公开(公告)号：US6143463A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US992033

申请日：1997-12-17

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Ki Ho Baik

IPC分类号： C08F2/48 ,  C08F32/00 ,  C08F232/00 ,  C08F232/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： There is disclosed a photoresist copolymer for DUV light, with which the fine patterns allowable for the high integration of semiconductor devices can be easily obtained in a microlithography process using DUV light. The copolymer is easily prepared by reacting at least two alicyclic olefins at a high temperature and at high pressure in the presence of an initiator.

摘要翻译： 公开了一种用于DUV光的光致抗蚀剂共聚物，其中可以在使用DUV光的微光刻工艺中容易地获得半导体器件的高集成度允许的精细图案。 通过在高温和高压下在引发剂的存在下使至少两种脂环族烯烃反应来容易地制备共聚物。

公开(公告)号：US6063896A

公开(公告)日：2000-05-16

申请号：US881122

申请日：1997-06-24

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok

IPC分类号： G03F7/033 ,  C08F220/12 ,  C08F222/40 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  C08G73/10 ,  G03C1/495

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08F222/40

摘要： A copolymer of maleimide derivative and acrylic acid, represented by Formula I, is of high etch resistance and thermal resistance and can be used for photoresist in submicrolithography. ##STR1##

摘要翻译： 由式I表示的马来酰亚胺衍生物和丙烯酸的共聚物具有高耐蚀刻性和耐热性，并且可用于亚微光刻中的光致抗蚀剂。

公开(公告)号：US5843627A

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：US669618

申请日：1996-06-24

申请人： Cheol Kyu Bok

发明人： Cheol Kyu Bok

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/3021 ,  G03F7/32 ,  Y10S134/902

摘要： There is provided a method for forming fine patterns in a semiconductor device without the falling down of the patterns, comprising the steps of: coating a photosensitive film on a wafer; patterning the photosensitive film by use of a light mask, followed by development, to form photosensitive film patterns; scattering a first washing solution on the wafer with spinning, to lie the first washing solution on the wafer including the photosensitive film patterns; scattering a second washing solution on the wafer to lie it thereon while spinning the wafer to remove the first washing solution out of the wafer; and spinning the wafer to dry the second washing solution.

摘要翻译： 提供了一种用于在半导体器件中形成精细图案而不会掉落图案的方法，包括以下步骤：在晶片上涂覆感光膜; 通过使用光罩对感光膜进行图案化，然后显影，以形成感光膜图案; 通过旋转在晶片上散射第一洗涤溶液，将第一洗涤溶液置于包括感光膜图案的晶片上; 将第二洗涤溶液散布在晶片上以使其在其上旋转晶片以将第一洗涤溶液从晶片中移出; 并旋转晶片以干燥第二洗涤溶液。

公开(公告)号：US08304174B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12164071

申请日：2008-06-29

申请人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok

发明人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a first mask pattern over an etch target layer, forming a second mask pattern over the etch target layer, forming spacers at sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern, and etching the etch target layer with an etching mask where the second mask pattern is removed. The method improves a profile of a pad pattern and critical dimension uniformity.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括在蚀刻目标层上形成第一掩模图案，在蚀刻目标层上形成第二掩模图案，在第一掩模图案和第二掩模图案的侧壁处形成间隔物，并蚀刻蚀刻靶 层，其中除去第二掩模图案的蚀刻掩模。 该方法改善了焊盘图案的轮廓和临界尺寸均匀性。

公开(公告)号：US07989145B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11964693

申请日：2007-12-26

申请人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok

发明人： Ki Lyoung Lee ,  Cheol Kyu Bok

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device comprises forming a spin-on-carbon layer over an underlying layer, forming an anti-reflection pattern including a silicon containing polymer with a first etching mask pattern, forming a photoresist pattern including a silicon containing polymer with a second etching mask pattern between elements of the first etching mask pattern, and etching the spin-on-carbon layer with the etching mask patterns to reduce the process steps and the manufacturing cost, thereby obtaining a uniform pattern profile.

摘要翻译： 用于形成半导体器件的精细图案的方法包括在下层上形成自旋碳层，用第一蚀刻掩模图形成包含含硅聚合物的抗反射图案，形成包括硅的光致抗蚀剂图案 在第一蚀刻掩模图案的元件之间具有第二蚀刻掩模图案，并用蚀刻掩模图案蚀刻自旋碳层，以减少工艺步骤和制造成本，从而获得均匀的图案轮廓。

公开(公告)号：US07910291B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11647323

申请日：2006-12-29

申请人： Cheol Kyu Bok ,  Hyun Sook Jun ,  Tae Seung Eom

发明人： Cheol Kyu Bok ,  Hyun Sook Jun ,  Tae Seung Eom

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/70341

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device using an immersion lithography process is disclosed. The immersion lithography process includes forming a photoresist film over an underlying layer of a semiconductor substrate; exposing the photoresist film to light without using an exposure mask; and performing an exposure process using an exposure mask. After exposure using the immersion lithography, a water mark generated from the exposure layer consumes a part of the acid of the exposure layer but the residual acid remains in the exposure layer to prevent generation of pattern defects such as T-top or pattern bridges.

