公开(公告)号：US09449822B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US12846020

申请日：2010-07-29

申请人： Wai-Kin Li ,  Wu-Song Huang ,  Joy Cheng ,  Kuang-Jung Chen

发明人： Wai-Kin Li ,  Wu-Song Huang ,  Joy Cheng ,  Kuang-Jung Chen

IPC分类号： H01L21/033

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/0338

摘要： Embodiments of the present invention provide a method of forming a semiconductor structure. The method includes forming a set of shapes on top of a substrate; applying a layer of copolymer covering the substrate; causing the copolymer to form a plurality of cylindrical blocks both inside and outside the shapes; forming a pattern of contact holes from the plurality of cylindrical blocks; and transferring the pattern of contact holes to the substrate to form the semiconductor structure. In one embodiment, the shapes are rings and forming the set of shapes includes forming a set of rings that are equally and squarely spaced. In another embodiment, causing the copolymer to form the plurality of cylindrical blocks includes forming only one cylindrical block inside each of the rings and only one cylindrical block outside every four (4) squarely neighboring rings.

摘要翻译： 本发明的实施例提供一种形成半导体结构的方法。 该方法包括在衬底的顶部上形成一组形状; 涂覆覆盖基材的共聚物层; 使共聚物在形状内部和外部形成多个圆柱形块; 从所述多个圆柱形块形成接触孔的图案; 并将接触孔的图案转移到衬底以形成半导体结构。 在一个实施例中，形状是环，并且形成一组形状包括形成均匀且平直间隔的一组环。 在另一个实施方案中，使共聚物形成多个圆柱形块包括仅在每个环内形成一个圆柱形块，并且在每四（4）个正方形相邻的环周围仅形成一个圆柱形块。

公开(公告)号：US09316916B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US12419403

申请日：2009-04-07

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Wai-kin Li

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Wai-kin Li

IPC分类号： G03F7/207 ,  G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/203 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/38

摘要： A method to mitigate resist pattern critical dimension (CD) variation in a double-exposure process generally includes forming a photoresist layer over a substrate; exposing the photoresist layer to a first radiation; developing the photoresist layer to form a first pattern in the photoresist layer; forming a topcoat layer over the photoresist layer; exposing the topcoat layer and the photoresist layer to a second radiation; removing the topcoat layer; and developing the photoresist layer to form a second pattern in the photoresist layer.

摘要翻译： 减轻双曝光工艺中抗蚀剂图案临界尺寸（CD）变化的方法通常包括在衬底上形成光致抗蚀剂层; 将光致抗蚀剂层暴露于第一辐射; 显影光致抗蚀剂层以在光致抗蚀剂层中形成第一图案; 在光致抗蚀剂层上形成顶涂层; 将顶涂层和光致抗蚀剂层暴露于第二辐射; 去除顶涂层; 并且在光致抗蚀剂层中显影光致抗蚀剂层以形成第二图案。

公开(公告)号：US08871596B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13555240

申请日：2012-07-23

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Kangguo Cheng ,  Bruce B. Doris ,  Steven J. Holmes ,  Sen Liu

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Kangguo Cheng ,  Bruce B. Doris ,  Steven J. Holmes ,  Sen Liu

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0274 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： A method of forming different structures of a semiconductor device using a single mask and a hybrid photoresist. The method includes: applying a first photoresist layer on a semiconductor substrate; patterning the first photoresist layer using a photomask to form a first patterned photoresist layer; using the first patterned photoresist layer to form a first structure of a semiconductor device; removing the first patterned photoresist layer; applying a second photoresist layer on the semiconductor substrate; patterning the second photoresist layer using the photomask to form a second patterned photoresist layer; using the second patterned photoresist layer to form a second structure of a semiconductor device; removing the second patterned photoresist layer; and wherein either the first or the second photoresist layer is a hybrid photoresist layer comprising a hybrid photoresist.

