公开(公告)号：US07960774B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US11607500

申请日：2006-12-01

申请人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

发明人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： A memory device including a dielectric thin film having a plurality of dielectric layers and a method of manufacturing the same are provided. The memory device includes: a bottom electrode; at least one dielectric thin film disposed on the bottom electrode and having a plurality of dielectric layers with different charge trap densities from each other; and an top electrode disposed on the dielectric thin film. Therefore, a memory device, which can be readily manufactured by a simple process and can be highly integrated using its simple structure, can be provided.

摘要翻译： 提供了包括具有多个电介质层的电介质薄膜及其制造方法的存储器件。 存储器件包括：底部电极; 至少一个电介质薄膜，其设置在所述底部电极上并且具有彼此具有不同电荷陷阱密度的多个电介质层; 以及设置在电介质薄膜上的顶部电极。 因此，可以提供可以容易地通过简单的过程制造并且可以使用其简单的结构高度集成的存储器件。

公开(公告)号：US20070126001A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11497057

申请日：2006-08-01

申请人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

发明人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： G11C13/00 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01L51/0075

摘要： An organic semiconductor device and a method of fabricating the same are provided. The device includes: a first electrode; an electron channel layer formed on the first electrode; and a second electrode formed on the electron channel layer, wherein the electron channel layer comprises: a lower organic layer formed on the first electrode; a nano-particle layer formed on the lower organic layer and including predetermined sizes of nano-particles that are spaced a predetermined distance apart from each other; and an upper organic layer formed over the nano-particle layer. Accordingly, a highly integrated organic semiconductor device can be fabricated by a simple fabrication process, and nonuniformity of devices due to threshold voltage characteristics and downsizing of the device can resolved, so that a semiconductor device having excellent performance can be implemented.

摘要翻译： 提供一种有机半导体器件及其制造方法。 该装置包括：第一电极; 形成在第一电极上的电子通道层; 以及形成在所述电子通道层上的第二电极，其中所述电子通道层包括：形成在所述第一电极上的下部有机层; 形成在下部有机层上并且包括彼此间隔开预定距离的预定尺寸的纳米颗粒的纳米颗粒层; 和在纳米颗粒层上形成的上部有机层。 因此，可以通过简单的制造工艺制造高度集成的有机半导体器件，并且可以解决由于阈值电压特性而导致的器件的不均匀性和器件的小型化，从而可以实现具有优异性能的半导体器件。

公开(公告)号：US20070126045A1

公开(公告)日：2007-06-07

申请号：US11607500

申请日：2006-12-01

申请人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

发明人： Sung-Yool Choi ,  Min Ki Ryu ,  Ansoon Kim ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01G7/06 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

摘要： A memory device including a dielectric thin film having a plurality of dielectric layers and a method of manufacturing the same are provided. The memory device includes: a bottom electrode; at least one dielectric thin film disposed on the bottom electrode and having a plurality of dielectric layers with different charge trap densities from each other; and an top electrode disposed on the dielectric thin film. Therefore, a memory device, which can be readily manufactured by a simple process and can be highly integrated using its simple structure, can be provided.

摘要翻译： 提供了包括具有多个电介质层的电介质薄膜及其制造方法的存储器件。 存储器件包括：底部电极; 至少一个电介质薄膜，其设置在所述底部电极上并且具有彼此具有不同电荷陷阱密度的多个电介质层; 以及设置在电介质薄膜上的顶部电极。 因此，可以提供可以容易地通过简单的过程制造并且可以使用其简单的结构高度集成的存储器件。

公开(公告)号：US07537883B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11447820

申请日：2006-06-06

申请人： Han Young Yu ,  In Bok Baek ,  Chang Geun Ahn ,  Ki Ju Im ,  Jong Heon Yang ,  Ung Hwan Pi ,  Min Ki Ryu ,  Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Seong Jae Lee

发明人： Han Young Yu ,  In Bok Baek ,  Chang Geun Ahn ,  Ki Ju Im ,  Jong Heon Yang ,  Ung Hwan Pi ,  Min Ki Ryu ,  Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Seong Jae Lee

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L51/40 ,  C25D5/18

CPC分类号： H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0595

摘要： Provided is a method of manufacturing a nano size-gap electrode device. The method includes the steps of: disposing a floated nano structure on a semiconductor layer; forming a mask layer having at least one opening pattern to intersect the nano structure; and depositing a metal on the semiconductor layer exposed through the opening pattern to form an electrode, such that a nano size-gap is provided under the nano structure by the nano structure.

