公开(公告)号：US08958574B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13536002

申请日：2012-06-28

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Tatsuya Ohguro ,  Akihiro Kojima ,  Yoshiaki Sugizaki ,  Mariko Takayanagi ,  Yoshihiko Fuji ,  Akio Hori ,  Michiko Hara

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Tatsuya Ohguro ,  Akihiro Kojima ,  Yoshiaki Sugizaki ,  Mariko Takayanagi ,  Yoshihiko Fuji ,  Akio Hori ,  Michiko Hara

IPC分类号： H04R3/00 ,  G01L9/00 ,  H04R1/08 ,  B81C1/00 ,  H04R19/00 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C2203/0771 ,  G01L9/0042 ,  H04R1/08 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

摘要： According to one embodiment, a strain and pressure sensing device includes a semiconductor circuit unit and a sensing unit. The semiconductor circuit unit includes a semiconductor substrate and a transistor. The transistor is provided on a semiconductor substrate. The sensing unit is provided on the semiconductor circuit unit, and has space and non-space portions. The non-space portion is juxtaposed with the space portion. The sensing unit further includes a movable beam, a strain sensing element unit, and first and second buried interconnects. The movable beam has fixed and movable portions, and includes first and second interconnect layers. The fixed portion is fixed to the non-space portion. The movable portion is separated from the transistor and extends from the fixed portion into the space portion. The strain sensing element unit is fixed to the movable portion. The first and second buried interconnects are provided in the non-space portion.

摘要翻译： 根据一个实施例，应变和压力感测装置包括半导体电路单元和感测单元。 半导体电路单元包括半导体衬底和晶体管。 晶体管设置在半导体衬底上。 感测单元设置在半导体电路单元上，并且具有空间和非空间部分。 非空间部分与空间部分并置。 感测单元还包括可移动光束，应变传感元件单元以及第一和第二掩埋互连。 可移动光束具有固定和可移动部分，并且包括第一和第二互连层。 固定部固定在非空间部。 可动部分与晶体管分离，并从固定部分延伸到空间部分。 应变传感元件单元固定在可动部上。 第一和第二掩埋互连件设置在非空间部分中。

公开(公告)号：US08446698B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13233565

申请日：2011-09-15

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

IPC分类号： G11B5/48

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/325

摘要： A magnetoresistive element includes a lamination body and a pair of electrodes. The lamination body includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a spacer layer. The spacer layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and includes an oxide layer. The oxide layer includes at least one element selected from the group consisting of Zn, In, Sn, and Cd, and at least one element selected from the group consisting of Fe, Co, and Ni.

摘要翻译： 磁阻元件包括层叠体和一对电极。 层压体包括第一磁性层，第二磁性层和间隔层。 间隔层设置在第一磁性层和第二磁性层之间，并且包括氧化物层。 氧化物层包括选自Zn，In，Sn和Cd中的至少一种元素，以及选自Fe，Co和Ni中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20110261478A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13092044

申请日：2011-04-21

申请人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

发明人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

IPC分类号： G11B5/02 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307 ,  H01F41/325 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1114

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes a stack and a pair of electrodes that allows electric current to flow through the stack in a direction perpendicular to a surface of the stack. The stack includes a cap layer, a magnetization pinned layer, a magnetization free layer provided between the cap layer and the magnetization pinned layer, a tunneling insulator provided between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, and a functional layer provided within the magnetization pinned layer, between the magnetization pinned layer and the tunneling insulator, between the tunneling insulator and the magnetization free layer, within the magnetization free layer, or between the magnetization free layer and the cap layer. The functional layer includes an oxide including at least one element selected from Zn, In, Sn and Cd and at least one element selected from Fe, Co and Ni.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括堆叠和​​一对电极，其允许电流沿垂直于堆叠表面的方向流过堆叠。 堆叠包括盖层，磁化钉扎层，设置在盖层和磁化钉扎层之间的无磁化层，设置在磁化钉扎层和磁化自由层之间的隧道绝缘体，以及设置在磁化层中的功能层 在磁化固定层和隧道绝缘体之间，在隧道绝缘体和磁化自由层之间，在磁化自由层内，或在磁化自由层和覆盖层之间。 功能层包括包含选自Zn，In，Sn和Cd中的至少一种元素的氧化物和选自Fe，Co和Ni中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20100092803A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12585855

申请日：2009-09-25

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

IPC分类号： G11B5/706 ,  B01J19/08 ,  C23C16/44

CPC分类号： G11B5/3906 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C8/36 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/584 ,  C23C14/5846 ,  C23C14/5853 ,  G01R33/093 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307

摘要： A method for manufacturing a magneto-resistance effect element is provided. The magneto-resistance effect element includes a first magnetic layer including a ferromagnetic material, a second magnetic layer including a ferromagnetic material and a spacer layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the spacer layer having an insulating layer and a conductive portion penetrating through the insulating layer. The method includes: forming a film to be a base material of the spacer layer; performing a first treatment using a gas including at least one of oxygen molecules, oxygen atoms, oxygen ions, oxygen plasma and oxygen radicals on the film; and performing a second treatment using a gas including at least one of hydrogen molecules, hydrogen atoms, hydrogen ions, hydrogen plasma, hydrogen radicals, deuterium molecules, deuterium atoms, deuterium ions, deuterium plasma and deuterium radicals on the film submitted to the first treatment.

