公开(公告)号：US08673713B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13080003

申请日：2011-04-05

申请人： Jan Hoentschel ,  Uwe Griebenow ,  Andy Wei

发明人： Jan Hoentschel ,  Uwe Griebenow ,  Andy Wei

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/458 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

摘要： A non-conformal metal silicide in a transistor of recessed drain and source configuration may provide enhanced efficiency with respect to strain-inducing mechanisms, drain/source resistance and the like. For this purpose, in some cases, an amorphizing implantation process may be performed prior to the silicidation process, while in other cases an anisotropic deposition of the refractory metal may be used.

摘要翻译： 凹陷漏极和源极配置的晶体管中的非保形金属硅化物可以提供相对于应变诱导机构，漏极/源极电阻等的增强的效率。 为此，在一些情况下，可以在硅化工艺之前进行非晶化注入工艺，而在其它情况下可以使用难熔金属的各向异性沉积。

公开(公告)号：US08450163B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US12963364

申请日：2010-12-08

申请人： Sven Beyer ,  Klaus Hempel ,  Roland Stejskal ,  Andy Wei ,  Thilo Scheiper ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Jan Hoentschel

发明人： Sven Beyer ,  Klaus Hempel ,  Roland Stejskal ,  Andy Wei ,  Thilo Scheiper ,  Andreas Kurz ,  Uwe Griebenow ,  Jan Hoentschel

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/337 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a replacement gate approach, the semiconductor material or at least a significant portion thereof in a non-transistor structure, such as a precision resistor, an electronic fuse and the like, may be preserved upon replacing the semiconductor material in the gate electrode structures. To this end, an appropriate dielectric material may be provided at least prior to the removal of the semiconductor material in the gate electrode structures, without requiring significant modifications of established replacement gate approaches.

摘要翻译： 在替代栅极方法中，可以在更换栅电极结构中的半导体材料时保留半导体材料或其非晶体管结构中的至少其重要部分，例如精密电阻器，电子熔丝等。 为此，可以至少在去除栅电极结构中的半导体材料之前提供适当的介电材料，而不需要对建立的替代栅极方法进行显着的修改。

公开(公告)号：US08377761B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US13081575

申请日：2011-04-07

申请人： Andreas Gehring ,  Jan Hoentschel ,  Andy Wei

发明人： Andreas Gehring ,  Jan Hoentschel ,  Andy Wei

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/8221 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/8611

摘要： A substrate diode for an SOI device is formed in accordance with an appropriately designed manufacturing flow, wherein transistor performance enhancing mechanisms may be implemented substantially without affecting the diode characteristics. In one aspect, respective openings for the substrate diode may be formed after the formation of a corresponding sidewall spacer structure used for defining the drain and source regions, thereby obtaining a significant lateral distribution of the dopants in the diode areas, which may therefore provide sufficient process margins during a subsequent silicidation sequence on the basis of a removal of the spacers in the transistor devices. In a further aspect, in addition to or alternatively, an offset spacer may be formed substantially without affecting the configuration of respective transistor devices.

摘要翻译： 根据适当设计的制造流程形成用于SOI器件的衬底二极管，其中可以基本上实现晶体管性能增强机制而不影响二极管特性。 在一个方面，用于衬底二极管的相应开口可以在形成用于限定漏极和源极区域的相应的侧壁间隔结构形成之后形成，从而获得掺杂剂在二极管区域中的显着的横向分布，这可能因此提供足够的 基于去除晶体管器件中的间隔物，在随后的硅化序列期间的工艺余量。 在另一方面，除了或者可选地，可以基本上形成偏移间隔物而不影响各个晶体管器件的配置。

公开(公告)号：US08062952B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12784819

申请日：2010-05-21

申请人： Jan Hoentschel ,  Stefan Flachowsky ,  Andy Wei

发明人： Jan Hoentschel ,  Stefan Flachowsky ,  Andy Wei

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7846

摘要： In advanced SOI devices, a high tensile strain component may be achieved on the basis of a globally strained semiconductor layer, while at the same time a certain compressive strain may be induced in P-channel transistors by appropriately selecting a height-to-length aspect ratio of the corresponding active regions. It has been recognized that the finally obtained strain distribution in the active regions is strongly dependent on the aspect ratio of the active regions. Thus, by selecting a moderately low height-to-length aspect ratio for N-channel transistors, a significant fraction of the initial tensile strain component may be preserved. On the other hand, a moderately high height-to-length aspect ratio for the P-channel transistor may result in a compressive strain component in a central surface region of the active region.

