公开(公告)号：US20080194106A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12030662

申请日：2008-02-13

申请人： Gyu-Hwan OH ,  In-Sun PARK ,  Hyun-Seok LIM ,  Nak-Hyun LIM

发明人： Gyu-Hwan OH ,  In-Sun PARK ,  Hyun-Seok LIM ,  Nak-Hyun LIM

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

摘要： In a method of forming a titanium aluminum nitride layer, a first reactant is formed on a substrate by reacting a first source including titanium and a second source including nitrogen. A second reactant is formed by providing a third source including aluminum onto the substrate having the first reactant thereon and reacting the third source with the first reactant. A third reactant is formed by providing a fourth source including nitrogen onto the substrate having the second reactant thereon and reacting the fourth source with the second reactant. The titanium aluminum nitride layer having a good step coverage is formed on the substrate. Processes of forming the titanium aluminum nitride layer are simplified and deposition rate is improved. Therefore, a phase-change memory device using the titanium aluminum nitride layer as a lower electrode may have an improved throughput.

摘要翻译： 在形成氮化铝钛层的方法中，通过使包括钛的第一源和包括氮的第二源反应，在基板上形成第一反应物。 通过在其上具有第一反应物的基底上提供包括铝的第三源，并使第三源与第一反应物反应形成第二反应物。 通过在其上具有第二反应物的衬底上提供包括氮的第四源，并使第四源与第二反应物反应形成第三反应物。 在基板上形成具有良好阶梯覆盖的氮化铝钛层。 形成氮化铝钛层的工艺简化，沉积速率提高。 因此，使用氮化铝钛层作为下电极的相变存储器件可以具有提高的生产量。

公开(公告)号：US09196827B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US13547663

申请日：2012-07-12

申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Young-Kuk Kim

发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Young-Kuk Kim

IPC分类号： H05B3/00 ,  H01L45/00 ,  H05B3/14 ,  H01L27/02 ,  H01L27/102 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1683 ,  H05B3/141

摘要： A non-volatile memory device includes a data storage structure coupled between first and second conductive lines of the memory device. The data storage structure includes a conductive lower heater element, a data storage pattern, and a conductive upper heater element sequentially stacked. At least one sidewall surface of the data storage pattern is coplanar with a sidewall surface of the upper heater element thereabove and a sidewall surface of the lower heater element therebelow. Related fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 非易失性存储器件包括耦合在存储器件的第一和第二导线之间的数据存储结构。 数据存储结构包括依次堆叠的导电下加热器元件，数据存储模式和导电上加热器元件。 数据存储图案的至少一个侧壁表面与上述上加热器元件的侧壁表面和下加热器元件的侧壁表面共面。 还讨论了相关的制造方法。

公开(公告)号：US08872148B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13735180

申请日：2013-01-07

申请人： Doo-Hwan Park ,  Gyu-Hwan Oh ,  Jeong-Min Park ,  Kyung-Min Chung

发明人： Doo-Hwan Park ,  Gyu-Hwan Oh ,  Jeong-Min Park ,  Kyung-Min Chung

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： A phase-change memory device includes a diode, a plug, a doping layer pattern, a phase-change layer pattern and an upper electrode. The diode is disposed on a substrate. The plug is disposed on the diode and has a bottom surface whose area is equal to the area of a top surface of the diode. The plug is formed of metal or a conductive metallic compound. The doping layer pattern is disposed on the plug and has a bottom surface whose area is equal to the area of a top surface of the plug, and includes the same metal or conductive metallic compound as the plug. The phase-change layer pattern is disposed on the doping layer pattern. The upper electrode is disposed on the phase-change layer pattern.

