公开(公告)号：US07564053B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11188912

申请日：2005-07-25

申请人： Gi Heon Kim ,  Sung Min Yoon ,  Kyung Soo Suh

发明人： Gi Heon Kim ,  Sung Min Yoon ,  Kyung Soo Suh

IPC分类号： H01L51/30 ,  G03C1/00

CPC分类号： H01L51/0516 ,  H01L51/0545

摘要： Provided are a composition for a photo-reactive organic polymeric gate insulating layer and an organic thin film transistor using the same. The composition for the photo-reactive organic polymeric gate insulating layer comprises poly (vinyl) phenol and a photo-reactive material, and the organic thin film transistor has a photo-reactive organic polymeric gate insulating layer formed of the composition. The composition for the photo-reactive organic polymeric gate insulating layer can add the photo patterning characteristics to an organic polymer and can form the layer with the enhanced electrical characteristics.

摘要翻译： 提供了一种光反应性有机聚合物栅极绝缘层和使用其的有机薄膜晶体管的组合物。 用于光反应性有机聚合物栅极绝缘层的组合物包含聚（乙烯基）苯酚和光反应性材料，并且有机薄膜晶体管具有由该组合物形成的光反应性有机聚合物栅极绝缘层。 用于光反应性有机聚合物栅极绝缘层的组合物可以将有机聚合物的光图案化特征加入，并且可以形成具有增强的电特性的层。

公开(公告)号：US07417891B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US11635279

申请日：2006-12-07

申请人： Byoung Gon Yu ,  Seung Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu Jeong Choi ,  Nam Yeal Lee

发明人： Byoung Gon Yu ,  Seung Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu Jeong Choi ,  Nam Yeal Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/1213 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

摘要： Provided is a phase change memory device including: a phase change memory unit comprising a phase change layer pattern; a laser beam focusing unit locally focusing a laser beam on the phase change layer pattern of the phase change memory unit; and a semiconductor laser unit generating and emitting the laser beam towards the laser beam focusing unit. Thus set or reset operations in the phase change memory device uses laser beams locally applied, thereby reducing the consumption power and preventing destruction or change in information stored in neighboring cell during the operations of unit cell.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器件，包括：相变存储器单元，包括相变层图案; 激光束聚焦单元将激光束局部聚焦在相变存储单元的相变层图案上; 以及向激光束聚焦单元产生并发射激光束的半导体激光器单元。 因此，相变存储器件中的设定或复位操作使用局部施加的激光束，从而在单位电池的操作期间降低消耗功率并防止存储在相邻单元中的信息的破坏或改变。

公开(公告)号：US20130030568A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13576790

申请日：2010-04-23

申请人： Tae Jin Park ,  Jae Hoon Kim ,  Young Youl Ha ,  Sang Dong Park ,  Sung Min Yoon ,  Min Su Kim

发明人： Tae Jin Park ,  Jae Hoon Kim ,  Young Youl Ha ,  Sang Dong Park ,  Sung Min Yoon ,  Min Su Kim

IPC分类号： B25J9/16

CPC分类号： B25J9/1602 ,  G05B2219/33342

摘要： The present invention discloses a method of controlling a robot system and an apparatus thereof. The method of controlling a robot system in accordance with an embodiment of the present invention can include: initializing the master controller by use of a boot loader equipped in the robot system; executing a runtime by loading a runtime execution code stored in a storage space of the master controller; and loading and executing an application program stored in the storage space of the master controller. With an embodiment of the present invention, it becomes possible to manage the application program more efficiently for realizing the functions of the robot system.

