公开(公告)号：US06724584B2

公开(公告)日：2004-04-20

申请号：US10152192

申请日：2002-05-20

申请人： Anthony M. Mack ,  Zheng Gao ,  Nurul Amin ,  Sining Mao ,  Richard Michel

发明人： Anthony M. Mack ,  Zheng Gao ,  Nurul Amin ,  Sining Mao ,  Richard Michel

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3113 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/304 ,  Y10T29/49034

摘要： Methods of fabricating spin valve sensors in accordance with the invention include forming a pinning layer from an antiferromagnetic material and forming a synthetic antiferromagnet adjacent the pinning layer. A free ferromagnetic layer is formed, and exchange tabs are formed adjacent outer portions of the free ferromagnetic layer for biasing the free layer. The exchange tabs are formed from the same antiferromagnetic material as the first pinning layer. Then, the magnetic moments of the synthetic antiferromagnet are set, and the magnetic moment of the free ferromagnetic layer is biased, during a single anneal in the presence of a single magnetic field.

摘要翻译： 制造根据本发明的自旋阀传感器的方法包括从反铁磁材料形成钉扎层并在钉扎层附近形成合成的反铁磁体。 形成自由铁磁层，并且在自由铁磁层的外部附近形成交换突片以偏置自由层。 交换翼片由与第一钉扎层相同的反铁磁材料形成。 然后，在存在单个磁场的单次退火期间，设定合成反铁磁体的磁矩，并且自由铁磁层的磁矩被偏置。

公开(公告)号：US06256176B1

公开(公告)日：2001-07-03

申请号：US09355784

申请日：1999-07-27

申请人： Sining Mao ,  Nurul Amin ,  Edward S. Murdock

发明人： Sining Mao ,  Nurul Amin ,  Edward S. Murdock

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3935 ,  G11B5/3938 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic read head (30) for use in a magnetic data storage and retrieval system has a first current contact (40), a second current contact (42), a magnetoresistive read sensor (34), and a demagnetization field balance element (50). Positioned between the first and second current contacts (40, 42) are both the magnetoresistive read sensor (34) and the demagnetization field balance element (50). The demagnetization field balance element (50) is both electrically isolated from and magnetically coupled to the magnetoresistive read sensor (34).

摘要翻译： 用于磁数据存储和检索系统的磁读头（30）具有第一电流触点（40），第二电流触点（42），磁阻读取传感器（34）和去磁场平衡元件（50） ）。 位于第一和第二电流触头（40,42）之间的是磁阻读取传感器（34）和去磁场平衡元件（50）。 去磁场平衡元件（50）与磁阻读取传感器（34）电隔离并磁耦合到磁阻读取传感器（34）。

公开(公告)号：US08767456B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13473448

申请日：2012-05-16

申请人： Nurul Amin ,  Johannes Van Ek

发明人： Nurul Amin ,  Johannes Van Ek

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11B5/02 ,  G11B5/66 ,  G11B5/746 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675

摘要： An apparatus and associated method for a multi-bit memory capable of being selected with a magnetic layer. Various embodiments of the present invention are generally directed to a first selection layer with a low coercivity that is disposed between first and second storage layers that each have a high coercivity. In response to magnetic saturation of the first selection layer, programming of a logical state to the second storage layer is allowed.

摘要翻译： 一种用于能够用磁性层选择的多位存储器的装置和相关方法。 本发明的各种实施方案通常涉及具有低矫顽力的第一选择层，其设置在第一和第二存储层之间，每个具有高矫顽力。 响应于第一选择层的磁饱和，允许将逻辑状态编程到第二存储层。

公开(公告)号：US08298611B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12178443

申请日：2008-07-23

申请人： Nurul Amin ,  Sining Mao

发明人： Nurul Amin ,  Sining Mao

IPC分类号： G11B5/00

CPC分类号： G11B5/84 ,  B26D3/16 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/851 ,  G11B5/865 ,  Y10T83/04

摘要： A method of fabricating a discrete track magnetic recording media. A base layer is provided onto which repeating and alternating magnetic layer and non-magnetic layers are deposited. The thickness of the magnetic layer corresponds to the width of the track of the recording media. A cylindrical rod can be used as the base layer, such that the alternating magnetic and non-magnetic layers spiraling or concentric layers around the rod. The resulting media layer can be cut or sliced into individual magnetic media or used to imprint other media discs with the discrete pattern of the media layer.

