公开(公告)号：US4875989A

公开(公告)日：1989-10-24

申请号：US283036

申请日：1988-12-05

申请人： Cecil J. Davis ,  Robert T. Matthews ,  Lee M. Loewenstein ,  Joe V. Abernathy ,  Timothy A. Wooldridge

发明人： Cecil J. Davis ,  Robert T. Matthews ,  Lee M. Loewenstein ,  Joe V. Abernathy ,  Timothy A. Wooldridge

IPC分类号： G03F7/16 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67017 ,  G03F7/168

摘要： A processing apparatus and method for edge-preferential processing of partially fabricated integrated circuit wafers or of other substantially flat and thin workpieces. A plasma remote from the workpiece is used to generate activated species, and a baffle which is in proximity to the wafer face but not in contact with it is used to direct the stream of activated species. This module can be set up to perform both edge bead removal and bake of spun-on photoresist.

摘要翻译： 一种用于部分制造的集成电路晶片或其它基本上平坦和薄的工件的边缘优先处理的处理装置和方法。 使用远离工件的等离子体产生活化物质，并且靠近晶片表面而不与其接触的挡板用于引导活化物质流。 该模块可以设置为执行旋转光刻胶的边缘珠去除和烘烤。

公开(公告)号：US4836905A

公开(公告)日：1989-06-06

申请号：US75018

申请日：1987-07-16

申请人： Cecil J. Davis ,  Joseph V. Abernathy ,  Robert T. Matthews ,  Randall C. Hildenbrand ,  Bruce Simpson ,  James G. Bohlman ,  Lee M. Loewenstein ,  John I. Jones

发明人： Cecil J. Davis ,  Joseph V. Abernathy ,  Robert T. Matthews ,  Randall C. Hildenbrand ,  Bruce Simpson ,  James G. Bohlman ,  Lee M. Loewenstein ,  John I. Jones

IPC分类号： C23C14/56 ,  C23F4/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67748 ,  C23C14/50 ,  C23C14/568 ,  C23F4/00 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67751 ,  Y10S414/136 ,  Y10S414/137

摘要： A processing apparatus and method which permits sputter deposition and which is compatible with a vacuum processing system wherein the wafers are largely transferred and processed in the face down position. This includes an additional wafer movement, wherein, after a wafer has been emplaced face down, in a position where it can be clamped against the susceptor, the susceptor is rotated from its approximately horizontal position up to a more nearly vertical position. While the wafer is in the more nearly vertical position, sputter deposition may be performed. In situ or remote plasma capability is usefully provided in the bottom part of the chamber, so that a dry deglaze or cleanup step can be performed while the wafer is in its substantially horizontal position, followed by a sputter deposition after the wafer has been moved to its more nearly vertical position.

摘要翻译： 允许溅射沉积并与真空处理系统相容的处理装置和方法，其中晶片在面朝下的位置被大量地转移和处理。 这包括另外的晶片运动，其中在将晶片面朝下放置之后，可将其固定在基座上的位置，基座从其近似水平的位置旋转到更接近垂直的位置。 当晶片处于更接近垂直的位置时，可以进行溅射沉积。 原位或远程等离子体能力有效地提供在腔室的底部，从而可以在晶片处于其基本水平的位置时进行干燥的消光或清洁步骤，接着在晶片移动到 它更接近垂直的位置。

公开(公告)号：US4904621A

公开(公告)日：1990-02-27

申请号：US74371

申请日：1987-07-16

申请人： Lee M. Loewenstein ,  Cecil J. Davis

发明人： Lee M. Loewenstein ,  Cecil J. Davis

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/67017 ,  G03F7/427 ,  H01L21/31138

摘要： A processing apparatus and method for performing a descum process (i.e. a process for removal of polymers and other organic residues) which uses a remote plasma, supplied through a distributor which includes a two-stage showerhead, to achieve improved results.