摘要翻译： 公开了使用浸没式光刻工艺制造半导体器件的方法。 浸没式光刻工艺包括在半导体衬底的下层上形成光刻胶膜; 在不使用曝光掩模的情况下将光致抗蚀剂膜曝光; 并使用曝光掩模进行曝光处理。 在使用浸渍光刻曝光之后，从曝光层产生的水印消耗曝光层的酸的一部分，但残留的酸残留在曝光层中，以防止图案缺陷如T顶或图案桥的产生。

公开(公告)号：US07838201B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12420698

申请日：2009-04-08

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer for immersion lithography comprising a repeating unit represented by Formula 1 and a photoresist composition containing the same. A photoresist film formed by the photoresist composition of the invention is highly resistant to dissolution, a photoacid generator in an aqueous solution for immersion lithography, thereby preventing contamination of an exposure lens and deformation of the photoresist pattern by exposure.

摘要翻译： 一种用于浸没式光刻的聚合物，其包含由式1表示的重复单元和含有该重复单元的光致抗蚀剂组合物。 由本发明的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜具有很高的耐溶解性，用于浸没式光刻的水溶液中的光致酸产生剂，从而防止曝光透镜的污染和曝光引起的光致抗蚀剂图案的变形。

公开(公告)号：US20090170035A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12164071

申请日：2008-06-29

申请人： Ki Lyoung LEE ,  Cheol Kyu Bok

发明人： Ki Lyoung LEE ,  Cheol Kyu Bok

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

摘要： A method for fabricating a semiconductor device includes forming a first mask pattern over an etch target layer, forming a second mask pattern over the etch target layer, forming spacers at sidewalls of the first mask pattern and the second mask pattern, and etching the etch target layer with an etching mask where the second mask pattern is removed. The method improves a profile of a pad pattern and critical dimension uniformity.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法包括在蚀刻目标层上形成第一掩模图案，在蚀刻目标层上形成第二掩模图案，在第一掩模图案和第二掩模图案的侧壁处形成间隔物，并蚀刻蚀刻靶 层，其中除去第二掩模图案的蚀刻掩模。 该方法改善了焊盘图案的轮廓和临界尺寸均匀性。

公开(公告)号：US20090004603A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11962405

申请日：2007-12-21

申请人： Cheol Kyu Bok

发明人： Cheol Kyu Bok

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/091

摘要： A method for forming a fine pattern of a semiconductor device comprises: forming anti-reflection coating patterns over an underlying layer of a semiconductor substrate using an anti-reflection coating composition comprising a silicon-containing polymer; forming a photoresist pattern between the anti-reflection coating patterns using a photoresist composition comprising a silicon-containing polymer; and patterning the underlying layer using the photoresist patterns as an etching mask.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的精细图案的方法包括：使用包含含硅聚合物的抗反射涂层组合物在半导体衬底的下层上形成抗反射涂层图案; 使用包含含硅聚合物的光致抗蚀剂组合物在抗反射涂层图案之间形成光致抗蚀剂图案; 并使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化底层。

公开(公告)号：US07462439B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11159735

申请日：2005-06-23

申请人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

发明人： Jae Chang Jung ,  Cheol Kyu Bok ,  Chang Moon Lim ,  Seung Chan Moon

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/095 ,  G03F7/11 ,  G03F7/039 ,  C08F22/18

CPC分类号： G03F7/091 ,  C09D5/32 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0392 ,  Y10S438/952

摘要： Disclosed herein is a top anti-reflective coating polymer represented by Formula 1, below: wherein R1 and R2 are independently hydrogen, fluoro, methyl or fluoromethyl; R3 is a C1-10 hydrocarbon or a C1-10 hydrocarbon in which the hydrogen atoms are partly replaced by fluorine atoms; and a, b and c, representing the mole fraction of each monomer, are in the range between 0.05 and 0.9. Because a top anti-reflective coating formed using the anti-reflective coating polymer of Formula 1 is not soluble in water, it can be applied to immersion lithography using water as a medium for a light source. In addition, because the top anti-reflective coating can reduce the reflectance from an underlying layer, the uniformity of CD is improved, thus enabling the formation of an ultra fine pattern.

摘要翻译： 本文公开了由下式1表示的顶部抗反射涂层聚合物：其中R1和R2独立地为氢，氟，甲基或氟甲基; R3是其中氢原子被氟原子部分取代的C1-10烃或C1-10烃; 和表示每个单体的摩尔分数的a，b和c在0.05和0.9之间的范围内。 由于使用式1的抗反射涂层聚合物形成的顶部抗反射涂层不溶于水，因此可以使用水作为光源的介质进行浸渍光刻。 此外，由于顶部抗反射涂层可以降低来自下层的反射率，因此提高了CD的均匀性，从而能够形成超细图案。