公开(公告)号：US20150068887A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：US14157375

申请日：2014-01-16

申请人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Makoto NAGAMINE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3492 ,  C23C14/081 ,  C23C14/505

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive element includes intermittently exposing a surface of a base substrate to sputter particles from a sputter target, and thereby forming a thin film on the base substrate.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁阻元件的方法包括间歇地暴露基底表面以从溅射靶溅射粒子，从而在基底上形成薄膜。

公开(公告)号：US20140284733A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US13963734

申请日：2013-08-09

申请人： Daisuke WATANABE ,  Youngmin EEH ,  Kazuya SAWADA ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Daisuke WATANABE ,  Youngmin EEH ,  Kazuya SAWADA ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01F1/0306 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a storage layer as a ferromagnetic layer which has magnetic anisotropy perpendicular to film planes, and in which a magnetization direction is variable, a reference layer as a ferromagnetic layer which has magnetic anisotropy perpendicular to film planes, and in which a magnetization direction is invariable, a tunnel barrier layer as a nonmagnetic layer formed between the storage layer and the reference layer, and a first underlayer formed on a side of the storage layer, which is opposite to a side facing the tunnel barrier layer, and containing amorphous W.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括作为铁磁层的存储层，其具有垂直于膜平面的磁各向异性，并且其中磁化方向可变，具有垂直于膜平面的磁各向异性的铁磁层的参考层， 并且其中磁化方向是不变的，形成在存储层和参考层之间的作为非磁性层的隧道势垒层和形成在存储层侧面上的与面向隧道势垒的一侧相反的第一底层 层，并含有非晶态W.

公开(公告)号：US20150357557A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14559509

申请日：2014-12-03

申请人： Yang-Kon KIM ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

发明人： Yang-Kon KIM ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

IPC分类号： H01L43/02 ,  G06F3/06 ,  G06F12/08 ,  G11C11/15

CPC分类号： G06F12/0802 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： This technology provides an electronic device. An electronic device in accordance with an implementation of this document includes semiconductor memory, and the semiconductor memory includes a first magnetic layer having a variable magnetization direction; a second magnetic layer having a pinned magnetization direction; and a tunnel barrier layer interposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer, wherein the second magnetic layer includes a ferromagnetic material with molybdenum (Mo) added thereto.

摘要翻译： 该技术提供电子设备。 根据本文的实施方式的电子设备包括半导体存储器，并且半导体存储器包括具有可变的磁化方向的第一磁性层; 具有钉扎磁化方向的第二磁性层; 以及插入在所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的隧道势垒层，其中所述第二磁性层包括添加有钼（Mo）的铁磁材料。

公开(公告)号：US20160043300A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：US14558263

申请日：2014-12-02

申请人： Yang-Kon KIM ,  Ki-Seon PARK ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

发明人： Yang-Kon KIM ,  Ki-Seon PARK ,  Bo-Mi LEE ,  Won-Joon CHOI ,  Guk-Cheon KIM ,  Daisuke WATANABE ,  Makoto NAGAMINE ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA

IPC分类号： H01L43/02 ,  G06F12/08 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： G06F12/0875 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/452 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： An electronic device includes semiconductor memory, the semiconductor memory including an under layer; a first magnetic layer located over the under layer and having a variable magnetization direction; a tunnel barrier layer located over the first magnetic layer; and a second magnetic layer located over the tunnel barrier layer and having a pinned magnetization direction, wherein the under layer includes a first metal nitride layer having a NaCl crystal structure and a second metal nitride layer containing a light metal.

摘要翻译： 电子设备包括半导体存储器，该半导体存储器包括下层; 位于所述下层上并具有可变磁化方向的第一磁性层; 位于所述第一磁性层上方的隧道势垒层; 以及位于所述隧道势垒层上方并具有钉扎磁化方向的第二磁性层，其中所述下层包括具有NaCl晶体结构的第一金属氮化物层和包含轻金属的第二金属氮化物层。

公开(公告)号：US20150255708A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14559546

申请日：2014-12-03

申请人： Cha-Deok DONG ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE

发明人： Cha-Deok DONG ,  Daisuke WATANABE ,  Kazuya SAWADA ,  Young-Min EEH ,  Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G06F12/08

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： An electronic device that includes a first structure including a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a tunnel barrier layer which is interposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer; and a second structure disposed over the first structure, and including a magnetic correction layer for correcting a magnetic field of the first structure, wherein a width of a bottom surface of the second structure is larger than a width of a top surface of the first structure.

摘要翻译： 一种电子设备，其包括：第一结构，其包括介于所述第一磁性层和所述第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和隧道势垒层; 以及设置在所述第一结构上的第二结构，并且包括用于校正所述第一结构的磁场的磁性校正层，其中所述第二结构的底表面的宽度大于所述第一结构的顶表面的宽度 。