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    Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films
    41.
    发明授权
    Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films 失效
    硅胶薄膜的热解化学气相沉积

    公开(公告)号：US6045877A

    公开(公告)日：2000-04-04

    申请号：US123114

    申请日：1998-07-27

    申请人： Karen K. Gleason ,  Michael C. Kwan

    发明人： Karen K. Gleason ,  Michael C. Kwan

    IPC分类号： B05D7/24 ,  C08F2/46 ,  C09D4/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  G02B6/13 ,  G11B7/254 ,  G11B7/2542

    CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D1/62 ,  C09D4/00 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  G11B7/254 ,  G11B7/2542

    摘要： Provided are pyrolytic chemical vapor deposition techniques for producing thin silicone-like films by way of processes that eliminate electron impact, ion bombardment, and UV irradiation events. To form a silicone film on a surface of a structure in accordance with the invention, the structure surface is exposed to a substantially electrically neutral reactive gaseous phase that includes organosilicon molecular fragments, while the structure surface is maintained substantially at a temperature lower than that of the reactive gaseous phase. An organosilicon compound is exposed to a pyrolyzing environment, where the conditions of the pyrolyzing environment are characterized as producing, in the vicinity of the structure surface, a substantially electrically neutral reactive gaseous phase that includes organosilicon molecular fragments. The structure surface is maintained substantially at a temperature lower than that of the pyrolyzing environment. A plasma environment can be provided simultaneously with the pyrolyzing environment, and can be further provided before or after the pyrolyzing environment. Silicone films of the invention are mechanically robust, environmentally stable, and photosensitive.

    摘要翻译： 提供了通过消除电子撞击，离子轰击和UV照射事件的方法来生产薄硅氧烷膜的热解化学气相沉积技术。 为了在根据本发明的结构的表面上形成硅酮膜，结构表面暴露于包括有机硅分子片段的基本上电中性的反应性气相，而结构表面基本保持在低于 反应性气相。 有机硅化合物暴露于热解环境，其中热解环境的条件被表征为在结构表面附近产生包括有机硅分子片段的基本上电中性的反应性气相。 结构表面基本保持在低于热解环境的温度。 可以与热解环境同时提供等离子体环境，并且可以在热解环境之前或之后进一步提供。 本发明的硅氧烷膜具有机械稳固性，环境稳定性和光敏性。

    Conductive polymer films grafted on organic substrates
    42.
    发明授权
    Conductive polymer films grafted on organic substrates 有权
    导电聚合物膜接枝在有机基底上

    公开(公告)号：US09530965B2

    公开(公告)日：2016-12-27

    申请号：US14331891

    申请日：2014-07-15

    申请人： Karen K. Gleason ,  Sung Gap Im

    发明人： Karen K. Gleason ,  Sung Gap Im

    IPC分类号： C08G73/06 ,  B05D3/12 ,  C08L67/00 ,  H01L51/00 ,  B05D1/00 ,  C08G61/12 ,  C09D165/00 ,  C09D179/02 ,  B05D1/18 ,  B05D3/10 ,  G02F1/15

    CPC分类号： H01L51/0037 ,  B05D1/185 ,  B05D1/60 ,  B05D3/10 ,  C08G61/124 ,  C08G61/125 ,  C08G61/126 ,  C09D165/00 ,  C09D179/02 ,  G02F2001/1515

    摘要： One aspect of the invention relates to a linker-free, one-step method of grafting polymer films onto organic substrates, and the films obtained by such a method. In certain embodiments, the grafted polymer films are conductive. In certain embodiments, said grafting method utilizes the ability for Friedel-Crafts catalyst to form radical cations from organic substrates. In one embodiment, the method provides poly-3,4-ethylenedioxythiophene (PEDOT) thin films grafted to organic substrates. In other embodiments, the method is applicable to the polymerization of other monomers to yield conducting polymers, such as polyanilines, polypyrroles, polyfurans, polythiophenes and their derivatives. Remarkably, the polymer films grafted by the inventive methods show enormous increases in adhesion strength. Further, in certain embodiments, polymer patterns were easily obtained using the inventive methods and soft lithography techniques. In certain embodiments, well-defined high-density line-and-space patterns were successfully obtained. In certain embodiments, e.g., when the polymer film is conducting, the obtained conducting polymer pattern grafted on common organic substrates can be used for integrated circuitry in flexible electronics.

    摘要翻译： 本发明的一个方面涉及将聚合物膜接枝到有机基底上的无接头的一步法，以及通过这种方法获得的膜。 在某些实施方案中，接枝的聚合物膜是导电的。 在某些实施方案中，所述接枝方法利用了Friedel-Crafts催化剂从有机底物形成自由基阳离子的能力。 在一个实施方案中，该方法提供接枝到有机基底上的聚3,4-亚乙基二氧噻吩（PEDOT）薄膜。 在其它实施方案中，该方法适用于其它单体的聚合以产生导电聚合物，例如聚苯胺，聚吡咯，聚呋喃，聚噻吩及其衍生物。 显着地，通过本发明方法接枝的聚合物膜显示出粘合强度的巨大增加。 此外，在某些实施方案中，使用本发明的方法和软光刻技术容易地获得聚合物图案。 在某些实施例中，成功地获得了明确定义的高密度线和空间图案。 在某些实施方案中，例如，当聚合物膜导电时，所获得的接枝在共同有机衬底上的导电聚合物图案可用于柔性电子器件中的集成电路。

