公开(公告)号：US20050276963A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US11149272

申请日：2005-06-10

申请人： Jang Kim ,  Woo Kim ,  Jae Lee ,  Suk Chang ,  Wook Kim ,  Geun Lee ,  Byoung Lee ,  Byeong Cho ,  Seung Yoo

发明人： Jang Kim ,  Woo Kim ,  Jae Lee ,  Suk Chang ,  Wook Kim ,  Geun Lee ,  Byoung Lee ,  Byeong Cho ,  Seung Yoo

IPC分类号： B05D1/12 ,  B05D3/02 ,  B32B3/00 ,  C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J9/00 ,  C09J11/00 ,  C09J133/04 ,  C09J133/06

CPC分类号： C09J133/08 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08K3/38 ,  C09J7/385 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/11 ,  Y10T428/1405 ,  Y10T428/1462 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249972 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/2857

摘要： Disclosed herein are an adhesive sheet comprising a cured acrylic polymer, hollow polymeric microspheres dispersed and ruptured in the cured acrylic polymer, and hollow parts formed by rupturing the hollow polymeric microspheres dispersed in the cured acrylic polymer, and a preparation method thereof.

摘要翻译： 本文公开了一种粘合片，其包含固化的丙烯酸类聚合物，在固化的丙烯酸类聚合物中分散和破裂的中空聚合物微球，以及通过破碎分散在固化的丙烯酸类聚合物中的中空聚合物微球形成的中空部分及其制备方法。

公开(公告)号：US20050040465A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10952286

申请日：2004-09-28

申请人： Heemyong Park ,  Byoung Lee ,  Paul Agnello ,  Dominic Schepis ,  Ghavam Shahidi

发明人： Heemyong Park ,  Byoung Lee ,  Paul Agnello ,  Dominic Schepis ,  Ghavam Shahidi

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/01 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/74 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/78612 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66772

摘要： A method and structure for a CMOS device comprises depositing a silicon over insulator (SOI) wafer over a buried oxide (BOX) substrate, wherein the SOI wafer has a predetermined thickness; forming a gate dielectric over the SOI wafer; forming a shallow trench isolation (STI) region over the BOX substrate, wherein the STI region is configured to have a generally rounded corner; forming a gate structure over the gate dielectric; depositing an implant layer over the SOI wafer; performing one of N-type and P-type dopant implantations in the SOI wafer and the implant layer; and heating the device to form source and drain regions from the implant layer and the SOI wafer, wherein the source and drain regions have a thickness greater than the predetermined thickness of the SOI wafer, wherein the gate dielectric is positioned lower than the STI region.

摘要翻译： CMOS器件的方法和结构包括在掩埋氧化物（BOX）衬底上沉积硅绝缘体（SOI）晶片，其中SOI晶片具有预定厚度; 在所述SOI晶片上形成栅电介质; 在所述BOX衬底上形成浅沟槽隔离（STI）区域，其中所述STI区域被配置为具有大致圆角; 在所述栅极电介质上形成栅极结构; 在SOI晶片上沉积注入层; 在SOI晶片和植入层中执行N型和P型掺杂剂注入之一; 以及加热所述器件以从所述注入层和所述SOI晶片形成源极和漏极区域，其中所述源极和漏极区域具有大于所述SOI晶片的预定厚度的厚度，其中所述栅极电介质位于所述STI区域之下。

公开(公告)号：US20070293569A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US10599680

申请日：2005-02-28

申请人： Jae You ,  Chan Lee ,  Duck Kim ,  Kil Kim ,  Gae Nam ,  Byoung Lee ,  Ih Chang

发明人： Jae You ,  Chan Lee ,  Duck Kim ,  Kil Kim ,  Gae Nam ,  Byoung Lee ,  Ih Chang

IPC分类号： A61K31/225 ,  A61P17/00 ,  C07C31/24

CPC分类号： C09K19/06 ,  A61K8/39 ,  A61Q19/00 ,  C07C67/08 ,  C07C69/708 ,  C11D3/2093 ,  C11D17/0026

摘要： The present invention relates to pentaerythritol derivatives represented by the following formula 1, which improve moisture retaining ability of the stratum corneum when show high moisturizing ability even in dry conditions, to a preparation method thereof, and to a liquid crystal base containing the same. (Wherein R is the same or different, saturated or unsaturated, linear or branched alkyl groups of 1 to 24 carbon atoms having hydrogen or hydroxy group or not; m and n are the same or different integers of which m is 0 to 10 and n is 1 to 10).

