公开(公告)号：US07648820B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11614799

申请日：2006-12-21

申请人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

发明人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/09 ,  G03C1/825

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective hardmask compositions and techniques for the use of antireflective hardmask compositions for processing of semiconductor devices are provided. In one aspect of the invention, an antireflective hardmask layer for lithography is provided. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component. In another aspect of the invention, a method for processing a semiconductor device is provided. The method comprises the steps of: providing a material layer on a substrate; forming an antireflective hardmask layer over the material layer. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件加工的抗反射硬掩模组​​合物的抗反射硬掩模组​​合物和技术。 在本发明的一个方面，提供了用于光刻的抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。 在本发明的另一方面，提供一种用于处理半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上提供材料层; 在材料层上形成抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。

公开(公告)号：US07497959B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US10709514

申请日：2004-05-11

申请人： Deok-kee Kim ,  Kenneth T. Settlemyer, Jr. ,  Kangguo Cheng ,  Ramachandra Divakaruni ,  Carl J. Radens ,  Dirk Pfeiffer ,  Timothy Dalton ,  Katherina Babich ,  Arpan P. Mahorowala ,  Harald Okorn-Schmidt

发明人： Deok-kee Kim ,  Kenneth T. Settlemyer, Jr. ,  Kangguo Cheng ,  Ramachandra Divakaruni ,  Carl J. Radens ,  Dirk Pfeiffer ,  Timothy Dalton ,  Katherina Babich ,  Arpan P. Mahorowala ,  Harald Okorn-Schmidt

IPC分类号： H01B3/00 ,  H01L21/31 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L21/0337 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： Increased protection of areas of a chip are provided by both a mask structure of increased robustness in regard to semiconductor manufacturing processes or which can be removed with increased selectivity and controllability in regard to underlying materials, or both. Mask structures are provided which exhibit an interface of a chemical reaction, grain or material type which can be exploited to enhance either or both types of protection. Structures of such masks include TERA material which can be converted or hydrated and selectively etched using a mixture of hydrogen fluoride and a hygroscopic acid or organic solvent, and two layer structures of similar or dissimilar materials.

摘要翻译： 增加对芯片区域的保护是通过在半导体制造工艺方面具有增强的鲁棒性的掩模结构来提供的，或者可以以相对于下面的材料或两者的增加的选择性和可控性被去除。 提供掩模结构，其显示化学反应，颗粒或材料类型的界面，其可被利用以增强任一种或两种类型的保护。 这种掩模的结构包括TERA材料，其可以使用氟化氢和吸湿性酸或有机溶剂的混合物以及相似或不同材料的两层结构进行转化或水合并选择性蚀刻。

公开(公告)号：US07485573B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11356027

申请日：2006-02-17

申请人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Richard A. Conti ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

发明人： Marie Angelopoulos ,  Katherina E. Babich ,  Sean D. Burns ,  Richard A. Conti ,  Allen H. Gabor ,  Scott D. Halle ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： G03F7/091 ,  Y10S438/952

摘要： A lithographic structure consisting essentially of: an organic antireflective material disposed on a substrate; a vapor-deposited RCHX material, wherein R is one or more elements selected from the group consisting of Si, Ge, B, Sn, Fe and Ti, and wherein X is not present or is one or more elements selected from the group consisting of O, N, S and F; and a photoresist material disposed on the RCHX material. The invention is also directed to methods of making the lithographic structure, and using the structure to pattern a substrate.

摘要翻译： 一种光刻结构，主要由以下部分组成：设置在基板上的有机抗反射材料; 气相沉积的RCHX材料，其中R是选自Si，Ge，B，Sn，Fe和Ti中的一种或多种元素，并且其中X不存在或者是选自以下的一种或多种元素： O，N，S和F; 以及设置在RCHX材料上的光致抗蚀剂材料。 本发明还涉及制造光刻结构的方法，并且使用该结构来图案化衬底。

公开(公告)号：US20080187731A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US12062186

申请日：2008-04-03

申请人： Scott D. Allen ,  Katherina E. Babich ,  Steven J. Holmes ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Richard Stephan Wise

发明人： Scott D. Allen ,  Katherina E. Babich ,  Steven J. Holmes ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Richard Stephan Wise

IPC分类号： B32B17/00 ,  B41M1/06

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24926

摘要： Techniques for semiconductor processing are provided. In one aspect, a method for patterning one or more features in a semiconductor device comprises the following step. At least one critical dimension of the one or more features is reduced during etching of the antireflective material. A lithographic structure is also provided.