摘要翻译： 一种用于执行使用远程等离子体的去除方法（即，去除聚合物和其它有机残余物的方法）的处理装置和方法，其通过包括两级喷头的分配器提供，以实现改进的结果。

公开(公告)号：US4872938A

公开(公告)日：1989-10-10

申请号：US188128

申请日：1988-04-25

申请人： Cecil J. Davis ,  Joseph V. Abernathy ,  Robert T. Matthews ,  Randall C. Hildenbrand ,  Bruce Simpson ,  John I. Jones ,  Lee M. Loewenstein ,  James G. Bohlman

发明人： Cecil J. Davis ,  Joseph V. Abernathy ,  Robert T. Matthews ,  Randall C. Hildenbrand ,  Bruce Simpson ,  John I. Jones ,  Lee M. Loewenstein ,  James G. Bohlman

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67748 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67796

摘要： A process module which is compatible with a system using vacuum wafer transport in which wafers are generally transported and processed in a face down position under vacuum, and which also includes an additional wafer movement, wherein, after a wafer has been emplaced face down, in a position where it can be clamped against the susceptor, the susceptor is rotated from its approximately horizontal position up to a more nearly vertical position. In the more nearly vertical position, the wafer can be processed by a top process module, which may be, e.g., a sputter system, an implanter, or an inspection module. Another process module is included in the bottom part of the chamber, so that the wafer can be processed by the lower process module while in its substantially horizontal position and processed by the upper process module when it is in its more nearly vertical position. This is especially advantageous when the lower process module is a plasma cleanup module and the top module is a deposition module.

摘要翻译： 一种与使用真空晶片传输的系统兼容的处理模块，其中晶片通常在真空下以正面朝下的位置运输和处理，并且还包括另外的晶片移动，其中在晶片已经朝下放置之后， 可以将其固定在基座上的位置，基座从其大致水平位置旋转到更接近垂直的位置。 在更接近垂直的位置，晶片可以由顶部工艺模块来处理，顶部工艺模块可以是例如溅射系统，注入机或检查模块。 另一个处理模块被包括在腔室的底部，使得晶片在处于其基本上水平的位置时可被下部处理模块处理，并且当其处于更接近垂直的位置时由上部处理模块处理。 当下部工艺模块是等离子体清理模块并且顶部模块是沉积模块时，这是特别有利的。

公开(公告)号：US4906328A

公开(公告)日：1990-03-06

申请号：US284784

申请日：1988-12-12

申请人： Dean W. Freeman ,  James B. Burris ,  Cecil J. Davis ,  Lee M. Loewenstein

发明人： Dean W. Freeman ,  James B. Burris ,  Cecil J. Davis ,  Lee M. Loewenstein

IPC分类号： A01B15/06

CPC分类号： A01B15/06 ,  Y10S438/906

摘要： A processing apparatus and method utilizing a single process chamber to remove organics and metallic contaminates, remove native oxides, oxidize by heat and a oxidizing source, depositing a layer over the oxide formed with the capability of providing an source of additional ultraviolet light.

摘要翻译： 一种利用单一处理室去除有机物和金属污染物，去除天然氧化物，通过热和氧化源氧化的处理装置和方法，在形成有氧化物的层上沉积一层以提供另外的紫外光源的能力。

公开(公告)号：US4844773A

公开(公告)日：1989-07-04

申请号：US188138

申请日：1988-04-26

申请人： Lee M. Loewenstein ,  Cecil J. Davis

发明人： Lee M. Loewenstein ,  Cecil J. Davis

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116

摘要： A process for etch of polysilicon films which utilizes the combination of remote and in situ plasma in a low pressure process module and the plasma is generated form a mixture of a source of Fluorine and Helium with the process chamber within the process module being generally at ambient temperatures.

摘要翻译： 在低压工艺模块中利用远程和原位等离子体的组合的多晶硅膜的蚀刻工艺和等离子体是由氟和氦源与处理模块内的处理室的混合物形成的，通常处于环境温度 温度。

公开(公告)号：US4830705A

公开(公告)日：1989-05-16

申请号：US188140

申请日：1988-04-26

申请人： Lee M. Loewenstein ,  Cecil J. Davis

发明人： Lee M. Loewenstein ,  Cecil J. Davis

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02019 ,  H01L21/30621

摘要： A process for etch of GaAs wafers which utilizes the combination of remote and in situ plasma in a low pressure process module and the plasma is generated from a mixture of Helium, CH.sub.4 ; and one of a group of CF.sub.4 or F.sub.2 with the process chamber within the process module being generally at ambient temperatures.