摘要翻译： 在先进的SOI器件中，可以在全局应变半导体层的基础上实现高拉伸应变分量，同时通过适当地选择高度 - 长度方面，可以在P沟道晶体管中产生一定的压缩应变 相应活性区的比例。 已经认识到，有效区域中最终获得的应变分布强烈地取决于有源区的纵横比。 因此，通过为N沟道晶体管选择中等的高度 - 长度长宽比，可以保留初始拉伸应变分量的很大一部分。 另一方面，用于P沟道晶体管的中等高度的长宽比可能导致有源区的中心表面区域中的压缩应变分量。

公开(公告)号：US08026134B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US12549769

申请日：2009-08-28

申请人： Uwe Griebenow ,  Andy Wei ,  Jan Hoentschel ,  Thilo Scheiper

发明人： Uwe Griebenow ,  Andy Wei ,  Jan Hoentschel ,  Thilo Scheiper

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

摘要： During the manufacturing process for forming sophisticated transistor elements, the gate height may be reduced and a recessed drain and source configuration may be obtained in a common etch sequence prior to forming respective metal silicide regions. Since the corresponding sidewall spacer structure may be maintained during the etch sequence, controllability and uniformity of the silicidation process in the gate electrode may be enhanced, thereby obtaining a reduced degree of threshold variability. Furthermore, the recessed drain and source configuration may provide reduced overall series resistance and enhanced stress transfer efficiency.

摘要翻译： 在用于形成复杂的晶体管元件的制造过程中，栅极高度可以减小，并且在形成相应的金属硅化物区域之前可以在公共蚀刻序列中获得凹陷的漏极和源极配置。 由于可以在蚀刻顺序期间保持相应的侧壁间隔结构，所以可以提高栅电极中的硅化处理的可控性和均匀性，从而获得阈值变化程度的降低。 此外，凹陷的漏极和源极配置可以提供减小的整体串联电阻和增强的应力传递效率。

公开(公告)号：US20110159657A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12907675

申请日：2010-10-19

申请人： Uwe Griebenow ,  Jan Hoentschel ,  Thilo Scheiper ,  Andy Wei

发明人： Uwe Griebenow ,  Jan Hoentschel ,  Thilo Scheiper ,  Andy Wei

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/165 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： In a process strategy for forming sophisticated high-k metal gate electrode structures in an early manufacturing phase, the dielectric cap material may be removed on the basis of a protective spacer element, thereby ensuring integrity of a silicon nitride sidewall spacer structure, which may preserve integrity of sensitive gate materials and may also determine the lateral offset of a strain-inducing semiconductor material.

摘要翻译： 在用于在早期制造阶段形成复杂的高k金属栅极电极结构的工艺策略中，介电盖材料可以基于保护性间隔元件去除，从而确保氮化硅侧壁间隔结构的完整性，其可以保持 敏感栅极材料的完整性并且还可以确定应变诱导半导体材料的横向偏移。

公开(公告)号：US20110101427A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12899080

申请日：2010-10-06

申请人： Thilo Scheiper ,  Andy Wei ,  Sven Beyer ,  Jan Hoentschel ,  Uwe Griebenow

发明人： Thilo Scheiper ,  Andy Wei ,  Sven Beyer ,  Jan Hoentschel ,  Uwe Griebenow

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/84 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848

摘要： When forming a sophisticated high-k metal gate stack in an early manufacturing stage, the dielectric cap layer may be efficiently removed without unduly affecting the drain and source extension regions. To this end, a specifically designed sidewall spacer structure may be used, such as a silicon dioxide spacer element in combination with a silicon nitride etch stop liner. The spacer structure may thus enable the removal of the dielectric cap layer while still maintaining the functions of an implantation mask and a silicidation mask during the further processing.