摘要翻译： 一种制造离散轨道磁记录介质的方法。 提供基层，沉积重复和交替的磁性层和非磁性层。 磁性层的厚度对应于记录介质的轨道的宽度。 可以使用圆柱形棒作为基层，使得交替的磁性和非磁性层围绕杆螺旋或同心层。 所得到的介质层可以被切割或切成单独的磁性介质，或用于用介质层的离散图案印刷其它介质盘。

公开(公告)号：US08288753B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13278245

申请日：2011-10-21

申请人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

发明人： Ming Sun ,  Michael Xuefei Tang ,  Insik Jin ,  Venkatram Venkatasamy ,  Philip George Pitcher ,  Nurul Amin

IPC分类号： H01L47/02

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146

摘要： Programmable metallization memory cells include an electrochemically active electrode and an inert electrode and an ion conductor solid electrolyte material between the electrochemically active electrode and the inert electrode. An electrically insulating oxide layer separates the ion conductor solid electrolyte material from the electrochemically active electrode.

摘要翻译： 可编程金属化存储单元包括在电化学活性电极和惰性电极之间的电化学活性电极和惰性电极以及离子导体固体电解质材料。 电绝缘氧化物层将离子导体固体电解质材料与电化学活性电极分离。

公开(公告)号：US08288749B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13445351

申请日：2012-04-12

申请人： Young Pil Kim ,  Nurul Amin ,  Dadi Setiadi ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  Insik Jin

发明人： Young Pil Kim ,  Nurul Amin ,  Dadi Setiadi ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Wei Tian ,  Insik Jin

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L27/0814 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C13/0002 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/14 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

摘要： A switching element that includes a first semiconductor layer, the first semiconductor layer having a first portion and a second portion; a second semiconductor layer, the second semiconductor layer having a first portion and a second portion; an insulating layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a first metal contact in contact with the first portion of the first semiconductor layer forming a first junction and in contact with the first portion of the second semiconductor layer forming a second junction; a second metal contact in contact with the second portion of the first semiconductor layer forming a third junction and in contact with the second portion of the second semiconductor layer forming a fourth junction, wherein the first junction and the fourth junction are Schottky contacts, and the second junction and the third junction are ohmic contacts.

摘要翻译： 一种开关元件，包括第一半导体层，所述第一半导体层具有第一部分和第二部分; 第二半导体层，所述第二半导体层具有第一部分和第二部分; 设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的绝缘层; 与所述第一半导体层的所述第一部分接触的第一金属触点，形成第一结，并与所述第二半导体层的所述第一部分接触形成第二结; 第二金属触点与第一半导体层的第二部分接触形成第三结，并与第二半导体层的第二部分接触形成第四结，其中第一结和第四结是肖特基接触， 第二结和第三结是欧姆接触。

公开(公告)号：US08248836B2

公开(公告)日：2012-08-21

申请号：US12501751

申请日：2009-07-13

申请人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

发明人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell and method of use thereof. In some embodiments, an individually programmable resistive sense memory (RSM) element is connected in series with a programmable metallization cell (PMC) switching element. In operation, while the switching element is programmed to a first resistive state, no current passes through the RSM element and while a second resistive state is programmed to the RSM element, current passes through the RSM element.

摘要翻译： 一种非易失性存储单元及其使用方法。 在一些实施例中，独立可编程电阻感测存储器（RSM）元件与可编程金属化单元（PMC）开关元件串联连接。 在操作中，当开关元件被编程为第一电阻状态时，没有电流通过RSM元件，并且当第二电阻状态被编程到RSM元件时，电流通过RSM元件。

公开(公告)号：US20110007545A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12501751

申请日：2009-07-13

申请人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

发明人： Insik Jin ,  YoungPil Kim ,  Ming Sun ,  Chulmin Jung ,  Venugopalan Vaithyanathan ,  Nurul Amin ,  Wei Tian ,  Yong Lu

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76

摘要： A non-volatile memory cell and method of use thereof. In some embodiments, an individually programmable resistive sense memory (RSM) element is connected in series with a programmable metallization cell (PMC) switching element. In operation, while the switching element is programmed to a first resistive state, no current passes through the RSM element and while a second resistive state is programmed to the RSM element, current passes through the RSM element.