摘要翻译： 提供一种制造纳米尺寸间隙电极器件的方法。 该方法包括以下步骤：在半导体层上设置漂浮的纳米结构; 形成具有至少一个开口图案以与纳米结构相交的掩模层; 以及在通过所述开口图案暴露的所述半导体层上沉积金属以形成电极，使得通过所述纳米结构在所述纳米结构下方提供纳米尺寸间隙。

公开(公告)号：US08628650B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13058120

申请日：2008-12-16

申请人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

发明人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

IPC分类号： B03C5/02

CPC分类号： G01N27/4145

摘要： Provided are a method and apparatus for measuring an isoelectric point using a field effect transistor. The method includes providing a field effect transistor including a substrate, source and drain electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other, and a channel region between the source and drain electrodes, providing a first electrolyte solution having a first concentration to the channel region of the field effect transistor and measuring a first current value of the channel region between the source and drain electrodes, providing a second electrolyte solution having a second concentration greater than the first concentration and measuring a second current value of the channel region between the source and drain electrodes, and determining the isoelectric point of the field effect transistor or a material disposed on the field effect transistor using a difference between the first and second current values.

摘要翻译： 提供了使用场效应晶体管测量等电点的方法和装置。 该方法包括提供场效应晶体管，该场效应晶体管包括衬底，设置在衬底上的源电极和漏极彼此间隔开的沟道区，以及在源电极和漏电极之间的沟道区域，提供具有第一浓度到沟道的第一电解质溶液 区域，并且测量源极和漏极之间的沟道区的第一电流值，提供具有大于第一浓度的第二浓度的第二电解质溶液，并测量源极之间的沟道区的第二电流值 和漏电极，并且使用第一和第二电流值之间的差来确定场效应晶体管的等电点或设置在场效应晶体管上的材料。

公开(公告)号：US20110139637A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US13058120

申请日：2008-12-16

申请人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

发明人： Chil Seong Ah ,  Ansoon Kim ,  Chan Woo Park ,  Chang-Geun Ahn ,  Jong-Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Taeyoub Kim ,  Gun Yong Sung ,  Seon-Hee Park ,  Han Young Yu

IPC分类号： G01N27/403 ,  G01N27/414

CPC分类号： G01N27/4145

摘要： Provided are a method and apparatus for measuring an isoelectric point using a field effect transistor. The method includes providing a field effect transistor including a substrate, source and drain electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other, and a channel region between the source and drain electrodes, providing a first electrolyte solution having a first concentration to the channel region of the field effect transistor and measuring a first current value of the channel region between the source and drain electrodes, providing a second electrolyte solution having a second concentration greater than the first concentration and measuring a second current value of the channel region between the source and drain electrodes, and determining as the isoelectric point of the field effect transistor or a material disposed on the field effect transistor using a difference between the first and second current values.

摘要翻译： 提供了使用场效应晶体管测量等电点的方法和装置。 该方法包括提供场效应晶体管，该场效应晶体管包括衬底，设置在衬底上的源电极和漏极彼此间隔开的沟道区，以及在源电极和漏电极之间的沟道区域，提供具有第一浓度到沟道的第一电解质溶液 区域，并且测量源极和漏极之间的沟道区的第一电流值，提供具有大于第一浓度的第二浓度的第二电解质溶液，并测量源极之间的沟道区的第二电流值 和漏电极，并且使用第一和第二电流值之间的差来确定场效应晶体管的等电点或设置在场效应晶体管上的材料。

公开(公告)号：US20070072336A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11447820

申请日：2006-06-06

申请人： Han Young Yu ,  In Bok Baek ,  Chang Geun Ahn ,  Ki Ju Im ,  Jong Heon Yang ,  Ung Hwan Pi ,  Min Ki Ryu ,  Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Seong Jae Lee

发明人： Han Young Yu ,  In Bok Baek ,  Chang Geun Ahn ,  Ki Ju Im ,  Jong Heon Yang ,  Ung Hwan Pi ,  Min Ki Ryu ,  Chan Woo Park ,  Sung Yool Choi ,  Seong Jae Lee

IPC分类号： H01L51/40 ,  C25D5/18

CPC分类号： H01L51/105 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0595

摘要： Provided is a method of manufacturing a nano size-gap electrode device. The method includes the steps of: disposing a floated nano structure on a semiconductor layer; forming a mask layer having at least one opening pattern to intersect the nano structure; and depositing a metal on the semiconductor layer exposed through the opening pattern to form an electrode, such that a nano size-gap is provided under the nano structure by the nano structure.

