公开(公告)号：US08048742B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11819888

申请日：2007-06-29

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Dong-Sun Sheen ,  Se-Aug Jang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung ,  Tae-Yoon Kim

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Dong-Sun Sheen ,  Se-Aug Jang ,  Heung-Jae Cho ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung ,  Tae-Yoon Kim

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/78

摘要： A method for fabricating a transistor including a bulb-type recess channel includes forming a bulb-type recess pattern in a substrate, forming a gate insulating layer over the substrate and the bulb-type recess pattern, forming a first gate conductive layer over the gate insulating layer, forming a void movement blocking layer over the first gate conductive layer in the bulb-type recess pattern, and forming a second gate conductive layer over the void movement blocking layer and the first gate conductive layer.

摘要翻译： 一种制造包括灯泡型凹槽的晶体管的方法，包括在衬底中形成灯泡型凹槽图案，在衬底上形成栅极绝缘层和灯泡型凹槽图案，在栅极上形成第一栅极导电层 绝缘层，在所述灯泡型凹槽图案中的所述第一栅极导电层的上方形成空隙移动阻挡层，以及在所述空隙运动阻挡层和所述第一栅极导电层上方形成第二栅极导电层。

公开(公告)号：US07902614B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US11862003

申请日：2007-09-26

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

IPC分类号： H01L29/423

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive layer, a first intermediate structure over the first conductive layer, a second intermediate structure over the first intermediate structure, and a second conductive layer over the second intermediate structure. The first intermediate structure includes a metal silicide layer and a nitrogen containing metal layer. The second intermediate structure includes at least a nitrogen containing metal silicide layer.

摘要翻译： 半导体器件包括第一导电层，第一导电层上的第一中间结构，第一中间结构之上的第二中间结构以及第二中间结构上的第二导电层。 第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层。 第二中间结构至少包括含氮金属硅化物层。

公开(公告)号：US20100084714A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12632736

申请日：2009-12-07

申请人： Kwan-Yong LIM ,  Heung-Jae CHO ,  Min-Gyu SUNG

发明人： Kwan-Yong LIM ,  Heung-Jae CHO ,  Min-Gyu SUNG

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L29/7831 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

摘要： A dual polysilicon gate of a semiconductor device includes a substrate having a first region, a second region, and a third region, a channel region with a recessed structure formed in the first region of the substrate, a gate insulating layer formed over the substrate, a first polysilicon layer filled into the channel region, and formed over the gate insulating layer of the first and second regions, a second polysilicon layer formed over the gate insulating layer of the third region, and an insulating layer doped with an impurity, and disposed inside the first polysilicon layer in the channel region.

摘要翻译： 半导体器件的双多晶硅栅极包括具有第一区域，第二区域和第三区域的衬底，形成在衬底的第一区域中的凹陷结构的沟道区，在衬底上形成的栅极绝缘层， 并且形成在所述第一和第二区域的所述栅极绝缘层之上的第一多晶硅层，形成在所述第三区域的所述栅极绝缘层上的第二多晶硅层和掺杂有杂质的绝缘层， 在通道区域的第一多晶硅层的内部。

公开(公告)号：US07687389B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11448678

申请日：2006-06-08

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28247

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a gate insulation layer over a substrate, forming a first gate conductive layer over the gate insulation layer, forming a barrier metal over the first gate conductive layer, sequentially forming a second gate conductive layer and a gate hard mask over the barrier metal, patterning the gate hard mask, the second gate conductive layer, the barrier metal, the first gate conductive layer, and the gate insulation layer to form a gate pattern, and performing a plasma selective gate re-oxidation process on the gate pattern.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成第一栅极导电层，在第一栅极导电层上形成阻挡金属，依次形成第二栅极导电层和栅极 图案化栅极硬掩模，第二栅极导电层，势垒金属，第一栅极导电层和栅极绝缘层以形成栅极图案，并且执行等离子体选择性栅极再氧化工艺 在门模式上。

公开(公告)号：US20090146246A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12134144

申请日：2008-06-05

申请人： Yun Taek Hwang ,  Kwan Yong Lim

发明人： Yun Taek Hwang ,  Kwan Yong Lim

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897

摘要： The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacture thereof, being capable of improving the high integration by increasing a cell region while securing the reliability of device and the process margin through forming a cell region and a core region with the stacking structure.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其能够通过形成具有层叠结构的单元区域和芯部区域来确保器件的可靠性和工艺裕度，同时通过增加单元区域来提高高集成度 。

公开(公告)号：US20080157383A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11862003

申请日：2007-09-26

申请人： Kwan-Yong LIM ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

发明人： Kwan-Yong LIM ,  Hong-Seon Yang ,  Heung-Jae Cho ,  Tae-Kyung Kim ,  Yong-Soo Kim ,  Min-Gyu Sung

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/4925 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first conductive layer, a first intermediate structure over the first conductive layer, a second intermediate structure over the first intermediate structure, and a second conductive layer over the second intermediate structure. The first intermediate structure includes a metal silicide layer and a nitrogen containing metal layer. The second intermediate structure includes at least a nitrogen containing metal silicide layer.