摘要翻译： 一种非易失性存储单元及其使用方法。 在一些实施例中，独立可编程电阻感测存储器（RSM）元件与可编程金属化单元（PMC）开关元件串联连接。 在操作中，当开关元件被编程为第一电阻状态时，没有电流通过RSM元件，并且当第二电阻状态被编程到RSM元件时，电流通过RSM元件。

公开(公告)号：US07826171B2

公开(公告)日：2010-11-02

申请号：US11656659

申请日：2007-01-23

申请人： Alan Johnston ,  Roger Hipwell ,  Hans Leuthold ,  Song S. Xue ,  Nurul Amin ,  Andrew White ,  Patrick Ryan ,  Bradley Ver Meer ,  John Pendray ,  Steven Kalderon ,  Wayne Bonin ,  Jeffery Berkowitz

发明人： Alan Johnston ,  Roger Hipwell ,  Hans Leuthold ,  Song S. Xue ,  Nurul Amin ,  Andrew White ,  Patrick Ryan ,  Bradley Ver Meer ,  John Pendray ,  Steven Kalderon ,  Wayne Bonin ,  Jeffery Berkowitz

IPC分类号： G11B17/02

CPC分类号： G11B25/043 ,  G11B19/2009 ,  G11B33/126

摘要： In general, the invention is directed to techniques for integrated interconnects with a set of disc drives. The interconnects allow for a set of disc drives to be positioned in an array; for example, as set of disc drives may be stacked to communicate with a device through a single interface of the device. The interconnects may be formed as vias within the housing of the disc drives. Vias may produced using MEMS techniques, e.g., electroplating, as part of the manufacturing processes of the disc drive itself.

摘要翻译： 通常，本发明涉及与一组盘驱动器的集成互连的技术。 互连允许将一组盘驱动器定位在阵列中; 例如，作为一组盘驱动器可以被堆叠以通过设备的单个接口与设备通信。 互连可以形成为盘驱动器的壳体内的通孔。 作为盘驱动器本身的制造过程的一部分，可以使用MEMS技术（例如电镀）产生通气孔。

公开(公告)号：US07810373B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US11677762

申请日：2007-02-22

申请人： Nurul Amin ,  Song S. Xue ,  Patrick J. Ryan

发明人： Nurul Amin ,  Song S. Xue ,  Patrick J. Ryan

IPC分类号： G01P15/00

CPC分类号： G01P15/0891 ,  G01P15/06 ,  H01H1/0036 ,  H01H9/168 ,  H01H35/14 ,  H01H35/146 ,  H01H2001/0042

摘要： A shock sensor comprises a substrate and at least one flexure coupled to the substrate and configured to deflect upon an application of force to the shock sensor sufficient to deflect the flexure. Deflection of the at least one flexure produces a detectable change in an electrical property of the shock sensor. Examples of detectable changes in an electrical property of the shock sensor include an open circuit condition, a closed circuit condition, and a variation in voltage of a piezo-electric detector. In some embodiments, the change in the electrical property of the shock sensor may be remotely read by interrogation of a radio frequency identification transponder positioned on the substrate using a remote radio frequency identification transceiver. The disclosure also relates to a shock sensing system and method of shock detection.

摘要翻译： 冲击传感器包括衬底和耦合到衬底的至少一个挠曲件，并且构造成在对冲击传感器施加足以偏转挠曲件的情况下偏转。 至少一个弯曲部的偏转产生震动传感器的电性能的可检测变化。 冲击传感器的电性能的可检测变化的示例包括开路状态，闭路状态和压电检测器的电压变化。 在一些实施例中，可以通过使用远程射频识别收发器询问位于衬底上的射频识别应答器来远程读取冲击传感器的电气特性的变化。 本公开还涉及一种冲击检测系统和冲击检测方法。