摘要翻译： 使用单个掩模和混合光致抗蚀剂形成半导体器件的不同结构的方法。 该方法包括：在半导体衬底上施加第一光致抗蚀剂层; 使用光掩模图案化第一光致抗蚀剂层以形成第一图案化光致抗蚀剂层; 使用所述第一图案化的光致抗蚀剂层形成半导体器件的第一结构; 去除第一图案化光致抗蚀剂层; 在所述半导体衬底上施加第二光致抗蚀剂层; 使用光掩模图案化第二光致抗蚀剂层以形成第二图案化光致抗蚀剂层; 使用所述第二图案化的光致抗蚀剂层形成半导体器件的第二结构; 去除第二图案化光致抗蚀剂层; 并且其中所述第一或第二光致抗蚀剂层是包含混合光致抗蚀剂的混合光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US08846296B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13461960

申请日：2012-05-02

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Wai-Ling Kwong ,  Sen Liu ,  Pushkara R. Varanasi

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Wai-Ling Kwong ,  Sen Liu ,  Pushkara R. Varanasi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/028

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70466 ,  Y10S430/12

摘要： A composition is provided. The composition includes a polymer and a photosensitive acid generator capable of generating a first amount of acid upon exposure to a first dose of radiation and a second amount of acid upon exposure to a second dose of radiation. The second amount of acid is greater than the first amount of acid. The second dose is greater than the first dose. The composition includes a photosensitive base generator capable of generating a first amount of base upon exposure to the first dose and a second amount of base upon exposure to the second dose, where the first amount of base is greater than the first amount of acid and the second amount of base is less than the second amount of acid. The photosensitive base generator may include benzoin carbamates, O-carbamoylhydroxylamines, O-carbamoyloximes, aromatic sulfonamides, α-lactones, N-(2-Arylethenyl)amides, azides, amides, oximines, quaternary ammonium salts, or amineimides.

摘要翻译： 提供了组合物。 组合物包括聚合物和感光酸产生剂，其能够在暴露于第一剂量的辐射时产生第一量的酸，并且在暴露于第二剂量的辐射时能够产生第二量的酸。 第二量的酸大于第一量的酸。 第二剂量大于第一剂量。 所述组合物包括能够在暴露于第一剂量时产生第一量碱的光敏碱产生剂，以及暴露于第二剂量时第二量的碱，其中第一量的碱大于第一量的酸， 碱的第二量少于第二量的酸。 光敏基底产生剂可以包括安息香氨基甲酸酯，O-氨基甲酰羟基胺，O-氨基甲酰肟，芳族磺酰胺，α-内酯，N-（2-亚乙烯基）酰胺，叠氮化物，酰胺，肟，季铵盐或胺酰胺。

公开(公告)号：US08715907B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13206796

申请日：2011-08-10

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Sen Liu

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Sen Liu

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C09J133/14 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/095

摘要： A negative developable bottom antireflective coating (NDBARC) material includes a polymer containing an aliphatic alcohol moiety, an aromatic moiety, and a carboxylic acid moiety. The NDBARC composition is insoluble in a typical resist solvent such as propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) after coating and baking. The NDBARC material also includes a photoacid generator, and optionally a crosslinking compound. In the NDBARC material, the carboxylic acid provides the developer solubility, while the alcohol alone, the carboxylic acid alone, or their combination provides the PGMEA resistance. The NDBARC material has resistance to the resist solvent, and thus, intermixing does not occur between NDBARC and resist during resist coating over NDBARC. After exposure and bake, the lithographically exposed portions of both the negative photoresist and the NDBARC layer become insoluble in developer due to the chemically amplified crosslinking of the polymers in negative resist and NDBARC layer in the lithographically exposed portions.

摘要翻译： 负显影底部抗反射涂层（NDBARC）材料包括含有脂族醇部分，芳族部分和羧酸部分的聚合物。 NDBARC组合物在涂布和烘烤后不溶于典型的抗蚀剂溶剂如丙二醇甲基醚乙酸酯（PGMEA）。 NDBARC材料还包括光致酸发生剂和任选的交联化合物。 在NDBARC材料中，羧酸提供了显影剂的溶解度，而单独的醇，单独的羧酸或它们的组合提供了PGMEA的抗性。 NDBARC材料对抗蚀剂溶剂具有抗性，因此在NDBARC的抗蚀涂层期间，NDBARC和抗蚀剂之间不会发生混合。 在曝光和烘烤之后，由于在光刻曝光部分中的负光刻胶和NDBARC层中的聚合物的化学扩展交联，负光致抗蚀剂和NDBARC层的光刻曝光部分变得不溶于显影剂。

公开(公告)号：US20140004712A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13537177

申请日：2012-06-29

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Sen Liu

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Steven J. Holmes ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Kwong ,  Sen Liu

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/265 ,  C09K3/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08F220/26 ,  C08L33/066 ,  C08L33/16 ,  C08L2312/00 ,  C09D133/066 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/091 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/265 ,  C08L2205/025