摘要翻译： 本发明公开了一种机器人系统的控制方法及其装置。 根据本发明的实施例的控制机器人系统的方法可以包括：通过使用装备在机器人系统中的引导装载器来初始化主控制器; 通过加载存储在主控制器的存储空间中的运行时执行代码来执行运行时; 以及加载和执行存储在主控制器的存储空间中的应用程序。 利用本发明的实施例，可以更有效地管理应用程序以实现机器人系统的功能。

公开(公告)号：US07989793B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12326776

申请日：2008-12-02

申请人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

发明人： Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Soon Won Jung ,  Byoung Gon Yu

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1666

摘要： Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same, in which a phase-change layer is formed using a solid-state reaction to reduce a programmable volume, thereby lessening power consumption. The device includes a first reactant layer, a second reactant layer formed on the first reactant layer, and a phase-change layer formed between the first and second reactant layers due to a solid-state reaction between a material forming the first reactant layer and a material forming the second reactant layer. The phase-change memory device consumes low power and operates at high speed.

摘要翻译： 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，其中使用固态反应形成相变层以减少可编程体积，从而降低功耗。 该装置包括第一反应物层，形成在第一反应物层上的第二反应物层和由形成第一反应物层的材料与第一反应物层之间的固态反应形成在第一和第二反应物层之间的相变层 形成第二反应物层的材料。 相变存储器件消耗低功率并以高速运行。

公开(公告)号：US07952086B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12122152

申请日：2008-05-16

申请人： Byoung Gon Yu ,  Sung Min Yoon ,  Se Young Choi ,  Tae Jin Park

发明人： Byoung Gon Yu ,  Sung Min Yoon ,  Se Young Choi ,  Tae Jin Park

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666

摘要： Provided are a phase-change nonvolatile memory device and a manufacturing method thereof. The device includes: a substrate; and a stack structure disposed on the substrate and including a phase-change material layer. The phase-change material layer is formed of an alloy of antimony (Sb) and zinc (Zn), so that the phase-change memory device can stably operate at high speed and reduce power consumption.

摘要翻译： 提供了一种相变非易失性存储器件及其制造方法。 该装置包括：基板; 以及设置在所述基板上并且包括相变材料层的堆叠结构。 相变材料层由锑（Sb）和锌（Zn）的合金形成，使得相变存储器件可以稳定地高速运行并降低功耗。

公开(公告)号：US07855421B2

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：US11633216

申请日：2006-12-04

申请人： Seung-Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

发明人： Seung-Yun Lee ,  Sangouk Ryu ,  Sung Min Yoon ,  Young Sam Park ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/0635 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/008 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/2445 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  Y10S438/947

摘要： An embedded memory required for a high performance, multifunction SOC, and a method of fabricating the same are provided. The memory includes a bipolar transistor, a phase-change memory device and a MOS transistor, adjacent and electrically connected, on a substrate. The bipolar transistor includes a base composed of SiGe disposed on a collector. The phase-change memory device has a phase-change material layer which is changed from an amorphous state to a crystalline state by a current, and a heating layer composed of SiGe that contacts the lower surface of the phase-change material layer.

摘要翻译： 提供了高性能多功能SOC所需的嵌入式存储器及其制造方法。 存储器包括在衬底上相邻并电连接的双极晶体管，相变存储器件和MOS晶体管。 双极晶体管包括由设置在集电极上的SiGe组成的基极。 相变存储器件具有通过电流从非晶状态转变为结晶态的相变材料层和由与相变材料层的下表面接触的SiGe构成的加热层。

公开(公告)号：US07767994B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11951148

申请日：2007-12-05

申请人： Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

发明人： Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a Phase-change Random Access Memory (PRAM) device and a method of manufacturing the same. In particular, a PRAM device including a heating layer, wherein the heating layer comprises first and second heating layers having different physical properties from each other and a method of manufacturing the same are provided. Since the PRAM device according to the present invention includes a heating layer having optimal heating characteristics, a PRAM device having high reliability and excellent operating characteristics can be manufactured.

