公开(公告)号：US09368647B2

公开(公告)日：2016-06-14

申请号：US14824786

申请日：2015-08-12

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd. ,  Soulbrain Co., Ltd.

Inventor： Young-Taek Hong ,  Jinuk Lee ,  Junghun Lim ,  Jaewan Park ,  Chanjin Jeong ,  Hoon Han ,  Seonghwan Park ,  Yanghwa Lee ,  Sang Won Bae ,  Daehong Eom ,  Byoungmoon Yoon ,  Jihoon Jeong ,  Kyunghyun Kim ,  Kyounghwan Kim ,  ChangSup Mun ,  Se-Ho Cha ,  Yongsun Ko

IPC: C09K13/04 ,  H01L29/792 ,  C09K13/06 ,  C23F1/16 ,  H01L21/311 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/7926 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/16 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889

Abstract: Etching compositions are provided. The etching composition includes a phosphoric acid, ammonium ions and a silicon compound material. The silicon compound material includes a silicon atom, at least one selected from the group of a nitrogen atom, a phosphorus atom and a sulfur atom combined with the silicon atom, and at least two oxygen atoms combined with the silicon atom. Methods utilizing the etching compositions are also provided.

Abstract translation: 提供蚀刻组合物。 蚀刻组合物包括磷酸，铵离子和硅化合物材料。 硅化合物材料包括硅原子，选自氮原子，磷原子和与硅原子结合的硫原子中的至少一种，以及与硅原子结合的至少两个氧原子。 还提供了利用蚀刻组合物的方法。

公开(公告)号：US20130241037A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13875731

申请日：2013-05-02

Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Inventor： Junho Jeong ,  Sukhun Choi ,  Jangeun Lee ,  Kyunghyun Kim ,  Sechung Oh ,  Kyungtae Nam

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

Abstract: Methods of fabricating semiconductor devices are provided including forming a dielectric interlayer on a substrate, the dielectric interlayer defining an opening therein. A metal pattern is formed in the opening. An oxidization process is performed on the metal pattern to form a conductive metal oxide pattern, and the conductive metal oxide pattern is planarized. Related semiconductor devices are also provided.

Abstract translation: 提供了制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成电介质中间层，电介质层间限定开口。 在开口中形成金属图案。 对金属图案进行氧化处理以形成导电金属氧化物图案，并且导电金属氧化物图案被平坦化。 还提供了相关的半导体器件。