公开(公告)号：US09054480B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US14518943

申请日：2014-10-20

申请人： Emcore Corporation

发明人： Andrew John Daiber

IPC分类号： H01S3/10 ,  H01S5/00 ,  H01S5/14

CPC分类号： H01S5/02248 ,  G02B6/4208 ,  G02B6/4271 ,  G02B6/4286 ,  H01S3/1062 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/141

摘要： A tunable laser configured in a small package coupled to a printed circuit board. The tunable laser includes a housing with a volume formed by exterior walls. An electrical input interface is positioned at the first end of the housing. An optical output interface is positioned at the second end of the housing and configured to transmit a continuous wave optical beam. A semiconductor optical amplifier or gain chip produces an optical output beam, and an optical isolator is positioned directly downstream of the gain chip to prevent the incoming light from the downstream optics from reflecting back though the isolator and into the cavity of the laser. A beam splitter directs a portion of the light transmitted through the isolator back into the other end of the gain chip.

摘要翻译： 可调谐激光器，其配置在耦合到印刷电路板的小封装中。 可调激光器包括具有由外壁形成的体积的壳体。 电输入接口位于壳体的第一端。 光输出接口位于壳体的第二端，并被配置为传输连续波光束。 半导体光放大器或增益芯片产生光输出光束，并且光隔离器直接位于增益芯片的下游，以防止来自下游光学器件的入射光通过隔离器反射回激光器的空腔。 分束器将透过隔离器的光的一部分引导回增益芯片的另一端。

公开(公告)号：US20150155683A1

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：US14620010

申请日：2015-02-11

申请人： Emcore Corporation

发明人： Henry A. Blauvelt ,  Xiaoguang He ,  Kerry Vahala

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/042 ,  H01S5/026 ,  H01S5/50 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  G02F1/017 ,  H01S5/10

CPC分类号： H01S5/0085 ,  B82Y20/00 ,  G02F1/0121 ,  G02F1/01708 ,  G02F1/025 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0265 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/10 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/5027 ,  H04B10/2575 ,  H04B10/505 ,  H04B10/516 ,  Y10S977/755 ,  Y10T29/49002

摘要： A semiconductor device comprising a substrate; a monolithic gain region disposed on the substrate and operable to produce optical gain in response to current injection, including a first electrode over a first portion of the gain region having a first length L1, with a first current I1 being applied; and a second electrode over a second portion of the gain region having a second length L2, with a second current I2 being applied; wherein I1/L1 is greater than I2/L2.

摘要翻译： 一种半导体器件，包括衬底; 单片增益区域，设置在所述衬底上并且可操作以响应于电流注入产生光学增益，包括在具有第一长度L1的增益区域的第一部分上的第一电极，施加第一电流I1; 以及在具有第二长度L2的增益区域的第二部分上的第二电极，施加第二电流I2; 其中I1 / L1大于I2 / L2。

公开(公告)号：US20040201110A1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：US10249436

申请日：2003-04-09

申请人： EMCORE CORPORATION

发明人： Hari S. Venugopalan ,  Ivan Eliashevich

IPC分类号： H01L023/48

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139

摘要： A flip chip light emitting diode die (12) includes a light-transmissive substrate (20) and a plurality of semiconductor layers (22) are disposed on the light-transmissive substrate (20). The semiconductor layers (22) define a light-generating p/n junction. An electrode (30) is formed on the semiconductor layers (22) for flip-chip bonding the diode die (12) to an associated mount (14). The electrode (30) includes an optically transparent layer (42) formed of a substantially optically transparent material adjacent to the semiconductor layers (22) that makes ohmic contact therewith, and a reflective layer (44) adjacent to the optically transparent layer (42) and in electrically conductive communication therewith.

摘要翻译： 倒装芯片发光二极管管芯（12）包括透光基板（20），并且多个半导体层（22）设置在透光基板（20）上。 半导体层（22）限定发光p / n结。 在半导体层（22）上形成电极（30），用于将二极管管芯（12）倒装成相关的安装件（14）。 电极（30）包括由与其与其形成欧姆接触的半导体层（22）相邻的基本上光学透明的材料形成的光学透明层（42）和与光学透明层（42）相邻的反射层（44） 并与其导电连通。

公开(公告)号：US20030213969A1

公开(公告)日：2003-11-20

申请号：US10291981

申请日：2002-11-12

申请人： Emcore Corporation

发明人： Michael Wang ,  Hari Venugopalan

IPC分类号： H01L033/00

CPC分类号： H01L33/46 ,  H01L2933/0083

摘要： A light emitting diode incorporating an active emitting layer (14) overlying a transparent substrate (10) is provided with a reflective diffraction grating (30) on the bottom surface of the substrate. Emitted light passing downwardly through the substrate is diffracted outwardly toward edges (21) of the substrate and passes out of the die through the edges. This effect enhances the external quantum efficiency of the diode.

摘要翻译： 结合在透明基板（10）上方的有源发射层（14）的发光二极管在基板的底表面上设置有反射衍射光栅（30）。 向下通过衬底的发光被向外衍射到衬底的边缘（21），并通过边缘从模具中流出。 这种效应增强了二极管的外部量子效率。