公开(公告)号：US08163240B2

公开(公告)日：2012-04-24

申请号：US12682545

申请日：2008-06-13

申请人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Seon Hee Park

发明人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Seon Hee Park

IPC分类号： G01N15/06 ,  G01N33/00 ,  G01N33/48 ,  G01N27/00

CPC分类号： G01N27/4145 ,  Y10T436/11

摘要： A detection device and system are provided. The detection device includes a detection capacitor and a Field Effect Transistor (FET). The detection capacitor has a reactive material layer reacting to a specific functional group in a fluid, and first and second electrodes disposed on the both surfaces of an insulating layer, and the FET has a source electrode connected with the second electrode, a gate electrode connected with the first electrode, and a drain electrode. Here, the insulating layer of the detection capacitor is thicker than a gate insulating layer of the FET.

摘要翻译： 提供检测装置和系统。 检测装置包括检测电容器和场效应晶体管（FET）。 检测电容器具有与流体中的特定官能团反应的反应性物质层，以及设置在绝缘层两面的第一和第二电极，并且所述FET具有与所述第二电极连接的源电极，连接有栅电极 与第一电极和漏电极。 这里，检测电容器的绝缘层比FET的栅极绝缘层厚。

公开(公告)号：US20110193052A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12672995

申请日：2008-05-19

申请人： Han Young Yu ,  Byung Hoon Kim ,  An Soon Kim ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Jong Heon Yang ,  Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn

发明人： Han Young Yu ,  Byung Hoon Kim ,  An Soon Kim ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Jong Heon Yang ,  Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn

IPC分类号： H01L29/06 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01J49/4205 ,  B81B7/0025 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0271 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N2291/0257 ,  H01J49/0018 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/775 ,  H03H2009/02314

摘要： Provided are three-dimensional (3D) nanodevices including 3D nanostructures. The 3D nanodevice includes at least one nanostructure, each nanostructure including an oscillation portion floating over a substrate and support portions for supporting both lengthwise end portions of the oscillation portion, supports disposed on the substrate to support the support portions of each of the nanostructures, at least one controller disposed at an upper portion of the substrate, a lower portion of the substrate, or both the upper and lower portions of the substrate to control each of the nanostructures, and a sensing unit disposed on each of the oscillation portions to sense an externally supplied adsorption material. Thus, unlike in a typical planar device, generation of impurities between a nanodevice and a substrate can be reduced, and mechanical vibration can be caused. In particular, since 3D nanostructures have mechanical and electrical characteristics, 3D nanodevices including new 3D nanostructures can be provided using nano-electro-mechanical systems (NEMS). Also, a single electron device, a spin device, or a single electron transistor (SET)-field effect transistor (FET) hybrid device can be formed using a simple process unlike in planar devices.

摘要翻译： 提供了三维（3D）纳米器件，包括3D纳米结构。 3D纳米装置包括至少一个纳米结构，每个纳米结构包括漂浮在基板上的振荡部分和支撑部分，用于支撑振荡部分的两个纵向端部，支撑件设置在基板上以支撑每个纳米结构的支撑部分， 设置在基板的上部，基板的下部或基板的上部和下部的至少一个控制器，以控制每个纳米结构;以及感测单元，设置在每个振荡部分上以感测 外部供应的吸附材料。 因此，与典型的平面器件不同，可以减少纳米器件与衬底之间的杂质的产生，并且可能引起机械振动。 特别地，由于3D纳米结构具有机械和电学特性，可以使用纳米机电系统（NEMS）提供包括新的3D纳米结构的3D纳米器件。 此外，可以使用与平面器件不同的简单工艺来形成单电子器件，自旋器件或单电子晶体管（SET）场效应晶体管（FET）混合器件。

公开(公告)号：US20090152596A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12195302

申请日：2008-08-20

申请人： Jong Heon YANG ,  In Bok Baek ,  Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  An Soon Kim ,  Han Young Yu ,  Chil Seong Ah ,  Tae Youb Kim ,  Myung Sim Jun ,  Moon Gyu Jang

