公开(公告)号：US09437254B2

公开(公告)日：2016-09-06

申请号：US14728900

申请日：2015-06-02

Applicant: Micron Technology, Inc.

Inventor： Federico Pio

IPC: G11C16/04 ,  G11C5/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/12 ,  G06F21/60 ,  G11C16/06 ,  G11C16/30 ,  G11C7/22 ,  G11C7/10 ,  G11C14/00 ,  G06F12/02 ,  G11C16/10 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C5/147 ,  G06F12/0246 ,  G06F21/60 ,  G06F2212/7204 ,  G11C7/1078 ,  G11C7/109 ,  G11C7/22 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5671 ,  G11C14/0063 ,  G11C14/009 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/06 ,  G11C16/107 ,  G11C16/12 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30

Abstract: A method is provided for using a multi-level cell memory device. The method includes writing first data to a first portion of a memory array using a first number of state levels for memory cells of the first portion of the memory array. The method further includes re-writing second data to a second portion of the memory array using a second number of state levels for memory cells of the second portion of the memory array. The second number is different from the first number.

Abstract translation: 提供了一种使用多级单元存储器件的方法。 该方法包括使用存储器阵列的第一部分的存储器单元的第一数量的状态级将第一数据写入存储器阵列的第一部分。 该方法还包括使用存储器阵列的第二部分的存储器单元的第二数量的状态级将第二数据重写到存储器阵列的第二部分。 第二个数字与第一个数字不同。

公开(公告)号：US20130134380A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13748221

申请日：2013-01-23

Applicant: Micron Technology, Inc.

Inventor： Federico Pio

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1286 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675

Abstract: A substantially planar heater for a phase change memory may taper as it extends upwardly to contact a chalcogenide layer. As a result, the contact area between heater and chalcogenide is reduced. This reduced contact area can reduce power consumption in some embodiments.

Abstract translation: 用于相变存储器的基本上平面的加热器可以向上延伸以逐渐接触硫族化物层。 结果，加热器和硫族化物之间的接触面积减小了。 在一些实施例中，这种减小的接触面积可以降低功耗。