摘要翻译： 提供一种制造纳米尺寸间隙电极器件的方法。 该方法包括以下步骤：在半导体层上设置浮动的纳米结构; 形成具有至少一个开口图案以与纳米结构相交的掩模层; 以及在通过所述开口图案暴露的所述半导体层上沉积金属以形成电极，使得通过所述纳米结构在所述纳米结构下方提供纳米尺寸间隙。

公开(公告)号：US08058673B2

公开(公告)日：2011-11-15

申请号：US12240133

申请日：2008-09-29

申请人： Tae Youb Kim ,  Chil Seong Ah ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Jong Heon Yang ,  Moon Gyu Jang

发明人： Tae Youb Kim ,  Chil Seong Ah ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Jong Heon Yang ,  Moon Gyu Jang

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： G01N33/5432 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/5438 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/938

摘要： A biosensor using a nanodot and a method of manufacturing the same are provided. A silicon nanowire can be formed by a CMOS process to reduce manufacturing costs. In addition, an electrically charged nanodot is coupled to a target molecule to be detected, in order to readily change conductivity of the silicon nanowire, thereby making it possible to implement a biosensor capable of providing good sensitivity and being manufactured at a low cost.

摘要翻译： 提供了使用纳米点的生物传感器及其制造方法。 可以通过CMOS工艺形成硅纳米线，以降低制造成本。 此外，为了容易地改变硅纳米线的导电性，带电的纳米点被耦合到待检测的靶分子，从而可以实现能够提供良好的灵敏度并以低成本制造的生物传感器。

公开(公告)号：US08394657B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13240943

申请日：2011-09-22

申请人： Tae Youb Kim ,  Chil Seong Ah ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Jong Heon Yang ,  Moon Gyu Jang

发明人： Tae Youb Kim ,  Chil Seong Ah ,  Chang Geun Ahn ,  Han Young Yu ,  Jong Heon Yang ,  Moon Gyu Jang

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： G01N33/5432 ,  G01N27/4145 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/5438 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/784 ,  Y10S977/938

摘要： A biosensor using a nanodot and a method of manufacturing the same are provided. A silicon nanowire can be formed by a CMOS process to reduce manufacturing costs. In addition, an electrically charged nanodot is coupled to a target molecule to be detected, in order to readily change conductivity of the silicon nanowire, thereby making it possible to implement a biosensor capable of providing good sensitivity and being manufactured at a low cost.

摘要翻译： 提供了使用纳米点的生物传感器及其制造方法。 可以通过CMOS工艺形成硅纳米线，以降低制造成本。 此外，为了容易地改变硅纳米线的导电性，带电的纳米点被耦合到待检测的靶分子，从而可以实现能够提供良好的灵敏度并以低成本制造的生物传感器。

公开(公告)号：US08241939B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12682571

申请日：2008-07-24

申请人： Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

发明人： Chan Woo Park ,  Chang Geun Ahn ,  Jong Heon Yang ,  In Bok Baek ,  Chil Seong Ah ,  Han Young Yu ,  An Soon Kim ,  Tae Youb Kim ,  Moon Gyu Jang ,  Myung Sim Jun

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/78696

摘要： A method for manufacturing a biosensor includes forming a silicon nanowire channel, etching a first conductivity-type single crystalline silicon layer which is a top layer of a Silicon-On-Insulator (SOI) substrate to form a first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, doping both sidewalls of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern with impurities of a second conductivity-type opposite to the first conductivity-type to form a second conductivity-type channel, forming second conductivity-type pads for forming electrodes at both ends of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, forming, in an undoped region of the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern, a first electrode for applying a reverse-bias voltage to insulate the first conductivity-type single crystalline silicon line pattern and the second conductivity-type channel from each other, and forming second electrodes for applying a bias voltage across the second conductivity-type channel on the second conductivity-type pad.

摘要翻译： 制造生物传感器的方法包括形成硅纳米线通道，蚀刻作为绝缘体上硅（SOI）衬底的顶层的第一导电型单晶硅层，以形成第一导电型单晶硅线 以与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质掺杂第一导电型单晶硅线图案的两个侧壁以形成第二导电型沟道，形成第二导电型垫，用于在 第一导电型单晶硅线图案的两端，在第一导电型单晶硅线图案的未掺杂区域中形成用于施加反向偏置电压以使第一导电型单晶硅线型图案绝缘的第一电极 晶体硅线图案和第二导电型沟道，并且形成用于施加双面的第二电极 在第二导电型垫上的第二导电类型沟道上的电压。