摘要翻译： 提供了半导体处理技术。 在一个方面，一种用于图案化半导体器件中的一个或多个特征的方法包括以下步骤。 在抗反射材料的蚀刻期间，一个或多个特征的至少一个临界尺寸被减小。 还提供了光刻结构。

公开(公告)号：US07172849B2

公开(公告)日：2007-02-06

申请号：US10646307

申请日：2003-08-22

申请人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

发明人： Katherina Babich ,  Elbert Huang ,  Arpan P. Mahorowala ,  David R. Medeiros ,  Dirk Pfeiffer ,  Karen Temple

IPC分类号： G03C1/825 ,  G03C1/835 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/32139 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/151

摘要： Antireflective hardmask compositions and techniques for the use of antireflective hardmask compositions for processing of semiconductor devices are provided. In one aspect of the invention, an antireflective hardmask layer for lithography is provided. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component. In another aspect of the invention, a method for processing a semiconductor device is provided. The method comprises the steps of: providing a material layer on a substrate; forming an antireflective hardmask layer over the material layer. The antireflective hardmask layer comprises a carbosilane polymer backbone comprising at least one chromophore moiety and at least one transparent moiety; and a crosslinking component.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件加工的抗反射硬掩模组​​合物的抗反射硬掩模组​​合物和技术。 在本发明的一个方面，提供了用于光刻的抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个发色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。 在本发明的另一方面，提供一种用于处理半导体器件的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上提供材料层; 在材料层上形成抗反射硬掩模层。 抗反射硬掩模层包含含有至少一个生色团部分和至少一个透明部分的碳硅烷聚合物主链; 和交联组分。

公开(公告)号：US07077903B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US10705577

申请日：2003-11-10

申请人： Katherina E. Babich ,  Scott D. Halle ,  David V. Horak ,  Arpan P. Mahorowala ,  Wesley C. Natzle ,  Dirk Pfeiffer ,  Hongwen Yan

发明人： Katherina E. Babich ,  Scott D. Halle ,  David V. Horak ,  Arpan P. Mahorowala ,  Wesley C. Natzle ,  Dirk Pfeiffer ,  Hongwen Yan

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： H01L21/0275 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  Y10T428/24843

摘要： Methods for generating a nanostructure and for enhancing etch selectivity, and a nanostructure are disclosed. The invention implements a tunable etch-resistant anti-reflective (TERA) material integration scheme which gives high etch selectivity for both etching pattern transfer through the TERA layer (used as an ARC and/or hardmask) with etch selectivity to the patterned photoresist, and etching to pattern transfer through a dielectric layer of nitride. This is accomplished by oxidizing a TERA layer after etching pattern transfer through the TERA layer to form an oxidized TERA layer having chemical properties similar to oxide. The methods provide all of the advantages of the TERA material and allows for high etch selectivity (approximately 5–10:1) for etching to pattern transfer through nitride. In addition, the methodology reduces LER and allows for trimming despite reduced photoresist thickness.

摘要翻译： 公开了产生纳米结构和提高蚀刻选择性的方法，以及纳米结构。 本发明实现了可调谐抗蚀抗反射（TERA）材料集成方案，其对蚀刻图案转移通过TERA层（用作ARC和/或硬掩模）提供了高蚀刻选择性，具有对图案化光致抗蚀剂的蚀刻选择性，以及 蚀刻到通过氮化物的介电层的图案转移。 这是通过在通过TERA层蚀刻图案转移之后氧化TERA层来实现的，以形成具有与氧化物相似的化学性质的氧化TERA层。 这些方法提供了TERA材料的所有优点，并且允许高蚀刻选择性（约5-10:1）蚀刻到通过氮化物的图案转移。 此外，该方法减少LER，并允许尽管减少光致抗蚀剂厚度的修剪。

公开(公告)号：US07030008B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10661041

申请日：2003-09-12

申请人： Scott D. Allen ,  Katherina E. Babich ,  Steven J. Holmes ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Richard Stephan Wise

发明人： Scott D. Allen ,  Katherina E. Babich ,  Steven J. Holmes ,  Arpan P. Mahorowala ,  Dirk Pfeiffer ,  Richard Stephan Wise

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24926

摘要： Techniques for semiconductor processing are provided. In one aspect, a method for patterning one or more features in a semiconductor device comprises the following step. At least one critical dimension of the one or more features is reduced during etching of the antireflective material. A lithographic structure is also provided.

公开(公告)号：US06849389B2

公开(公告)日：2005-02-01

申请号：US09902728

申请日：2001-07-12

申请人： Arpan P. Mahorowala

发明人： Arpan P. Mahorowala

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  G03F7/36

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144

摘要： Disclosed is an in-situ process that prevents pattern collapse from occurring after they have been etched in S02-containing plasmas. The developed process involving treating the etched wafer to another plasma comprising of a chemically reducing gas such as H2. This treatment chemically reduces the hygroscopic sulfites/sulfates left on the surface after the main etch step. The lower sulfite/sulfate concentration on the wafer translates into considerably less moisture pick up and prevents high aspect ratio feature collapse.

摘要翻译： 公开了一种在含有SO2的等离子体中蚀刻之后防止图案崩溃发生的原位工艺。 所开发的方法涉及将蚀刻的晶片处理到包括诸如H 2的化学还原气体的另一等离子体。 这种处理在主蚀刻步骤之后化学降低了残留在表面上的吸湿亚硫酸盐/硫酸盐。 晶片上的低亚硫酸盐/硫酸盐浓度转化成相当少的水分吸收并防止高纵横比特征崩溃。