摘要翻译： 提供一种制造磁阻效应元件的方法。 磁阻效应元件包括包括铁磁材料的第一磁性层，包括铁磁材料的第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层，间隔层具有绝缘层和导电 部分穿透绝缘层。 该方法包括：将膜形成为间隔层的基材; 使用包含氧分子，氧原子，氧离子，氧等离子体和氧自由基中的至少一种的气体进行第一处理; 氢原子，氢离子，氢等离子体，氢原子，氘分子，氘原子，氘离子，氘离子和氘原子中的至少一种的气体进行第二次处理。 。

公开(公告)号：US08760154B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13110392

申请日：2011-05-18

申请人： Alexander Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

发明人： Alexander Devin Giddings ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami

IPC分类号： G01B7/24 ,  G01L1/00

CPC分类号： A61B5/021 ,  A61B5/02108 ,  G01B7/24 ,  G01L1/125

摘要： A strain sensor element comprises a laminated film which has a magnetic free layer, a spacer layer, and a magnetic reference layer. The free layer has a variable magnetization direction and a out-of-plane magnetization direction. The reference layer has a variable magnetization direction which is pinned more strongly than the magnetization of the free layer. The spacer layer provided between the free layer and the reference layer. A pair of electrodes is provided with a plane of the laminated film. A substrate is provided with either of the pair electrodes and can be strained. The rotation angle of the magnetization of the free layer is different from the rotation angle of the magnetization of the reference layer when the substrate is distorted. Electrical resistance is changed depending on the magnetization angle between the free layer and the reference layer, which allows the element to operate as a strain sensor.

摘要翻译： 应变传感器元件包括具有无磁性层，间隔层和磁性参考层的层压膜。 自由层具有可变的磁化方向和面外磁化方向。 参考层具有可变的磁化方向，该自由层的磁化强度比自由层的磁化强。 间隔层设置在自由层和参考层之间。 一对电极设置有层叠膜的平面。 基板设置有对电极中的任一个并且可以变形。 当衬底失真时，自由层的磁化的旋转角度与参考层的磁化的旋转角度不同。 电阻根据自由层和参考层之间的磁化角度而改变，这允许元件作为应变传感器工作。

公开(公告)号：US20130255069A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：US13710718

申请日：2012-12-11

申请人： Yoshihiro HIGASHI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

发明人： Yoshihiro HIGASHI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Tomohiko Nagata

IPC分类号： G01R3/00

CPC分类号： G01R3/00 ,  A61B5/02141 ,  A61B2562/0247 ,  G01L1/125 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/16 ,  Y10T29/49007

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a pressure sensing device includes preparing a sensor unit and a mounting substrate. The sensor unit includes: a membrane body; and an element unit provided on the membrane body. The element unit includes: a first electrode; a second electrode; and a first magnetic layer provided between the first electrode and the second electrode and having magnetization in a first direction. The mounting substrate includes: a base; a first electrode pad provided on the base; and a second electrode pad provided on the base and provided apart from the first electrode pad. The method further includes joining the first electrode pad to the first electrode while heated, and joining the second electrode pad to the second electrode while heated, with an external magnetic field along the first direction applied to the sensor unit.

摘要翻译： 根据一个实施例，用于制造压力感测装置的方法包括制备传感器单元和安装基板。 传感器单元包括：膜体; 以及设置在膜体上的元件单元。 元件单元包括：第一电极; 第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并且在第一方向上具有磁化的第一磁性层。 安装基板包括：基座; 设置在基座上的第一电极焊盘; 以及设置在基座上并与第一电极焊盘分开设置的第二电极焊盘。 该方法还包括在加热时将第一电极焊盘接合到第一电极，并且在加热时将第二电极焊盘接合到第二电极，沿着施加到传感器单元的第一方向的外部磁场。

公开(公告)号：US08315020B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12585855

申请日：2009-09-25

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Shuichi Murakami ,  Michiko Hara ,  Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Erhard Schreck

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3906 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C8/36 ,  C23C14/5833 ,  C23C14/584 ,  C23C14/5846 ,  C23C14/5853 ,  G01R33/093 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/307

摘要： A method for manufacturing a magneto-resistance effect element is provided. The magneto-resistance effect element includes a first magnetic layer including a ferromagnetic material, a second magnetic layer including a ferromagnetic material and a spacer layer provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the spacer layer having an insulating layer and a conductive portion penetrating through the insulating layer. The method includes: forming a film to be a base material of the spacer layer; performing a first treatment using a gas including at least one of oxygen molecules, oxygen atoms, oxygen ions, oxygen plasma and oxygen radicals on the film; and performing a second treatment using a gas including at least one of hydrogen molecules, hydrogen atoms, hydrogen ions, hydrogen plasma, hydrogen radicals, deuterium molecules, deuterium atoms, deuterium ions, deuterium plasma and deuterium radicals on the film submitted to the first treatment.