发明人： Jong Heon YANG ,  In Bok Baek ,  Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  An Soon Kim ,  Han Young Yu ,  Chil Seong Ah ,  Tae Youb Kim ,  Myung Sim Jun ,  Moon Gyu Jang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： G01N27/4145 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7853

摘要： Provided are a semiconductor Field-Effect Transistor (FET) sensor and a method of fabricating the same. The method includes providing a semiconductor substrate, forming a sensor structure having a fin-shaped structure on the semiconductor substrate, injecting ions for electrical ohmic contact into the sensor structure, and depositing a metal electrode on the sensor structure, immobilizing a sensing material to be specifically combined with a target material onto both sidewall surfaces of the fin-shaped structure, and forming a passage on the sensor structure such that the target material passes through the fin-shaped structure.

摘要翻译： 提供了一种半导体场效应晶体管（FET）传感器及其制造方法。 该方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成具有鳍状结构的传感器结构，将用于电欧姆接触的离子注入到传感器结构中，以及在传感器结构上沉积金属电极，将感测材料固定为 特别地将目标材料组合到鳍状结构的两个侧壁表面上，并且在传感器结构上形成通道，使得目标材料通过鳍状结构。

公开(公告)号：US20070126045A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11607500

申请日：2006-12-01

申请人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

发明人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： A memory device including a dielectric thin film having a plurality of dielectric layers and a method of manufacturing the same are provided. The memory device includes: a bottom electrode; at least one dielectric thin film disposed on the bottom electrode and having a plurality of dielectric layers with different charge trap densities from each other; and an top electrode disposed on the dielectric thin film. Therefore, a memory device, which can be readily manufactured by a simple process and can be highly integrated using its simple structure, can be provided.

摘要翻译： 提供了包括具有多个电介质层的电介质薄膜及其制造方法的存储器件。 存储器件包括：底部电极; 至少一个电介质薄膜，其设置在所述底部电极上并且具有彼此具有不同电荷陷阱密度的多个电介质层; 以及设置在电介质薄膜上的顶部电极。 因此，可以提供可以容易地通过简单的过程制造并且可以使用其简单的结构高度集成的存储器件。

公开(公告)号：US08394657B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13240943

申请日：2011-09-22

申请人： Tae Youb Kim ,  Chil Seong Ah ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Jong Heon Yang ,  Moon Gyu Jang

发明人： Tae Youb Kim ,  Chil Seong Ah ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Jong Heon Yang ,  Moon Gyu Jang

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： G01N33/5432 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/5438 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/938

摘要： A biosensor using a nanodot and a method of manufacturing the same are provided. A silicon nanowire can be formed by a CMOS process to reduce manufacturing costs. In addition, an electrically charged nanodot is coupled to a target molecule to be detected, in order to readily change conductivity of the silicon nanowire, thereby making it possible to implement a biosensor capable of providing good sensitivity and being manufactured at a low cost.

摘要翻译： 提供了使用纳米点的生物传感器及其制造方法。 可以通过CMOS工艺形成硅纳米线，以降低制造成本。 此外，为了容易地改变硅纳米线的导电性，带电的纳米点被耦合到待检测的靶分子，从而可以实现能够提供良好的灵敏度并以低成本制造的生物传感器。

公开(公告)号：US08241939B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12682571

申请日：2008-07-24

申请人： Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

发明人： Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78696

摘要： A method for manufacturing a biosensor includes forming a silicon nanowire channel, etching a first conductivity-type single crystalline silicon layer which is a top layer of a Silicon-On-Insulator (SOI) substrate to form a first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, doping both sidewalls of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern with impurities of a second conductivity-type opposite to the first conductivity-type to form a second conductivity-type channel, forming second conductivity-type pads for forming electrodes at both ends of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, forming, in an undoped region of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, a first electrode for applying a reverse-bias voltage to insulate the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern and the second conductivity-type channel from each other, and forming second electrodes for applying a bias voltage across the second conductivity-type channel on the second conductivity-type pad.

