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    MEMORY INCLUDING WRITE CIRCUIT FOR PROVIDING MULTIPLE RESET PULSES
    43.
    发明申请
    MEMORY INCLUDING WRITE CIRCUIT FOR PROVIDING MULTIPLE RESET PULSES 失效
    存储器，包括用于提供多个复位脉冲的写入电路

    公开(公告)号：US20080273371A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US11744487

    申请日：2007-05-04

    申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Thomas Nirschl

    发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ ,  Thomas Nirschl

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C13/0061 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0092

    摘要： An integrated circuit includes an array of resistive memory cells having varying critical dimensions and a write circuit. The write circuit is configured to reset a selected memory cell by applying a first pulse having a first amplitude and a second pulse having a second amplitude less than the first amplitude to the selected memory cell.

    摘要翻译： 集成电路包括具有变化的临界尺寸的电阻式存储单元阵列和写入电路。 写入电路被配置为通过将具有第一幅度的第一脉冲和具有小于第一幅度的第二幅度的第二脉冲施加到所选存储单元来复位所选择的存储单元。

    INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SPACER MATERIAL LAYER
    45.
    发明申请
    INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING SPACER MATERIAL LAYER 审中-公开
    集成电路，包括间隔层材料

    公开(公告)号：US20080265239A1

    公开(公告)日：2008-10-30

    申请号：US11740657

    申请日：2007-04-26

    申请人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    发明人： Jan Boris Philipp ,  Thomas Happ

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691

    摘要： An integrated circuit includes a first electrode and a dielectric material layer contacting a first portion of the first electrode. The integrated circuit includes a spacer material layer contacting a sidewall portion of the dielectric material layer and a second portion of the first electrode. The second portion is within the first portion. The integrated circuit includes resistivity changing material contacting the spacer material layer and a third portion of the first electrode. The third portion is within the second portion. The integrated circuit includes a second electrode contacting the resistivity changing material.

    摘要翻译： 集成电路包括与第一电极的第一部分接触的第一电极和电介质材料层。 集成电路包括与介电材料层的侧壁部分和第一电极的第二部分接触的间隔物材料层。 第二部分在第一部分内。 集成电路包括与间隔物层接触的电阻率变化材料和第一电极的第三部分。 第三部分在第二部分内。 集成电路包括接触电阻率变化材料的第二电极。

    Sense circuit for resistive memory
    48.
    发明授权
    Sense circuit for resistive memory 有权
    电阻式存储器感应电路

    公开(公告)号：US07426134B2

    公开(公告)日：2008-09-16

    申请号：US11361811

    申请日：2006-02-24

    申请人： Thomas Happ ,  Matthew J. Breitwisch ,  Hsiang-Lang Lung

    发明人： Thomas Happ ,  Matthew J. Breitwisch ,  Hsiang-Lang Lung

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2211/5634

    摘要： A memory includes a phase-change memory cell and a circuit. The phase-change memory cell can be set to at least three different states including a substantially crystalline state, a substantially amorphous state, and at least one partially crystalline and partially amorphous state. The circuit applies a first voltage across the memory cell to determine whether the memory cell is set at the substantially crystalline state and applies a second voltage across the memory cell to determine whether the memory cell is set at a partially crystalline and partially amorphous state.

    摘要翻译： 存储器包括相变存储器单元和电路。 相变存储单元可以被设置为至少三种不同的状态，包括基本上为结晶状态，基本为非晶状态，以及至少一种部分结晶和部分非晶状态。 电路在存储器单元两端施加第一电压以确定存储器单元是否被设置在基本上为结晶状态，并且在该存储单元上施加第二电压以确定存储器单元是否被设置为部分结晶和部分非晶态。

    Phase change memory device with thermal insulating layers
    49.
    发明授权
    Phase change memory device with thermal insulating layers 有权
    具有隔热层的相变存储器件

    公开(公告)号：US07391050B2

    公开(公告)日：2008-06-24

    申请号：US11187533

    申请日：2005-07-22

    申请人： Thomas Happ

    发明人： Thomas Happ

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/144

    摘要： A memory device is described an active material configured to be placed in a more or less conductive state by means of appropriate switching processes. The active material is positioned between a material having low thermal conductivity or material layers having low thermal conductivity.

    摘要翻译： 描述了存储器件，其被配置为通过适当的切换过程被置于或多或少导电状态。 活性材料位于具有低导热性的材料或具有低导热性的材料层之间。

    Memory cell with trigger element
    50.
    发明申请
    Memory cell with trigger element 失效
    具有触发元件的存储单元

    公开(公告)号：US20080123398A1

    公开(公告)日：2008-05-29

    申请号：US11605079

    申请日：2006-11-28

    申请人： Thomas Nirschl ,  Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    发明人： Thomas Nirschl ,  Thomas Happ ,  Jan Boris Philipp

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/39

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/76

    摘要： A memory device includes a plurality of word lines extending as rows and bit lines extending as columns. A memory cell is coupled between a word line and a bit line, wherein the memory cell includes a unipolar memory element selectively coupled to the bit line via a trigger element.

    摘要翻译： 存储器件包括作为列延伸的行和位线延伸的多个字线。 存储器单元耦合在字线和位线之间，其中存储单元包括经由触发元件选择性地耦合到位线的单极存储器元件。