公开(公告)号：US20130064989A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13608709

申请日：2012-09-10

申请人： Christopher R. Hatem ,  Ludovic Godet ,  Louis Steen ,  Deepak A. Ramappa

发明人： Christopher R. Hatem ,  Ludovic Godet ,  Louis Steen ,  Deepak A. Ramappa

IPC分类号： C23C14/48

CPC分类号： C23C14/048 ,  H01J37/32412

摘要： A surface of an insulating workpiece is implanted to form either hydrophobic or hydrophilic implanted regions. A conductive coating is deposited on the workpiece. The coating may be a polymer in one instance. This coating preferentially forms either on the implanted regions if these implanted regions are hydrophilic or on the non-implanted regions if the implanted regions are hydrophobic.

摘要翻译： 植入绝缘工件的表面以形成疏水或亲水注入区域。 导电涂层沉积在工件上。 在一种情况下，涂层可以是聚合物。 如果这些注入区域是亲水的，则该涂层优选地形成在注入区域上，或者如果注入的区域是疏水的，则优选地形成在非注入区域上。

公开(公告)号：US20130045339A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13210122

申请日：2011-08-15

申请人： Ludovic Godet ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau

发明人： Ludovic Godet ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/50 ,  B05C11/00

CPC分类号： C23C14/0611 ,  C23C14/042 ,  C23C14/221 ,  C23C14/54

摘要： Techniques for diamond nucleation control for thin film processing are disclosed. In one particular embodiment, the techniques may be realized as a method for generating a plasma having a plurality of ions; depositing a plurality of diamond nucleation centers on a substrate with the ions in the plasma using an extraction plate having at least one gap, wherein the plasma ions pass through the at least one gap in the extraction plate to generate a focused ion beam to deposit the plurality of diamond nucleation centers; and controlling the growth of a continuous diamond film from the diamond nucleation centers on the substrate by controlling at least one of a temperature around the substrate, a temperature of the plasma, a pressure around the substrate, and a concentration of the ions in the plasma.

公开(公告)号：US20120175518A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US12987950

申请日：2011-01-10

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher J. Leavitt ,  Bon-Woong Koo ,  Anthony Renau

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher J. Leavitt ,  Bon-Woong Koo ,  Anthony Renau

IPC分类号： H01J49/00

CPC分类号： H01J49/40 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32935 ,  H01J49/04 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

摘要： A time-of-flight (TOF) ion sensor system for monitoring an angular distribution of ion species having an ion energy and incident on a substrate includes a drift tube wherein the ion sensor system is configured to vary an angle of the drift tube with respect to a plane of the substrate. The drift tube may have a first end configured to receive a pulse of ions from the ion species wherein heavier ions and lighter ions of the pulse of ions arrive in packets at a second end of the drift tube. An ion detector may be disposed at the second end of the ion sensor, wherein the ion detector is configured to detect the packets of ions derived from the pulse of ions and corresponding to respective different ion masses.

摘要翻译： 用于监测具有离子能并入射在衬底上的离子种类的角分布的飞行时间（TOF）离子传感器系统包括漂移管，其中离子传感器系统被配置为相对于漂移管的角度改变 到基板的平面。 漂移管可以具有构造成从离子物质接收离子脉冲的第一端，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子在漂移管的第二端处分组到达。 离子检测器可以设置在离子传感器的第二端处，其中离子检测器被配置为检测源自离子脉冲的离子的分组并且对应于各个不同的离子质量。

公开(公告)号：US08288255B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13364415

申请日：2012-02-02

申请人： Xianfeng Lu ,  Ludovic Godet ,  Anthony Renau

发明人： Xianfeng Lu ,  Ludovic Godet ,  Anthony Renau

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/425 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L31/02963

摘要： ZnTe is implanted with a first species selected from Group III and a second species selected from Group VII. This may be preformed using sequential implants, implants of the first species and second species that are at least partially simultaneous, or a molecular species comprising an atom selected from Group III and an atom selected from Group VII. The implants may be performed at an elevated temperature in one instance between 70° C. and 800° C.

摘要翻译： ZnTe植入选自III族的第一种和选自第VII组的第二种。 这可以使用顺序植入物，第一物质的植入物和至少部分同时的第二物质，或包含选自III族的原子和选自VII族的原子的分子物质来进行。 植入物可以在70℃和800℃之间的一个高温下进行。

公开(公告)号：US09425027B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US13470731

申请日：2012-05-14

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

IPC分类号： C23C14/48 ,  C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  B41J2/16

CPC分类号： C23C14/48 ,  B41J2/1606 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623

摘要： Methods of affecting a material's properties through the implantation of ions, such as by using a plasma processing apparatus with a plasma sheath modifier. In this way, properties such as resistance to chemicals, adhesiveness, hydrophobicity, and hydrophilicity, may be affected. These methods can be applied to a variety of technologies. In some cases, ion implantation is used in the manufacture of printer heads to reduce clogging by increasing the materials hydrophobicity. In other embodiments, MEMS and NEMS devices are produced using ion implantation to change the properties of fluid channels and other structures. In addition, ion implantation can be used to affect a material's resistance to chemicals, such as acids.