摘要： The present invention relates to a developable bottom antireflective coating (BARC) composition and a pattern forming method using the BARC composition. The BARC composition includes a first polymer having a first carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing alicyclic moiety, and a first chromophore moiety; a second polymer having a second carboxylic acid moiety, a hydroxy-containing acyclic moiety, and a second chromophore moiety; a crosslinking agent; and a radiation sensitive acid generator. The first and second chromophore moieties each absorb light at a wavelength from 100 nm to 400 nm. In the patterning forming method, a photoresist layer is formed over a BARC layer of the BARC composition. After exposure, unexposed regions of the photoresist layer and the BARC layer are selectively removed by a developer to form a patterned structure in the photoresist layer. The BARC composition and the pattern forming method are especially useful for implanting levels.

摘要翻译： 本发明涉及一种可显影底部抗反射涂层（BARC）组合物和使用该BARC组合物的图案形成方法。 BARC组合物包括具有第一羧酸部分，含羟基脂环族部分和第一发色团部分的第一聚合物; 具有第二羧酸部分的第二聚合物，含羟基的无环部分和第二发色团部分; 交联剂; 和辐射敏感酸发生器。 第一和第二发色团部分各自吸收波长从100nm到400nm的光。 在图案形成方法中，在BARC组合物的BARC层上形成光致抗蚀剂层。 曝光后，通过显影剂选择性地除去光致抗蚀剂层和BARC层的未曝光区域，以在光致抗蚀剂层中形成图案化结构。 BARC组合物和图案形成方法对于植入水平特别有用。

公开(公告)号：US08568960B2

公开(公告)日：2013-10-29

申请号：US13418421

申请日：2012-03-13

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Wai-Ling Kwong ,  Sen Liu ,  Pushkara R. Varanasi

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Ranee Wai-Ling Kwong ,  Sen Liu ,  Pushkara R. Varanasi

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/095 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70466 ,  Y10S430/12

摘要： A method that forms a film of photoresist composition on a substrate and exposes a first and second region of the film to radiation through a first and second mask having a first and second image pattern, respectively. The photoresist composition includes a polymer including labile group(s), base soluble group(s), a photosensitive acid generator, and a photosensitive base generator. The photosensitive acid generator generates first and second amounts of acid upon exposure to first and second doses of radiation, respectively. The second amount of acid exceeds the first amount of acid. The second dose of radiation exceeds the first dose of radiation. The photosensitive base generator generates a first and second amount of base upon exposure to the first and second dose of radiation, respectively. The first amount of base exceeds the first amount of acid. The second amount of acid exceeds the second amount of base.

摘要翻译： 一种在衬底上形成光致抗蚀剂组合物的膜并将膜的第一和第二区分别暴露于具有第一和第二图像图案的第一和第二掩模的辐射的方法。 光致抗蚀剂组合物包括包含不稳定基团，碱溶性基团，光敏酸发生剂和感光基底发生剂的聚合物。 感光酸发生器分别在暴露于第一和第二剂量的辐射时产生第一和第二量的酸。 第二量的酸超过第一量的酸。 第二剂辐射超过第一剂量的辐射。 光敏底物发生器分别在暴露于第一和第二剂量的辐射时产生第一和第二量的碱。 碱的第一量超过第一量的酸。 第二量的酸超过第二量的碱。

公开(公告)号：US08394573B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US12883442

申请日：2010-09-16

申请人： Wu-Song Huang ,  Kuang-Jung Chen ,  Wai-Kin Li ,  Sen Liu

发明人： Wu-Song Huang ,  Kuang-Jung Chen ,  Wai-Kin Li ,  Sen Liu

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/405

摘要： A method for reducing a photoresist critical dimension, the method comprising depositing a photoresist film on a substrate, wherein the photoresist film includes a thermal base generator; patterning the photoresist film to form a first patterned film possessing a first critical dimension; depositing a crosslinkable film over the first patterned film; heat-activating the first patterned film, either before or after depositing the crosslinkable film, to release a base in the first patterned film and cause crosslinking in the crosslinkable film in contact with the first patterned film; and developing the crosslinkable film to remove non-crosslinked soluble portions therein to form a second patterned film possessing a reduced critical dimension compared to the first critical dimension.