摘要翻译： 相变存储器件包括二极管，插头，掺杂层图案，相变层图案和上电极。 二极管设置在基板上。 插头设置在二极管上，并具有面积等于二极管顶表面面积的底面。 插头由金属或导电金属化合物形成。 掺杂层图案设置在插塞上，并且具有面积等于插头顶面的面积的底面，并且包括与插头相同的金属或导电金属化合物。 相变层图案设置在掺杂层图案上。 上电极配置在相变层图案上。

公开(公告)号：US20120282751A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13463342

申请日：2012-05-03

申请人： Gyu-hwan OH ,  Doo-hwan Park ,  Dong-hyun Im ,  Kyung-min Chung

发明人： Gyu-hwan OH ,  Doo-hwan Park ,  Dong-hyun Im ,  Kyung-min Chung

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

摘要： A method of fabricating an integrated circuit device includes forming first and second patterns extending in first and second directions, respectively, on a target layer. The first patterns comprise a metal oxide and/or metal silicate material having an etch selectivity with respect to that of the target layer. The second patterns comprise a material having an etch selectivity with respect to those of the first patterns and the target layer. The target layer is selectively etched using the first patterns and the second patterns as an etch mask to define holes respectively extending through the target layer to expose a layer therebelow. At least one of the first and second patterns is formed using respective mask patterns formed by a photolithographic process, and the at least one of the first and second patterns have a finer pitch than that of the respective mask patterns.

摘要翻译： 一种制造集成电路器件的方法包括分别在目标层上形成在第一和第二方向上延伸的第一和第二图案。 第一图案包括具有相对于目标层的蚀刻选择性的金属氧化物和/或金属硅酸盐材料。 第二图案包括相对于第一图案和目标层具有蚀刻选择性的材料。 使用第一图案和第二图案作为蚀刻掩模来选择性地蚀刻目标层，以限定分别延伸穿过目标层的孔以暴露其下面的层。 使用通过光刻工艺形成的各个掩模图案形成第一和第二图案中的至少一个，并且第一和第二图案中的至少一个具有比各个掩模图案更细的间距。

公开(公告)号：US08021977B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12627810

申请日：2009-11-30

申请人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

发明人： Young-Lim Park ,  Hyeong-Geun An ,  Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Ho Ahn ,  Jin-Il Lee

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L27/24

摘要： Provided are methods of forming contact structures and semiconductor devices fabricated using the contact structures. The formation of a contact structure can include forming a first molding pattern on a substrate, forming an insulating layer to cover at least a sidewall of the first molding pattern, forming a second molding pattern to cover a sidewall of the insulating layer and spaced apart from the first molding pattern, removing a portion of the insulating layer between the first and second molding patterns to form a hole, and forming an insulating pattern between the first and second molding patterns, and forming a contact pattern in the hole.

摘要翻译： 提供了形成使用接触结构制造的接触结构和半导体器件的方法。 接触结构的形成可以包括在基底上形成第一模制图案，形成绝缘层以覆盖至少第一模制图案的侧壁，形成第二模制图案以覆盖绝缘层的侧壁并与 第一模制图案，去除第一和第二模制图案之间的绝缘层的一部分以形成孔，并且在第一和第二模制图案之间形成绝缘图案，并在孔中形成接触图案。

公开(公告)号：US07812332B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11769532

申请日：2007-06-27

申请人： Gyu-Hwan Oh ,  In-Sun Park ,  Hyun-Seok Lim ,  Ki-Jong Lee ,  Nak-Hyun Lim

发明人： Gyu-Hwan Oh ,  In-Sun Park ,  Hyun-Seok Lim ,  Ki-Jong Lee ,  Nak-Hyun Lim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A phase change memory device includes a current restrictive element interposed between an electrically conductive element and a phase change material. The current restrictive element includes a plurality of overlapping film patterns, each of which having a respective first portion proximal to the conductive element and a second portion proximal to the phase change material. The second portions are configured and dimensioned to have higher resistance than the first portions.

摘要翻译： 相变存储器件包括介于导电元件和相变材料之间的电流限制元件。 电流限制元件包括多个重叠的膜图案，每个重叠的膜图案具有靠近导电元件的相应的第一部分和靠近相变材料的第二部分。 第二部分的构造和尺寸设计成具有比第一部分更高的电阻。