摘要翻译： 半导体器件包括第一导电层，第一导电层上的第一中间结构，第一中间结构之上的第二中间结构以及第二中间结构上的第二导电层。 第一中间结构包括金属硅化物层和含氮金属层。 第二中间结构至少包括含氮金属硅化物层。

公开(公告)号：US20070148943A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11512572

申请日：2006-08-30

申请人： Soo Hyun Kim ,  Kwan Yong Lim ,  Baek Mann Kim ,  Young Jin Lee ,  Noh Jung Kwak ,  Hyun Chul Sohn

发明人： Soo Hyun Kim ,  Kwan Yong Lim ,  Baek Mann Kim ,  Young Jin Lee ,  Noh Jung Kwak ,  Hyun Chul Sohn

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76841 ,  H01L21/28562 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10885 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device. This method includes the step of forming a diffusion barrier film, which is interposed between a silicon film and a metal film and functions to prevent diffusion between the silicon and metal films. The diffusion barrier film is formed of a WSixNy film or a WSix film by using an ALD process.

摘要翻译： 公开了半导体器件的制造方法。 该方法包括形成介于硅膜和金属膜之间的扩散阻挡膜的步骤，其功能是防止硅和金属膜之间的扩散。 通过使用ALD工艺，由WSixNy膜或WSix膜形成扩散阻挡膜。

公开(公告)号：US20070045854A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11510709

申请日：2006-08-28

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L27/10885 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

摘要： A semiconductor memory device includes a titanium layer and a titanium nitride layer formed on a substrate, a thin layer formed on the titanium nitride layer, and a metal layer formed on the thin layer, wherein the thin layer increases a grain size of the metal layer.

摘要翻译： 半导体存储器件包括钛基层和形成在衬底上的氮化钛层，形成在氮化钛层上的薄层和形成在薄层上的金属层，其中薄层增加金属层的晶粒尺寸 。

公开(公告)号：US20070001246A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：US11262944

申请日：2005-11-01

申请人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang ,  Seung-Ryong Lee

发明人： Kwan-Yong Lim ,  Min-Gyu Sung ,  Heung-Jae Cho ,  Hong-Seon Yang ,  Seung-Ryong Lee

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/78

摘要： A gate electrode with a double diffusion barrier and a fabrication method of a semiconductor device including the same are provided. The gate electrode of a semiconductor device includes: a silicon electrode; a double diffusion barrier formed on the silicon electrode and including at least a crystalline tungsten nitride-based layer; and a metal electrode formed on the double diffusion barrier.

摘要翻译： 提供具有双扩散阻挡层的栅电极及包括该栅电极的半导体器件的制造方法。 半导体器件的栅电极包括：硅电极; 形成在所述硅电极上并且至少包含结晶氮化钨基层的双重扩散阻挡层; 以及形成在双扩散阻挡层上的金属电极。

公开(公告)号：US07081390B2

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：US10614189

申请日：2003-07-08

申请人： Kwan Yong Lim ,  Heung Jae Cho ,  Jung Ho Lee

发明人： Kwan Yong Lim ,  Heung Jae Cho ,  Jung Ho Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66651 ,  H01L21/28123

摘要： Disclosed are a semiconductor devices and method of fabricating the same. Anti-etch films are formed in the top corners of the device isolation film using a material that has a different etch selectivity ratio from nitride or oxide and is not etched in an oxide gate pre-cleaning process. It is thus possible to prevent formation of a moat at the top corners of the device isolation film and the gate oxide film from being thinly formed, thereby improving reliability and electrical characteristics of the device.

摘要翻译： 公开了半导体器件及其制造方法。 使用具有与氮化物或氧化物不同的蚀刻选择比的材料并且在氧化物栅极预清洁工艺中不被蚀刻的材料在器件隔离膜的顶角形成防蚀刻膜。 因此，可以防止在器件隔离膜和栅极氧化膜的顶角形成护城河，从而提高器件的可靠性和电气特性。