摘要翻译： 一种降低光致抗蚀剂临界尺寸的方法，所述方法包括在基底上沉积光致抗蚀剂膜，其中光致抗蚀剂膜包括热碱发生器; 图案化光致抗蚀剂膜以形成具有第一临界尺寸的第一图案化膜; 在第一图案化膜上沉积可交联膜; 在沉积可交联膜之前或之后热激活第一图案化膜，以释放第一图案化膜中的碱，并引起与第一图案化膜接触的可交联膜的交联; 并且显影所述可交联膜以除去其中的非交联的可溶部分以形成与第一临界尺寸相比具有降低的临界尺寸的第二图案化膜。

公开(公告)号：US20090130590A1

公开(公告)日：2009-05-21

申请号：US11942062

申请日：2007-11-19

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Wai-Kin Li ,  Pushkara R. Varanasi

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Wu-Song Huang ,  Wai-Kin Li ,  Pushkara R. Varanasi

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0048 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/40

摘要： A photoresist composition and methods using the photoresist composition in multiple exposure/multiple layer processes. The photoresist composition includes a polymer comprising repeat units having a hydroxyl moiety; a photoacid generator; and a solvent. The polymer when formed on a substrate is substantially insoluble to the solvent after heating to a temperature of about 150° C. or greater. One method includes forming a first photoresist layer on a substrate, patternwise exposing the first photoresist layer, forming a second non photoresist layer on the substrate and patterned first photoresist layer. Another method includes forming a first photoresist layer on a substrate, patternwise exposing the first photoresist layer, forming a second photoresist layer on the substrate and patterned first photoresist layer and patternwise exposing the second photoresist layer.

摘要翻译： 光致抗蚀剂组合物和在多次曝光/多层工艺中使用光致抗蚀剂组合物的方法。 光致抗蚀剂组合物包括包含具有羟基部分的重复单元的聚合物; 光致酸发生器; 和溶剂。 形成在基材上的聚合物在加热至约150℃或更高的温度之后基本上不溶于溶剂。 一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，图案地暴露第一光致抗蚀剂层，在衬底上形成第二非光致抗蚀剂层并且形成图案化的第一光致抗蚀剂层。 另一种方法包括在衬底上形成第一光致抗蚀剂层，以图形方式暴露第一光致抗蚀剂层，在衬底上形成第二光致抗蚀剂层并图案化的第一光致抗蚀剂层和图案地曝光第二光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US06365321B1

公开(公告)日：2002-04-02

申请号：US09291389

申请日：1999-04-13

申请人： Kuang-Jung Chen ,  Ronald Anthony DellaGuardia ,  Hiroshi Ito ,  George Michael Jordhamo ,  Ahmad Dauod Katnani

发明人： Kuang-Jung Chen ,  Ronald Anthony DellaGuardia ,  Hiroshi Ito ,  George Michael Jordhamo ,  Ahmad Dauod Katnani

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A photoresist binder composition comprising a homogeneous blend of (i) a hydroxystyrene copolymer comprising a first monomer that is optionally substituted hydroxystyrene and a second monomer containing an acid labile group, preferably pendant to the polymer backbone, and (ii) and a phenolic polymer, that is optionally partially or wholly protected, such as polyhydroxystyrene, poly(hydroxystyrene-co-styrene), poly(hydroxystyrene-co-styrene-co-t-butyl acrylate), novolac, and the like. Also provided is a lithographic resist composition comprising the homogeneous blend of the photoresist binder composition, and a radiation-sensitive acid generator which generates an acid upon exposure to radiation, and a process for using the resist composition to generate resist images on a substrate, such as in the manufacture of integrated circuits or the like.

摘要翻译： 一种光致抗蚀剂粘合剂组合物，其包含（i）包含任选取代的羟基苯乙烯的第一单体和含有酸不稳定基团的第二单体的羟基苯乙烯共聚物的均匀共混物，优选垂饰于聚合物主链，和（ii）和酚类聚合物， 任选地部分或全部保护，例如聚羟基苯乙烯，聚（羟基苯乙烯 - 共 - 苯乙烯），聚（羟基苯乙烯 - 共 - 苯乙烯 - 丙烯酸叔丁酯），酚醛清漆等。 还提供了一种平版印刷抗蚀剂组合物，其包含光致抗蚀剂粘合剂组合物和在暴露于辐射时产生酸的辐射敏感酸产生剂的均匀混合物，以及使用抗蚀剂组合物在基材上产生抗蚀剂图像的方法， 如在集成电路等的制造中。