing the epitaxy to an N level; etching with a patterned inductively coupled plasma (ICP) technique; isolating the device on the substrate with additional pattern etching patterning contacts, appling the contacts.

摘要翻译： 提供了一种用于将光学增益材料集成到互补金属氧化物半导体器件中的方法，所述方法包括以下步骤：从硅晶片配置工件，其上设置有承载外延层的InP晶片; 机械去除InP基板; 用盐酸蚀刻留在外延层上的InP; 沉积至少一个氧化物垫显露外延层; 在第一图案蚀刻期间使用氧化物垫作为掩模，将外延移除到N电平; 用图案化电感耦合等离子体（ICP）技术蚀刻; 用附加的图案蚀刻图形化触点隔离衬底上的器件，施加触点。

公开(公告)号：US09305779B2

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：US12539003

申请日：2009-08-11

申请人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T. S. Pomerene ,  Vu A. Vu

发明人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T. S. Pomerene ,  Vu A. Vu

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02658

摘要： A method for growing germanium epitaxial films is disclosed. Initially, a silicon substrate is preconditioned with hydrogen gas. The temperature of the preconditioned silicon substrate is then decreased, and germane gas is flowed over the preconditioned silicon substrate to form an intrinsic germanium seed layer. Next, a mixture of germane and phosphine gases can be flowed over the intrinsic germanium seed layer to produce an n-doped germanium seed layer. Otherwise, a mixture of diborane and germane gases can be flowed over the intrinsic germanium seed layer to produce a p-doped germanium seed layer. At this point, a bulk germanium layer can be grown on top of the doped germanium seed layer.

摘要翻译： 公开了一种用于生长锗外延膜的方法。 首先，用氢气预处理硅衬底。 然后，预处理的硅衬底的温度降低，并且锗烷气体在预处理的硅衬底上流动以形成固有的锗种子层。 接下来，可以将锗烷烃和磷化氢气体的混合物流过本征锗种子层，以产生n掺杂的锗种子层。 否则，乙硼烷和锗烷气体的混合物可以流过本征锗种子层，以产生p掺杂锗种子层。 此时，可以在掺杂的锗种子层的顶部上生长大块锗层。

公开(公告)号：US20120304919A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13585931

申请日：2012-08-15

申请人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T.S. Pomerene ,  Vu A. Vu

发明人： Daniel N. Carothers ,  Craig M. Hill ,  Andrew T.S. Pomerene ,  Vu A. Vu

IPC分类号： C30B25/10

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02658

摘要： A method for growing germanium epitaxial films is disclosed. Initially, a silicon substrate is preconditioned with hydrogen gas. The temperature of the preconditioned silicon substrate is then decreased, and germane gas is flowed over the preconditioned silicon substrate to form an intrinsic germanium seed layer. Next, a mixture of germane and phosphine gases can be flowed over the intrinsic germanium, seed layer to produce an n-doped germanium seed layer. Otherwise, a mixture of diborane and germane gases can be flowed over the intrinsic germanium seed layer to produce a p-doped germanium seed layer. At this point, a hulk germanium layer can be grown on top of the doped germanium seed layer.

摘要翻译： 公开了一种用于生长锗外延膜的方法。 首先，用氢气预处理硅衬底。 然后，预处理的硅衬底的温度降低，并且锗烷气体在预处理的硅衬底上流动以形成固有的锗种子层。 接下来，可以将锗烷烃和磷化氢气体的混合物流过本征锗，种子层，以产生n掺杂的锗种子层。 否则，乙硼烷和锗烷气体的混合物可以流过本征锗种子层，以产生p掺杂锗种子层。 此时，可以在掺杂的锗种子层的顶部生长富锗锗层。