公开(公告)号：US5227280A

公开(公告)日：1993-07-13

申请号：US754847

申请日：1991-09-04

申请人： James A. Jubinsky ,  Steven M. Katz ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau

发明人： James A. Jubinsky ,  Steven M. Katz ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/037 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/094

摘要： A PMGI bilayer resist for integrated circuit fabrication having increased sensitivity to light and formed by the addition of cyclic anhydrides to the resist and the formation of an accompanying bilayer resist structure of a portable conforming mask having a desirable undercut profile for lift-off of patterned metallic circuitry.

摘要翻译： 用于集成电路制造的PMGI双层抗蚀剂具有增加的光的灵敏度并通过向抗蚀剂添加环状酸酐形成，并形成具有用于剥离图案化金属的期望的底切轮廓的便携式贴合掩模的伴随双层抗蚀剂结构 电路。

公开(公告)号：US4942108A

公开(公告)日：1990-07-17

申请号：US404700

申请日：1989-09-08

申请人： Wayne M. Moreau ,  Kaolin N. Chiong ,  Ming-Fea Chow ,  Nancy W. Snyder

发明人： Wayne M. Moreau ,  Kaolin N. Chiong ,  Ming-Fea Chow ,  Nancy W. Snyder

IPC分类号： G03F7/023

CPC分类号： G03F7/0233

摘要： The dissolution rate in alkaline developer solutions of image-wise exposed photoresist systems based on diazoquinone sensitized polyamic acid is reduced to prepare relief images of fine line resolution by reducing the acidity of the polyamic acid prior to exposure.

摘要翻译： 基于重氮醌敏化聚酰胺酸的成像曝光光刻胶体系的碱性显影剂溶液的溶解速率降低，通过降低曝光前的聚酰胺酸的酸度来制备细纹分辨率的浮雕图像。

公开(公告)号：US4011351A

公开(公告)日：1977-03-08

申请号：US545063

申请日：1975-01-29

申请人： Edward Gipstein ,  Wayne M. Moreau ,  Omar U. Need, III

发明人： Edward Gipstein ,  Wayne M. Moreau ,  Omar U. Need, III

IPC分类号： H01L21/027 ,  B41C1/00 ,  C08J3/28 ,  G03F7/039 ,  B05D3/06 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/039 ,  Y10S430/117

摘要： A positive resist image is produced by exposure of a layer of non-crosslinked polymeric material to high energy radiation in a predetermined pattern, the polymeric material containing alkyl methacrylate units and polymerized units of certain other ethylenically unsaturated monomers, followed by removal of the electron degraded material from the exposed areas.

公开(公告)号：US06821718B2

公开(公告)日：2004-11-23

申请号：US10657168

申请日：2003-09-09

申请人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  Wu-Song Huang ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Qinghuang Lin ,  Wayne M. Moreau

发明人： Marie Angelopoulos ,  Ari Aviram ,  Wu-Song Huang ,  Ranee W. Kwong ,  Robert N. Lang ,  Qinghuang Lin ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03C500

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： A negative resist composition, comprising: (a) silicon-containing polymer with pendant fused moieties selected from the group consisting of fused aliphatic moieties, homocyclic fused aromatic moieties, and heterocyclic fused aromatic and sites for reaction with a crosslinking agent, (b) an acid-sensitive crosslinking agent, and (c) a radiation-sensitive acid generator is provided. The resist composition is used to form a patterned material layer in a substrate.

摘要翻译： 负性抗蚀剂组合物，其包含：（a）具有选自稠合脂族部分，稠环稠合芳族部分和杂环稠合芳族化合物的侧链稠合部分和与交联剂反应的位点的含硅聚合物，（b） 酸敏感性交联剂，和（c）辐射敏感性酸发生剂。 抗蚀剂组合物用于在基材中形成图案化的材料层。

公开(公告)号：US06210856B1

公开(公告)日：2001-04-03

申请号：US09238823

申请日：1999-01-27

申请人： Qinghuang Lin ,  Timothy M. Hughes ,  George M. Jordhamo ,  Ahmad D. Katnani ,  Wayne M. Moreau ,  Niranjan Patel

发明人： Qinghuang Lin ,  Timothy M. Hughes ,  George M. Jordhamo ,  Ahmad D. Katnani ,  Wayne M. Moreau ,  Niranjan Patel

IPC分类号： G03C1725

CPC分类号： G03F7/0757 ,  G03F7/0045

摘要： A radiation sensitive resist composition exhibiting high resolution and enhanced etch resistance comprising a silicon containing polymeric additive, a non-silicon containing base polymer, a photoacid generator and a base is provided. A method of forming a patterned resist film is also provided. A resist film having an upper surface region enriched with silicon is also disclosed.

摘要翻译： 提供了显示高分辨率和增强的抗蚀性的辐射敏感抗蚀剂组合物，其包括含硅聚合物添加剂，不含硅的基础聚合物，光致酸产生剂和碱。 还提供了形成图案化抗蚀剂膜的方法。 还公开了具有富含硅的上表面区域的抗蚀剂膜。

公开(公告)号：US06203965B1

公开(公告)日：2001-03-20

申请号：US09552211

申请日：2000-04-19

申请人： James F. Cameron ,  James Michael Mori ,  George W. Orsula ,  James W. Thackeray ,  Wu-Song Huang ,  Ronald A. DellaGuardia ,  Kuang-Jung Chen ,  Hiroshi Ito ,  Wayne M. Moreau

发明人： James F. Cameron ,  James Michael Mori ,  George W. Orsula ,  James W. Thackeray ,  Wu-Song Huang ,  Ronald A. DellaGuardia ,  Kuang-Jung Chen ,  Hiroshi Ito ,  Wayne M. Moreau

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

摘要： The invention provides new photoresist compositions that contain a resin binder and a blend of photoacid generators. Photoacid generator blends of the invention produce photoacids that differ in acid strength and/or size. A specific composition comprises a terpolymer having units of hydroxystyrene, styrene and t-butyl acrylate with the photoacid generators di-(4-tbutylphenyl)iodonium camphorsulfonate and di-(4-t-butylphenyl)iodonium o-trifluoromethylbenzene sulfonate.