摘要翻译： 当在早期制造阶段中形成复杂的高k金属栅极堆叠时，可以有效地去除电介质盖层而不会不利地影响漏极和源极延伸区域。 为此，可以使用特别设计的侧壁间隔结构，例如与氮化硅蚀刻停止衬垫组合的二氧化硅隔离元件。 因此，间隔物结构可以在进一步处理期间能够移除电介质盖层同时保持注入掩模和硅化掩模的功能。

公开(公告)号：US20100181619A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12752487

申请日：2010-04-01

申请人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

发明人： Andy Wei ,  Thorsten Kammler ,  Jan Hoentschel ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： A method of forming a field effect transistor comprises providing a substrate comprising a biaxially strained layer of a semiconductor material. A gate electrode is formed on the biaxially strained layer of semiconductor material. A raised source region and a raised drain region are formed adjacent the gate electrode. Ions of a dopant material are implanted into the raised source region and the raised drain region to form an extended source region and an extended drain region. Moreover, in methods of forming a field effect transistor according to embodiments of the present invention, a gate electrode can be formed in a recess of a layer of semiconductor material. Thus, a field effect transistor wherein a source side channel contact region and a drain side channel contact region located adjacent a channel region are subject to biaxial strain can be obtained.

摘要翻译： 形成场效应晶体管的方法包括提供包括半导体材料的双轴应变层的衬底。 在半导体材料的双轴应变层上形成栅电极。 在栅电极附近形成凸起的源区和升高的漏极区。 将掺杂剂材料的离子注入到凸起的源极区域和隆起的漏极区域中，以形成扩展的源极区域和延伸的漏极区域。 此外，在形成根据本发明的实施例的场效应晶体管的方法中，可以在半导体材料层的凹部中形成栅电极。 因此，可以获得其中位于沟道区附近的源极侧沟道接触区域和漏极侧沟道接触区域受到双轴应变的场效应晶体管。

公开(公告)号：US07579262B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11562001

申请日：2006-11-21

申请人： Jan Hoentschel ,  Andy Wei ,  Manfred Horstmann ,  Thorsten Kammler

发明人： Jan Hoentschel ,  Andy Wei ,  Manfred Horstmann ,  Thorsten Kammler

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： By omitting a growth mask or by omitting lithographical patterning processes for forming growth masks, a significant reduction in process complexity may be obtained for the formation of different strained semiconductor materials in different transistor types. Moreover, the formation of individually positioned semiconductor materials in different transistors may be accomplished on the basis of a differential disposable spacer approach, thereby combining high efficiency with low process complexity even for highly advanced SOI transistor devices.

摘要翻译： 通过省略生长掩模或通过省略用于形成生长掩模的光刻图案化工艺，可以获得在不同晶体管类型中形成不同应变半导体材料的工艺复杂性的显着降低。 此外，可以基于差分一次性间隔物方法来实现在不同晶体管中形成单独定位的半导体材料，从而即使对于高度先进的SOI晶体管器件也可以组合高效率和低工艺复杂性。

公开(公告)号：US20080090349A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11562001

申请日：2006-11-21

申请人： Jan Hoentschel ,  Andy Wei ,  Manfred Horstmann ,  Thorsten Kammler

发明人： Jan Hoentschel ,  Andy Wei ,  Manfred Horstmann ,  Thorsten Kammler

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： By omitting a growth mask or by omitting lithographical patterning processes for forming growth masks, a significant reduction in process complexity may be obtained for the formation of different strained semiconductor materials in different transistor types. Moreover, the formation of individually positioned semiconductor materials in different transistors may be accomplished on the basis of a differential disposable spacer approach, thereby combining high efficiency with low process complexity even for highly advanced SOI transistor devices.

摘要翻译： 通过省略生长掩模或通过省略用于形成生长掩模的光刻图案化工艺，可以获得在不同晶体管类型中形成不同应变半导体材料的工艺复杂性的显着降低。 此外，可以基于差分一次性间隔物方法来实现在不同晶体管中形成单独定位的半导体材料，从而即使对于高度先进的SOI晶体管器件也可以组合高效率和低工艺复杂性。