摘要翻译： 提供一种制造磁阻效应元件的方法。 磁阻效应元件包括包括铁磁材料的第一磁性层，包括铁磁材料的第二磁性层和设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层，间隔层具有绝缘层和导电 部分穿透绝缘层。 该方法包括：将膜形成为间隔层的基材; 使用包含氧分子，氧原子，氧离子，氧等离子体和氧自由基中的至少一种的气体进行第一处理; 氢原子，氢离子，氢等离子体，氢原子，氘分子，氘原子，氘离子，氘离子和氘原子中的至少一种的气体进行第二次处理。 。

公开(公告)号：US20120245477A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13246069

申请日：2011-09-27

申请人： Devin GIDDINGS ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hiromi Yuasa

发明人： Devin GIDDINGS ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Michiko Hara ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： A61B5/021 ,  G11B5/33 ,  G11B5/48 ,  G01B7/16

CPC分类号： G01R33/091 ,  A61B5/02108 ,  A61B5/022 ,  A61B2562/0247 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/399 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magneto-resistive effect device, includes a stacked body stacked on a substrate, a pair of first electrodes that feeds current to the stacked body, a strain introduction member, and a second electrode for applying a voltage to the strain introduction member. The stacked body includes a first magnetic layer that includes one or more metals selected from the group consisting of iron, cobalt, and nickel, a second magnetic layer stacked on the first magnetic layer, having a composition that is different from the first magnetic layer, and a spacer layer disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻效应装置包括堆叠在基板上的堆叠体，将一个电流馈送到堆叠体的一对第一电极，应变引入部件和用于向该应变施加电压的第二电极 介绍会员。 层叠体包括：第一磁性层，其包含选自铁，钴和镍的一种或多种金属，堆叠在第一磁性层上的具有与第一磁性层不同的组成的第二磁性层， 以及设置在第一磁性层和第二磁性层之间的间隔层。

公开(公告)号：US20120206837A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13233565

申请日：2011-09-15

申请人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

发明人： Yoshihiko FUJI ,  Michiko Hara ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Shuichi Murakami

IPC分类号： G11B5/54 ,  H01L43/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/325

摘要： A magnetoresistive element includes a lamination body and a pair of electrodes. The lamination body includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a spacer layer. The spacer layer is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer and includes an oxide layer. The oxide layer includes at least one element selected from the group consisting of Zn, In, Sn, and Cd, and at least one element selected from the group consisting of Fe, Co, and Ni.

摘要翻译： 磁阻元件包括层叠体和一对电极。 层压体包括第一磁性层，第二磁性层和间隔层。 间隔层设置在第一磁性层和第二磁性层之间，并且包括氧化物层。 氧化物层包括选自Zn，In，Sn和Cd中的至少一种元素和选自Fe，Co和Ni中的至少一种元素。

公开(公告)号：US20110205669A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12881879

申请日：2010-09-14

申请人： Shuichi Murakami ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Kunliang Zhang ,  Min Li

发明人： Shuichi Murakami ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Kunliang Zhang ,  Min Li

IPC分类号： G11B5/48 ,  B05D3/06 ,  B05D1/36

CPC分类号： G11B5/3163 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method for manufacturing a magneto-resistance effect element is disclosed. The element has first and second magnetic layers, and an intermediate layer provided between the first and second magnetic layers. The intermediate layer has an insulating layer and a conductive portion penetrating through the insulating layer. The method can include forming a structure body having the insulating layer and the conductive portion, performing a first treatment including irradiating the structure body with at least one of ion including at least one selected from the group consisting of argon, xenon, helium, neon and krypton and a plasma including at least one selected from the group, and performing a second treatment including at least one of exposure to gas containing oxygen or nitrogen, irradiation of ion beam containing oxygen or nitrogen, irradiation of plasma containing oxygen or nitrogen, to the structure body submitted to the first treatment.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种用于制造磁阻效应元件的方法。 元件具有第一和第二磁性层，以及设置在第一和第二磁性层之间的中间层。 中间层具有绝缘层和穿透绝缘层的导电部分。 该方法可以包括形成具有绝缘层和导电部分的结构体，进行第一处理，包括用包含从氩，氙，氦，氖和氖中选出的至少一种的离子中的至少一种照射结构体的第一处理和 氪气和包括选自该组中的至少一种的等离子体，并且执行包括暴露于含氧或氮气的气体中的至少一种的照射，含有氧或氮的离子束的照射，含有氧或氮的等离子体的照射， 结构体提交第一次治疗。