    Electro-Mechanical Switches and Methods of Use Thereof
    44.
    发明申请
    Electro-Mechanical Switches and Methods of Use Thereof 有权
    机电开关及其使用方法

    公开(公告)号：US20140127822A1

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：US13893699

    申请日：2013-05-14

    申请人： William Jay Arora ,  Karen K. Gleason ,  George Barbastathis ,  Wyatt E. Tenhaeff

    发明人： William Jay Arora ,  Karen K. Gleason ,  George Barbastathis ,  Wyatt E. Tenhaeff

    IPC分类号： G01N33/00

    CPC分类号： G01N33/0057 ,  G01N27/128 ,  Y10T436/147777 ,  Y10T436/163333 ,  Y10T436/173076 ,  Y10T436/173845

    摘要： One aspect of the invention relates to an ultrathin micro-electromechanical chemical sensing device which uses swelling or straining of a reactive organic material for sensing. In certain embodiments, the device comprises a contact on-off switch chemical sensor. For example, the device can comprises a small gap separating two electrodes, wherein the gap can be closed as a result of the swelling or stressing of an organic polymer coating on one or both sides of the gap. In certain embodiments, the swelling or stressing is due to the organic polymer reacting with a target analyte.

    摘要翻译： 本发明的一个方面涉及使用用于感测的反应性有机材料的溶胀或应变的超薄微机电化学感测装置。 在某些实施例中，该装置包括接触开 - 关开关化学传感器。 例如，该装置可以包括分开两个电极的小间隙，其中间隙可以由于间隙的一侧或两侧上的有机聚合物涂层的膨胀或应力而封闭。 在某些实施方案中，溶胀或应激是由于有机聚合物与靶分析物反应。

    Coated sensors and methods related thereto
    45.
    发明授权
    Coated sensors and methods related thereto 有权
    涂层传感器及其相关方法

    公开(公告)号：US08470300B2

    公开(公告)日：2013-06-25

    申请号：US12584528

    申请日：2009-09-08

    申请人： Heather A. Clark ,  Karen K. Gleason ,  Salmaan Baxamusa ,  John M. Dubach

    发明人： Heather A. Clark ,  Karen K. Gleason ,  Salmaan Baxamusa ,  John M. Dubach

    IPC分类号： A61K49/00 ,  C12Q1/02

    CPC分类号： A61K49/00 ,  B82Y15/00 ,  G01N33/54373 ,  G01N33/582 ,  G01N33/588 ,  G01N33/66 ,  G01N33/84

    摘要： The invention provides coated sensors for detecting the presence of analytes. The sensor comprises one or more fluorescent sources, such as one or more quantum dots or one or more fluorescent dyes, a polymeric matrix, a surface coating, and one or more analyte sensing components. The surface coating may be a conformal polymeric film, permeable to the analyte, which may be deposited via a solventless process such as initiated chemical vapor deposition or photoinitiated chemical vapor deposition. The surface coating may increase the biocompatibility of the sensor, reduce nonspecific protein adsorption, and/or sequester functional sensor components within the sensor. The invention also provides methods for detecting the presence of an analyte with coated sensors of the invention.

    摘要翻译： 本发明提供用于检测分析物存在的涂层传感器。 传感器包括一个或多个荧光源，例如一个或多个量子点或一个或多个荧光染料，聚合物基质，表面涂层和一个或多个分析物感测组件。 表面涂层可以是对分析物可透过的保形聚合物膜，其可通过无溶剂方法如起始化学气相沉积或光引发化学气相沉积沉积。 表面涂层可增加传感器的生物相容性，减少非特异性蛋白质吸附和/或隔离传感器内的功能传感器部件。 本发明还提供了用于检测本发明的涂覆传感器的分析物的存在的方法。

    Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition
    46.
    发明申请
    Selenophene-Based Low Band Gap Active Layers by Chemical Vapor Deposition 审中-公开
    基于硒酚的低带隙活性层通过化学气相沉积

    公开(公告)号：US20130089659A1

    公开(公告)日：2013-04-11

    申请号：US13267413

    申请日：2011-10-06

    申请人： Dhiman Bhattacharyya ,  Karen K. Gleason

    发明人： Dhiman Bhattacharyya ,  Karen K. Gleason

    IPC分类号： C09D143/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/455

    CPC分类号： B05D1/60 ,  B05D1/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30

    摘要： Described herein are methods of oxidative chemical vapor deposition of polyselenophene films onto non-conductive surfaces. The methods involve a single, dry step. The polyselenophene films formed by these methods have a lower band gap than the theoretically predicted value. Low-band-gap conjugated polymers are attractive for their applications in many devices including field effect transistors, light-emitting diodes, electrochromic devices, and photovoltaics.

    摘要翻译： 这里描述的是将多硒酚膜氧化化学气相沉积到非导电表面上的方法。 该方法涉及单一干燥步骤。 由这些方法形成的聚硒吩膜具有比理论预测值低的带隙。 低带隙共轭聚合物在许多器件中的应用是有吸引力的，包括场效应晶体管，发光二极管，电致变色器件和光伏器件。