摘要翻译： 本发明提供了含有树脂粘合剂和光致酸发生剂的混合物的新的光致抗蚀剂组合物。 本发明的光酸发生剂共混物产生酸强度和/或尺寸不同的光酸。 特定组合物包含具有羟基苯乙烯，苯乙烯和丙烯酸叔丁酯与光酸产生剂二（4-叔丁基苯基）鏻樟脑磺酸盐和邻 - 三氟甲基苯磺酸二（4-叔丁基苯基）碘的单元的三元共聚物。

公开(公告)号：US6043003A

公开(公告)日：2000-03-28

申请号：US356309

申请日：1999-07-16

申请人： James J. Bucchignano ,  Wu-Song Huang ,  Ahmad D. Katnani ,  Kim Y. Lee ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

发明人： James J. Bucchignano ,  Wu-Song Huang ,  Ahmad D. Katnani ,  Kim Y. Lee ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/143

摘要： The present invention relates to chemically amplified resists and resist systems wherein some of the polar functional groups of the aqueous base soluble polymer or copolymers are protected with a cyclic aliphatic ketal protecting group such as methoxycyclohexanyl. The resists and the resist systems of the present invention containing the new protecting group have improved shelf-life and vacuum stability as compared to the prior art resists. Thus, the resists of the present invention are highly useful in e-beam lithographic applications.

公开(公告)号：US6037097A

公开(公告)日：2000-03-14

申请号：US14432

申请日：1998-01-27

申请人： James J. Bucchignano ,  Wu-Song Huang ,  Ahmad D. Katnani ,  Kim Y. Lee ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

发明人： James J. Bucchignano ,  Wu-Song Huang ,  Ahmad D. Katnani ,  Kim Y. Lee ,  Wayne M. Moreau ,  Karen E. Petrillo

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/143

摘要： The present invention relates to chemically amplified resists and resist systems wherein some of the polar functional groups of the aqueous base soluble polymer or copolymers are protected with a cyclic aliphatic ketal protecting group such as methoxycyclohexanyl. The resists and the resist systems of the present invention containing the new protecting group have improved shelf-life and vacuum stability as compared to the prior art resists. Thus, the resists of the present invention are highly useful in e-beam lithographic applications.

摘要翻译： 本发明涉及化学放大抗蚀剂和抗蚀剂体系，其中水性基团可溶性聚合物或共聚物的一些极性官能团用环状脂族缩酮保护基如甲氧基环己基保护。 与现有技术的抗蚀剂相比，含有新保护基的本发明的抗蚀剂和抗蚀剂体系具有改善的保质期和真空稳定性。 因此，本发明的抗蚀剂在电子束光刻应用中非常有用。

公开(公告)号：US5744537A

公开(公告)日：1998-04-28

申请号：US863678

申请日：1997-05-27

申请人： William R. Brunsvold ,  George J. Hefferon ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau ,  Robert L. Wood

发明人： William R. Brunsvold ,  George J. Hefferon ,  Christopher F. Lyons ,  Wayne M. Moreau ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08L27/12 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/092 ,  Y10T428/3154

摘要： Enhanced fidelity of pattern transfer of aqueous developable photoresist compositions is achieved with top antirefective coatings which are fluorine-containing and have a refractive index approximately equal to the square root of the underlying photoresist and which are removable in the developer for the photoresist.

摘要翻译： 水性可显影光致抗蚀剂组合物的图案转印的增强的保真度是通过含氟的顶部抗有效涂层实现的，其折射率近似等于下面光致抗蚀剂的平方根，并且可在光致抗蚀剂的显影剂中除去。

公开(公告)号：US5607824A

公开(公告)日：1997-03-04

申请号：US281398

申请日：1994-07-27

申请人： James T. Fahey ,  Brian W. Herbst ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

发明人： James T. Fahey ,  Brian W. Herbst ,  Leo L. Linehan ,  Wayne M. Moreau ,  Gary T. Spinillo ,  Kevin M. Welsh ,  Robert L. Wood

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08G65/40 ,  C08G67/00 ,  C09D171/00 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03C1/825

CPC分类号： C08G65/4012 ,  C09D171/00 ,  G03F7/091 ,  C08G2650/64

摘要： A co-polymer of benzophenone and bisphenol A has been shown to have DUV absorption properties. Therefore, the co-polymer has particular utility as an antireflective coating in microlithography applications. Incorporating anthracene into the co-polymer backbone enhances absorption at 248 nm. The endcapper used for the co-polymer can vary widely depending on the needs of the user and can be selected to promote adhesion, stability, and absorption of different wavelengths.

摘要翻译： 已经显示二苯甲酮和双酚A的共聚物具有DUV吸收性质。 因此，共聚物在微光刻应用中作为抗反射涂层具有特殊的用途。 将蒽掺入共聚物主链增强了在248nm的吸收。 用于共聚物的端塞可以根据用户的需要而广泛变化，并且可以选择以促进不同波长的粘附，稳定性和吸收。