摘要翻译： 制造生物传感器的方法包括形成硅纳米线通道，蚀刻作为绝缘体上硅（SOI）衬底的顶层的第一导电型单晶硅层，以形成第一导电型单晶硅线 以与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质掺杂第一导电型单晶硅线图案的两个侧壁以形成第二导电型沟道，形成第二导电型垫，用于在 第一导电型单晶硅线图案的两端，在第一导电型单晶硅线图案的未掺杂区域中形成用于施加反向偏置电压以使第一导电型单晶硅线型图案绝缘的第一电极 晶体硅线图案和第二导电型沟道，并且形成用于施加双面的第二电极 在第二导电型垫上的第二导电类型沟道上的电压。

公开(公告)号：US20110194976A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12682545

申请日：2008-06-13

申请人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Seon Hee Park

发明人： Chang Geun Ahn ,  Chan Woo Park ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Seon Hee Park

IPC分类号： G01N33/48 ,  H01L27/06

CPC分类号： G01N27/4145 ,  Y10T436/11

摘要： A detection device and system are provided. The detection device includes a detection capacitor and a Field Effect Transistor (FET). The detection capacitor has a reactive material layer reacting to a specific functional group in a fluid, and first and second electrodes disposed on the both surfaces of an insulating layer, and the FET has a source electrode connected with the second electrode, a gate electrode connected with the first electrode, and a drain electrode. Here, the insulating layer of the detection capacitor is thicker than a gate insulating layer of the FET.

摘要翻译： 提供检测装置和系统。 检测装置包括检测电容器和场效应晶体管（FET）。 检测电容器具有与流体中的特定官能团反应的反应性物质层，以及设置在绝缘层两面的第一和第二电极，并且所述FET具有与所述第二电极连接的源电极，连接有栅电极 与第一电极和漏电极。 这里，检测电容器的绝缘层比FET的栅极绝缘层厚。

公开(公告)号：US20100270530A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12682571

申请日：2008-07-24

申请人： Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn ,  Jong Heon Yang ,  In Book Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

发明人： Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn ,  Jong Heon Yang ,  In Book Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78696

摘要： A method for manufacturing a biosensor device is provided. The method involves forming a silicon nanowire channel with a line width of several nanometers to several tens of nanometers using a typical photolithography process, and using the channel to manufacture a semiconductor nanowire sensor device. The method includes etching a first conductivity-type single crystalline silicon layer which is a top layer of a Silicon-On-Insulator (SOI) substrate to form a first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, doping both sidewalls of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern with impurities of a second conductivity-type opposite to the first conductivity-type to form a second conductivity-type channel, forming second conductivity-type pads for forming electrodes at both ends of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, forming, in an undoped region of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, a first electrode for applying a reverse-bias voltage to insulate the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern and the second conductivity-type channel from each other, and forming second electrodes for applying a bias voltage across the second conductivity-type channel on the second conductivity-type pad.

摘要翻译： 提供一种制造生物传感器装置的方法。 该方法包括使用典型的光刻工艺形成线宽为几纳米至几十纳米的硅纳米线通道，并使用该通道制造半导体纳米线传感器装置。 该方法包括蚀刻作为绝缘体上硅（SOI）衬底的顶层的第一导电型单晶硅层，以形成第一导电型单晶硅线图案，掺杂第一导电型单晶硅线阵列的两个侧壁， 形成具有与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质的单晶硅线图案，以形成第二导电型沟道，形成用于在第一导电型单晶的两端形成电极的第二导电型焊盘 硅线图案，在第一导电型单晶硅线图案的未掺杂区域中形成第一电极，用于施加反向偏置电压以使第一导电型单晶硅线图案和第二导电型 并且形成用于在第二导通型通道上施加偏置电压的第二电极 导电型垫。