摘要翻译： 提供了一种相变随机存取存储器（PRAM）装置及其制造方法。 特别地，包括加热层的PRAM装置及其制造方法，其中加热层包括彼此具有不同物理性质的第一和第二加热层。 由于根据本发明的PRAM器件包括具有最佳加热特性的加热层，所以可以制造具有高可靠性和优异的工作特性的PRAM器件。

公开(公告)号：US20100148821A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12633731

申请日：2009-12-08

申请人： Byoung Gon YU ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

发明人： Byoung Gon YU ,  Yong-Joo Kim ,  Sung Min Yoon ,  Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Soonwon Jung

IPC分类号： H03K19/177 ,  H03K19/0948

CPC分类号： H03K19/17784 ,  H03K19/17728 ,  H03K19/17792

摘要： Provided is a programmable logic block of a field-programmable gate array (FPGA). The programmable logic block includes a pull-up access transistor connected to a power source, an up-phase-change memory device connected to the pull-up access transistor, a down-phase-change memory device connected to the up-phase-change memory device, an output terminal between the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device, and a pull-down access transistor connected to the down-phase-change memory device and a ground. The resistance values of the up-phase-change memory device and the down-phase-change memory device are individually programmed.

摘要翻译： 提供了现场可编程门阵列（FPGA）的可编程逻辑块。 可编程逻辑块包括连接到电源的上拉访问晶体管，连接到上拉存取晶体管的上变相存储器件，连接到上变相存储晶体管的下变相存储器件 存储器件，上变相存储器件和下变相存储器件之间的输出端子以及连接到下变相存储器件和地的下拉存取晶体管。 上变相存储器件和下变相存储器件的电阻值被单独编程。

公开(公告)号：US07547913B2

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US12063991

申请日：2006-08-30

申请人： Sung Min Yoon ,  Nam Yeal Lee ,  Sang Ouk Ryu ,  Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Kyu Jeong Choi ,  Byoung Gon Yu

发明人： Sung Min Yoon ,  Nam Yeal Lee ,  Sang Ouk Ryu ,  Seung Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Kyu Jeong Choi ,  Byoung Gon Yu

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase-change memory device using a phase-change material having a low melting point and a high crystallization speed, and a method of fabricating the same. The phase-change memory device includes an antimony (Sb)-selenium (Se) chalcogenide SbxSe100-x phase-change material layer contacting a heat-generating electrode layer exposed through a pore and filling the pore. Due to the use of SbxSe100-x in the phase-change material layer, a higher-speed, lower-power consumption phase-change memory device than a GST memory device can be manufactured.

摘要翻译： 提供了使用具有低熔点和高结晶速度的相变材料的相变存储器件及其制造方法。 相变记忆装置包括与通过孔露出并填充孔的发热电极层接触的锑（Sb） - 硒（Se）硫族化物SbxSe100-x相变材料层。 由于在相变材料层中使用SbxSe100-x，所以可以制造比GST存储器件更高速，更低功耗的相变存储器件。

公开(公告)号：US20080128676A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11951148

申请日：2007-12-05

申请人： Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

发明人： Seung-Yun Lee ,  Young Sam Park ,  Sung Min Yoon ,  Kyu-Jeong Choi ,  Nam-Yeal Lee ,  Byoung-Gon Yu

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a Phase-change Random Access Memory (PRAM) device and a method of manufacturing the same. In particular, a PRAM device including a heating layer, wherein the heating layer comprises first and second heating layers having different physical properties from each other and a method of manufacturing the same are provided. Since the PRAM device according to the present invention includes a heating layer having optimal heating characteristics, a PRAM device having high reliability and excellent operating characteristics can be manufactured.

摘要翻译： 提供了一种相变随机存取存储器（PRAM）装置及其制造方法。 特别地，包括加热层的PRAM装置及其制造方法，其中加热层包括彼此具有不同物理性质的第一和第二加热层。 由于根据本发明的PRAM器件包括具有最佳加热特性的加热层，所以可以制造具有高可靠性和优异的工作特性的PRAM器件。