摘要翻译： 本发明涉及下述式1所示的季戊四醇衍生物，即使在干燥条件下表现出高的保湿能力时也能改善角质层的保湿能力，其制备方法以及含有该季铵盐衍生物的液晶基。 （其中R是具有氢或羟基的1至24个碳原子的相同或不同的饱和或不饱和的直链或支链烷基; m和n是相同或不同的整数，其中m是0至10，n 是1到10）。

公开(公告)号：US20070141769A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11491589

申请日：2006-07-24

申请人： Byoung Lee

发明人： Byoung Lee

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

摘要： A method of manufacturing a flash memory device, including the steps of sequentially forming a tunnel oxide film, a first polysilicon layer, a nitride film, and a hard mask film on a semiconductor substrate, etching the hard mask film, the nitride film, the first polysilicon layer, and a predetermined region of the tunnel oxide films and then etching the exposed semiconductor substrate by a predetermined depth, thereby forming trenches, forming an oxide film on the entire structure so that the trenches are buried, polishing the oxide film and stripping the hard mask film, forming isolation films, etching the isolation films by a predetermined thickness, wherein when the nitride film is etched, the first polysilicon layer is also etched to form a trapezoid profile, stripping the nitride film remaining after the nitride film is etched, and forming a dielectric layer, and burying the entire top surface with a second polysilicon layer and a gate conductive film.

摘要翻译： 一种制造闪速存储器件的方法，包括在半导体衬底上依次形成隧道氧化膜，第一多晶硅层，氮化物膜和硬掩模膜的步骤，蚀刻硬掩模膜，氮化物膜， 第一多晶硅层和隧道氧化物膜的预定区域，然后以预定深度蚀刻暴露的半导体衬底，从而形成沟槽，在整个结构上形成氧化膜，使得沟槽被埋入，抛光氧化膜和剥离 硬掩模膜，形成隔离膜，以预定厚度蚀刻隔离膜，其中当蚀刻氮化物膜时，还蚀刻第一多晶硅层以形成梯形轮廓，剥离在氮化物膜蚀刻之后残留的氮化物膜 并形成电介质层，并且将整个顶表面与第二多晶硅层和栅极导电膜进行掩埋。

公开(公告)号：US20060280596A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11331053

申请日：2006-01-13

申请人： Dong Kim ,  Seon Na ,  Byoung Lee ,  Jae Joo

发明人： Dong Kim ,  Seon Na ,  Byoung Lee ,  Jae Joo

IPC分类号： F04D29/66

CPC分类号： F04D29/666 ,  A47L5/22 ,  A47L9/0081 ,  F04D29/444 ,  F05D2250/52

摘要： A blower designed to reduce noise generated between impeller blades and diffuser blades positioned around the impeller blades upon rotation of an impeller, and a cleaner including the same are disclosed. The diffuser blades are non-uniformly spaced from each other in a circumferential direction such that interaction between the plurality of impeller blades and the plurality of diffuser blades become irregular upon rotation of the impeller. Distances between the impeller blades and the diffuser blades are non-uniform. With this construction, the blower and the cleaner are reduced in BPF noise, thereby enhancing performance thereof.

摘要翻译： 公开了一种鼓风机，其被设计成在叶轮旋转时减小叶轮叶片与叶轮叶片周围的扩散叶片之间产生的噪声，以及包括该叶轮的清洁器。 扩散器叶片在圆周方向上彼此不均匀地分开，使得当叶轮旋转时，多个叶轮叶片和多个扩散器叶片之间的相互作用变得不规则。 叶轮叶片和扩散器叶片之间的距离是不均匀的。 通过这种结构，鼓风机和清洁器的BPF噪音降低，从而提高其性能。

公开(公告)号：US20050192392A1

公开(公告)日：2005-09-01

申请号：US10986654

申请日：2004-11-12

申请人： Jang Kim ,  Woo Kim ,  Jae Lee ,  Suk Chang ,  Wook Kim ,  Geun Lee ,  Byoung Lee

发明人： Jang Kim ,  Woo Kim ,  Jae Lee ,  Suk Chang ,  Wook Kim ,  Geun Lee ,  Byoung Lee

IPC分类号： C09J133/10 ,  C08K3/10 ,  C08K3/22 ,  C09J20060101 ,  C09J133/08

CPC分类号： C09J133/08 ,  C08K3/22 ,  C08L2666/54 ,  C09J133/10

摘要： The present invention provides an adhesive comprising an acrylic polymer resin and a flame-retardant filler, in which the content of unreacted residual monomers in the adhesive, which are parts of monomers for forming the acrylic polymer resin and remain unreacted after a preparation process of the adhesive, is 2% or less by weight. Also, the present invention provides an adhesive sheet formed by applying the adhesive to one or both sides of a substrate. In addition, the present invention provides a method of controlling the flame retardancy of the adhesive by adjusting the content of the unreacted residual monomers in the adhesive.

