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    Imprint lithography method and apparatus
    37.
    发明授权
    Imprint lithography method and apparatus 有权
    压印光刻方法和装置

    公开(公告)号：US08743361B2

    公开(公告)日：2014-06-03

    申请号：US13098759

    申请日：2011-05-02

    申请人： Johan Frederik Dijksman ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Sander Frederik Wuister ,  Martinus Bernardus Van Der Mark

    发明人： Johan Frederik Dijksman ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Sander Frederik Wuister ,  Martinus Bernardus Van Der Mark

    IPC分类号： G01B11/00 ,  B41F1/34 ,  B41F21/12 ,  B41F21/14 ,  B41L1/02 ,  B41L3/02 ,  B41L3/08

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F9/7042 ,  G03F9/7049 ,  G03F9/7076

    摘要： A method of aligning a substrate and an imprint template is disclosed. The method includes directing an alignment radiation beam towards an imprint template alignment mark and an adjacent substrate alignment mark, the imprint template alignment mark and the substrate alignment mark each including a grating which extends in a first direction and a grating which extends in a second direction, providing relative movement between the imprint template and the substrate in the first direction and in the second direction, using an intensity detector to detect the intensity of alignment radiation redirected in the zero-order direction by the imprint template alignment mark and the substrate alignment mark during the relative movement in the first direction and in the second direction, and determining an aligned position of the imprint template alignment mark and the substrate alignment mark based upon the detected intensity.

    摘要翻译： 公开了一种对准衬底和压印模板的方法。 该方法包括将对准辐射束引向印模模板对准标记和相邻的​​衬底对准标记，印模模板对准标记和衬底对准标记各自包括在第一方向上延伸的光栅和沿第二方向延伸的光栅 使用强度检测器，通过压印模板对准标记和基板对准标记来检测在零级方向上重定向的对准辐射的强度，在第一方向和第二方向上提供压印模板和基板之间的相对移动 在第一方向和第二方向的相对移动期间，基于检测到的强度确定压印模板对准标记和基板对准标记的对准位置。

    LITHOGRAPHY USING SELF-ASSEMBLED POLYMERS
    38.
    发明申请
    LITHOGRAPHY USING SELF-ASSEMBLED POLYMERS 有权
    使用自组装聚合物的光刻

    公开(公告)号：US20130140272A1

    公开(公告)日：2013-06-06

    申请号：US13816720

    申请日：2011-07-21

    申请人： Roelof Koole ,  Johan Frederik Dijksman ,  Sander Frederik Wuister ,  Emiel Peeters

    发明人： Roelof Koole ,  Johan Frederik Dijksman ,  Sander Frederik Wuister ,  Emiel Peeters

    IPC分类号： B44C1/22

    CPC分类号： B44C1/227 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

    摘要： A method of lithography on a substrate uses a self-assembled polymer (SAP) layer deposited on the substrate, with first and second domains arranged in a pattern across the layer. A planarization layer is formed over the SAP and a development etch applied to substantially remove a portion of the planarization layer over the second domain leaving a cap of the planarization layer substantially covering the first domain. The uncapped second domain is then removed from the surface by a breakthrough etch leaving the capped first domain as a pattern feature on the surface. A transfer etch may then be used to transfer the pattern feature to the substrate using the capped first domain. The capping allows the second domain to be removed, e.g., without excessive loss of lateral feature width for the remaining first domain, even when the difference in etch resistance between the first and second domains is small.

    摘要翻译： 衬底上的光刻方法使用沉积在衬底上的自组装聚合物（SAP）层，其中第一和第二畴以整个层的图案排列。 平坦化层形成在SAP之上，并且显影蚀刻被施加以在第二域上基本上去除平坦化层的一部分，留下平坦化层的盖基本覆盖第一域。 然后通过穿透蚀刻从表面除去未封端的第二结构域，留下封盖的第一结构域作为表面上的图案特征。 然后可以使用转移蚀刻来使用封盖的第一结构域将图案特征转移到衬底。 封盖允许除去第二结构域，例如，即使当第一和第二畴之间的耐蚀刻性差异小时，也不会对剩余的第一区域的横向特征宽度过度损失。

    Lithography using self-assembled polymers
    40.
    发明授权
    Lithography using self-assembled polymers 有权
    使用自组装聚合物进行平版印刷

    公开(公告)号：US08828253B2

    公开(公告)日：2014-09-09

    申请号：US13816720

    申请日：2011-07-21

    申请人： Roelof Koole ,  Johan Frederik Dijksman ,  Sander Frederik Wuister ,  Emiel Peeters

    发明人： Roelof Koole ,  Johan Frederik Dijksman ,  Sander Frederik Wuister ,  Emiel Peeters

    IPC分类号： B44C1/22 ,  B81C1/00 ,  H01L21/033

    CPC分类号： B44C1/227 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  B81C2201/0198 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337

    摘要： A method of lithography on a substrate uses a self-assembled polymer (SAP) layer deposited on the substrate, with first and second domains arranged in a pattern across the layer. A planarization layer is formed over the SAP and a development etch applied to substantially remove a portion of the planarization layer over the second domain leaving a cap of the planarization layer substantially covering the first domain. The uncapped second domain is then removed from the surface by a breakthrough etch leaving the capped first domain as a pattern feature on the surface. A transfer etch may then be used to transfer the pattern feature to the substrate using the capped first domain. The capping allows the second domain to be removed, e.g., without excessive loss of lateral feature width for the remaining first domain, even when the difference in etch resistance between the first and second domains is small.

    摘要翻译： 衬底上的光刻方法使用沉积在衬底上的自组装聚合物（SAP）层，其中第一和第二畴以整个层的图案排列。 平坦化层形成在SAP之上，并且显影蚀刻被施加以在第二域上基本上去除平坦化层的一部分，留下平坦化层的盖基本覆盖第一域。 然后通过穿透蚀刻从表面除去未封端的第二结构域，留下封盖的第一结构域作为表面上的图案特征。 然后可以使用转移蚀刻来使用封盖的第一结构域将图案特征转移到衬底。 封盖允许除去第二结构域，例如即使当第一和第二畴之间的耐蚀刻性差异小时，也不会对剩余的第一区域的横向特征宽度过度损失。