摘要翻译： 通过离子注入来影响材料性质的方法，例如通过使用具有等离子体护套改性剂的等离子体处理装置。 以这种方式，可以影响耐化学性，粘合性，疏水性和亲水性等特性。 这些方法可以应用于各种技术。 在某些情况下，离子注入用于制造打印头，以通过增加材料疏水性来减少堵塞。 在其他实施例中，使用离子注入来生产MEMS和NEMS装置，以改变流体通道和其它结构的性质。 此外，可以使用离子注入来影响材料对诸如酸的化学物质的抗性。

公开(公告)号：US08698107B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US12987950

申请日：2011-01-10

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher J. Leavitt ,  Bon-Woong Koo ,  Anthony Renau

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher J. Leavitt ,  Bon-Woong Koo ,  Anthony Renau

IPC分类号： H01J37/30

CPC分类号： H01J49/40 ,  H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32935 ,  H01J49/04 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

摘要： A time-of-flight (TOF) ion sensor system for monitoring an angular distribution of ion species having an ion energy and incident on a substrate includes a drift tube wherein the ion sensor system is configured to vary an angle of the drift tube with respect to a plane of the substrate. The drift tube may have a first end configured to receive a pulse of ions from the ion species wherein heavier ions and lighter ions of the pulse of ions arrive in packets at a second end of the drift tube. An ion detector may be disposed at the second end of the ion sensor, wherein the ion detector is configured to detect the packets of ions derived from the pulse of ions and corresponding to respective different ion masses.

摘要翻译： 用于监测具有离子能并入射在衬底上的离子种类的角分布的飞行时间（TOF）离子传感器系统包括漂移管，其中离子传感器系统被配置为相对于漂移管的角度改变 到基板的平面。 漂移管可以具有构造成从离子物质接收离子脉冲的第一端，其中离子脉冲的较重离子和较轻离子在漂移管的第二端处分组到达。 离子检测器可以设置在离子传感器的第二端处，其中离子检测器被配置为检测源自离子脉冲的离子的分组并且对应于各个不同的离子质量。

公开(公告)号：US20120288637A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13470731

申请日：2012-05-14

申请人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

发明人： Ludovic Godet ,  Christopher Hatem ,  Deepak Ramappa ,  Xianfeng Lu ,  Anthony Renau ,  Patrick Martin

IPC分类号： C23C14/48

CPC分类号： C23C14/48 ,  B41J2/1606 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623

摘要： Methods of affecting a material's properties through the implantation of ions, such as by using a plasma processing apparatus with a plasma sheath modifier. In this way, properties such as resistance to chemicals, adhesiveness, hydrophobicity, and hydrophilicity, may be affected. These methods can be applied to a variety of technologies. In some cases, ion implantation is used in the manufacture of printer heads to reduce clogging by increasing the materials hydrophobicity. In other embodiments, MEMS and NEMS devices are produced using ion implantation to change the properties of fluid channels and other structures. In addition, ion implantation can be used to affect a material's resistance to chemicals, such as acids.

摘要翻译： 通过离子注入来影响材料性质的方法，例如通过使用具有等离子体护套改性剂的等离子体处理装置。 以这种方式，可以影响耐化学性，粘合性，疏水性和亲水性等特性。 这些方法可以应用于各种技术。 在某些情况下，离子注入用于制造打印头，以通过增加材料疏水性来减少堵塞。 在其他实施例中，使用离子注入来生产MEMS和NEMS装置，以改变流体通道和其它结构的性质。 此外，可以使用离子注入来影响材料对诸如酸的化学物质的抗性。

公开(公告)号：US08679960B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US12902250

申请日：2010-10-12

申请人： George D. Papasouliotis ,  Vikram Singh ,  Heyun Yin ,  Helen L. Maynard ,  Ludovic Godet

发明人： George D. Papasouliotis ,  Vikram Singh ,  Heyun Yin ,  Helen L. Maynard ,  Ludovic Godet

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32834 ,  H01L29/66803

摘要： A method of processing a substrate having horizontal and non-horizontal surfaces is disclosed. The substrate is implanted with particles using an ion implanter. During the ion implant, due to the nature of the implant process, a film may be deposited on the surfaces, wherein the thickness of this film is thicker on the horizontal surfaces. The presences of this film may adversely alter the properties of the substrate. To rectify this, a second process step is performed to remove the film deposited on the horizontal surfaces. In some embodiments, an etching process is used to remove this film. In some embodiments, a material modifying step is used to change the composition of the material comprising the film. This material modifying step may be instead of, or in addition to the etching process.