摘要翻译： 本发明提供一种粘合剂，其包含丙烯酸类聚合物树脂和阻燃填料，其中粘合剂中未反应的残余单体的含量是形成丙烯酸类聚合物树脂的单体的一部分，并且在制备过程中保持未反应 粘合剂为2重量％以下。 此外，本发明提供了一种通过将粘合剂施加到基材的一侧或两侧而形成的粘合片。 此外，本发明提供了通过调节粘合剂中未反应的残余单体的含量来控制粘合剂的阻燃性的方法。

公开(公告)号：US20050142741A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10882451

申请日：2004-06-30

申请人： In Yang ,  Byoung Lee ,  Jung Lee

发明人： In Yang ,  Byoung Lee ,  Jung Lee

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/115

摘要： The present invention discloses a method for manufacturing a flash memory device including the steps of: sequentially forming a first polysilicon film for a floating gate electrode, a first oxide film, a polysilicon film for a hard mask and a second oxide film on a semiconductor substrate; etching and patterning the second oxide film and the polysilicon film for the hard mask, by forming photoresist patterns on a predetermined region of the second oxide film, and removing the photoresist patterns; forming spacers on the sidewalls of the polysilicon film for the hard mask, by forming and etching a polysilicon film for forming spacers on the whole surface of the resulting structure; removing the exposed first oxide film and a predetermined thickness of second oxide film formed on the patterned polysilicon film for the hard mask; forming floating gate electrode patterns by performing first and second etching processes by using the patterned polysilicon film for the hard mask and the spacers as an etch mask; performing a cleaning process on the whole surface of the resulting structure, and removing the residual second oxide film at the same time; and forming control gate electrode patterns, by sequentially forming and patterning an ONO film, a second polysilicon film for a control gate electrode, a metal silicide film and a hard mask on the resulting structure on which the floating gate electrode patterns have been formed.

摘要翻译： 本发明公开了一种闪速存储器件的制造方法，包括以下步骤：顺序地形成用于浮置栅极的第一多晶硅膜，第一氧化膜，用于硬掩模的多晶硅膜和半导体衬底上的第二氧化物膜 ; 通过在第二氧化膜的预定区域上形成光致抗蚀剂图案，去除光致抗蚀剂图案，蚀刻和图案化第二氧化物膜和用于硬掩模的多晶硅膜; 在用于硬掩模的多晶硅膜的侧壁上形成间隔物，通过在所得结构的整个表面上形成和蚀刻用于形成间隔物的多晶硅膜; 去除暴露的第一氧化物膜和形成在用于硬掩模的图案化多晶硅膜上的预定厚度的第二氧化膜; 通过使用用于硬掩模的图案化多晶硅膜和间隔物作为蚀刻掩模，通过执行第一和第二蚀刻工艺来形成浮栅电极图案; 在所得结构的整个表面上进行清洁处理，同时去除残留的第二氧化膜; 以及通过在其上形成有浮栅电极图案的所得结构上顺序地形成和图案化ONO膜，用于控制栅电极的第二多晶硅膜，金属硅化物膜和硬掩模来形成控制栅电极图案。

公开(公告)号：US20050130375A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10874730

申请日：2004-06-22

申请人： Byoung Lee

发明人： Byoung Lee

IPC分类号： C30B1/00 ,  G11C16/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/36 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11546

摘要： The present invention relates to a method for manufacturing a flash memory device. In a flash memory device using a self-aligned shallow trench isolation (SA-STI) scheme, an amorphous silicon layer is formed on a gate oxide film and a SPG process is implemented to change the amorphous silicon layer to a first polysilicon layer having large grains. It is thus possible to improve a thinning condition of the gate oxide film.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造闪速存储器件的方法。 在使用自对准浅沟槽隔离（SA-STI）方案的闪存器件中，在栅极氧化膜上形成非晶硅层，并且实施SPG工艺以将非晶硅层改变为具有大的第一多晶硅层 谷物。 因此可以改善栅极氧化膜的薄化状态。

公开(公告)号：US20050118764A1

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：US10724483

申请日：2003-11-28

申请人： Anthony Chou ,  Michael Chudzik ,  Toshiharu Furukawa ,  Oleg Gluschenkov ,  Paul Kirsch ,  Byoung Lee ,  Katsunori Onishi ,  Heemyoung Park ,  Kristen Scheer ,  Akihisa Sekiguchi

发明人： Anthony Chou ,  Michael Chudzik ,  Toshiharu Furukawa ,  Oleg Gluschenkov ,  Paul Kirsch ,  Byoung Lee ,  Katsunori Onishi ,  Heemyoung Park ,  Kristen Scheer ,  Akihisa Sekiguchi

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/823462 ,  H01L21/823857

摘要： Gate oxides having different thicknesses are formed on a semiconductor substrate by forming a first gate oxide on the top surface of the substrate, forming a sacrificial hard mask over a selected area of the first gate oxide; and then forming a second gate oxide. A first poly layer may be formed on the first gate oxide, under the hard mask. After the hard mask is removed, a second poly layer may be formed over the second gate oxide and over the first poly layer. This enables the use of high-k dielectric materials, and the first gate oxide can be thinner than the second gate oxide.

摘要翻译： 通过在衬底的顶表面上形成第一栅极氧化物，在半导体衬底上形成具有不同厚度的栅极氧化物，在第一栅极氧化物的选定区域上形成牺牲性硬掩模; 然后形成第二栅极氧化物。 可以在硬掩模下的第一栅极氧化物上形成第一多晶硅层。 在去除硬掩模之后，可以在第二栅极氧化物之上和第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。 这使得能够使用高k电介质材料，并且第一栅极氧化物可以比第二栅极氧化物薄。