摘要翻译： 用于蚀刻GaAs晶片的方法，其利用低压工艺模块中的远程和原位等离子体的组合，并且等离子体由氦，CH 4的混合物产生; 并且处理室内的一组CF4或F2中的一个通常处于环境温度。

公开(公告)号：US4818326A

公开(公告)日：1989-04-04

申请号：US188139

申请日：1988-04-26

申请人： Jiann Liu ,  Cecil J. Davis ,  Lee M. Loewenstein

发明人： Jiann Liu ,  Cecil J. Davis ,  Lee M. Loewenstein

IPC分类号： H01L21/00 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/67109

摘要： A processing apparatus and method for providing a process module with a low pressure, low energy ion implanter and a remote microwave plasma generator and a source of thermal energy, which is adapted to receive wafers for processing in a low pressure carrier.

摘要翻译： 一种用于向处理模块提供低压，低能量离子注入机和远程微波等离子体发生器和热能源的处理装置和方法，其适于接收用于在低压载体中处理的晶片。

公开(公告)号：US5345534A

公开(公告)日：1994-09-06

申请号：US39720

申请日：1993-03-29

申请人： Habib N. Najm ,  Steve S. Huang ,  Cecil J. Davis ,  Robert T. Matthews

发明人： Habib N. Najm ,  Steve S. Huang ,  Cecil J. Davis ,  Robert T. Matthews

IPC分类号： H01L21/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/67115

摘要： A thin reflective cylindrical baffle [20] in a radiant lamp heater is provided in the space below a plurality of heating bulbs [2,4,6] (arranged in a center position and around a middle and outer ring) and above a quartz window [12]. The baffle diameter is such that it fits within the annular space between the middle [4] and outer [6]ring of bulbs. The baffle which blocks a predetermined amount of light generated by the lamp bulbs [20] allows improved controllability of wafer temperature profile--for a wafer heated by a radiant lamp heater.

摘要翻译： 辐射灯加热器中的薄反射圆柱形挡板[20]设置在多个加热灯泡[2,4,6]下方的空间（布置在中心位置并且围绕中间和外环）以及石英窗 [12]。 挡板直径使其适合在中间[4]和外部[6]球形环之间的环形空间内。 阻挡由灯泡[20]产生的预定量的光的挡板允许改善由辐射灯加热器加热的晶片的晶片温度分布的可控制性。

公开(公告)号：US06705394B1

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US09664011

申请日：2000-09-19

申请人： Mehrdad M. Moslehi ,  Xiangqun Chen ,  Shiyuan Cheng ,  Cecil J. Davis

发明人： Mehrdad M. Moslehi ,  Xiangqun Chen ,  Shiyuan Cheng ,  Cecil J. Davis

IPC分类号： C23C1602

CPC分类号： H01L21/67248 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67109

摘要： Rapid thermal cycling of substrates in low-pressure processing environments is achieved by movable temperature conditioners located outside the processing environments. The substrates are mounted on thermally conductive pedestals for processing in the low-pressure environment. The temperature conditioners are movable both into and out of thermal contact with the pedestals outside the low-pressure environment to regulate transfers of heat through the pedestals between the substrates and the temperature conditioners. A translatable cooler block with a high thermal mass and a large interface area with the pedestal can be used as a temperature conditioner for more rapidly withdrawing heat from the substrate.

摘要翻译： 在低压处理环境中，基板的快速热循环是通过位于加工环境之外的可移动温度调节器实现的。 基板安装在导热底座上，用于在低压环境中进行加工。 温度调节器可以与低压环境之外的基座进行热接触，以便调节通过基板和温度调节器之间的基座的热传递。 可以使用具有高热质量和与基座的大的接口面积的可翻转的冷却器块作为用于更快速地从基板排出热量的温度调节器。