摘要翻译： 公开了一种处理具有水平和非水平表面的衬底的方法。 使用离子注入机将基片注入颗粒。 在离子注入期间，由于植入过程的性质，可以在表面上沉积膜，其中该膜的厚度在水平表面上更厚。 该膜的存在可能不利地改变基材的性质。 为了纠正这一点，执行第二处理步骤以去除沉积在水平表面上的膜。 在一些实施例中，使用蚀刻工艺去除该膜。 在一些实施方案中，材料修饰步骤用于改变包含该膜的材料的组成。 该材料修饰步骤可以代替或补充蚀刻工艺。

公开(公告)号：US20100252531A1

公开(公告)日：2010-10-07

申请号：US12645638

申请日：2009-12-23

申请人： Ludovic Godet ,  Timothy Miller ,  George Papasouliotis ,  Vikram Singh

发明人： Ludovic Godet ,  Timothy Miller ,  George Papasouliotis ,  Vikram Singh

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23C16/513

CPC分类号： B44C1/227 ,  C23C16/045 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/3344 ,  H01J2237/3345

摘要： A plasma processing tool is used to deposit material on a workpiece. For example, a method for conformal deposition of material is disclosed. In this embodiment, the plasma sheath shape is modified to allow material to impact the workpiece at a range of incident angles. By varying this range of incident angles over time, a variety of different features can be deposited onto. In another embodiment, a plasma processing tool is used to etch a workpiece. In this embodiment, the plasma sheath shape is altered to allow ions to impact the workpiece at a range of incident angles. By varying this range of incident angles over time, a variety of differently shaped features can be created.

摘要翻译： 使用等离子体处理工具将材料沉积在工件上。 例如，公开了一种用于材料的共形沉积的方法。 在该实施例中，等离子体护套形状被修改以允许材料在入射角的范围内冲击工件。 通过随时间改变入射角的这个范围，可以沉积各种不同的特征。 在另一个实施例中，使用等离子体处理工具来蚀刻工件。 在该实施例中，等离子体鞘形状被改变以允许离子在入射角的范围内冲击工件。 通过随时间改变入射角的这个范围，可以产生各种不同形状的特征。

公开(公告)号：US07476849B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11371907

申请日：2006-03-10

申请人： Bon-Woong Koo ,  Ludovic Godet ,  Vassilis Panayotis Vourloumis ,  Vikram Singh ,  Ziwei Fang

发明人： Bon-Woong Koo ,  Ludovic Godet ,  Vassilis Panayotis Vourloumis ,  Vikram Singh ,  Ziwei Fang

IPC分类号： H01J49/40 ,  G01N27/26 ,  G01N33/00

CPC分类号： H01J49/40 ,  H01J37/32935

摘要： An in-situ ion sensor is disclosed for monitoring ion species in a plasma chamber. The ion sensor may comprise: a drift tube; an extractor electrode and a plurality of electrostatic lenses disposed at a first end of the drift tube, wherein the extractor electrode is biased to attract ions from a plasma in the plasma chamber, and wherein the plurality of electrostatic lenses cause at least one portion of the attracted ions to enter the drift tube and drift towards a second end of the drift tube within a limited divergence angle; an ion detector disposed at the second end of the drift tube, wherein the ion detector detects arrival times associated with the at least one portion of the attracted ions; and a housing for the extractor, the plurality of electrostatic lenses, the drift tube, and the ion detector, wherein the housing accommodates differential pumping between the ion sensor and the plasma chamber.

摘要翻译： 公开了用于监测等离子体室中的离子种类的原位离子传感器。 离子传感器可以包括：漂移管; 提取器电极和设置在漂移管的第一端处的多个静电透镜，其中所述提取器电极被偏置以从所述等离子体室中的等离子体吸引离子，并且其中所述多个静电透镜引起所述静电透镜的至少一部分 吸引离子进入漂移管并在有限的发散角内漂移到漂移管的第二端; 设置在所述漂移管的第二端处的离子检测器，其中所述离子检测器检测与所述吸引离子的所述至少一部分相关联的到达时间; 以及用于提取器，多个静电透镜，漂移管和离子检测器的壳体，其中壳体容纳离子传感器和等离子体室之间的差分泵浦。