公开(公告)号：US08828625B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13567900

申请日：2012-08-06

申请人： Yen-Cheng Lu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen

发明人： Yen-Cheng Lu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F1/24

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/52

摘要： A mask, method of fabricating same, and method of using same are disclosed. In an example, a mask includes a substrate and a reflective multilayer coating deposited over the substrate. The reflective multilayer coating is formed by positioning the substrate such that an angle α is formed between a normal line of the substrate and particles landing on the substrate and rotating the substrate about an axis that is parallel with a landing direction of the particles. In an example, reflective multilayer coating includes a first layer and a second layer deposited over the first layer. A phase defect region of the reflective multilayer coating includes a first deformation in the first layer at a first location, and a second deformation in the second layer at a second location, the second location laterally displaced from the first location.

摘要翻译： 公开了一种掩模，其制造方法及其使用方法。 在一个示例中，掩模包括沉积在衬底上的衬底和反射多层涂层。 反射多层涂层通过定位基板而形成，使得在基板的法线和着陆在基板上的颗粒之间形成角度α，并使基板围绕与颗粒的着陆方向平行的轴线旋转。 在一个实例中，反射多层涂层包括沉积在第一层上的第一层和第二层。 反射多层涂层的相缺陷区域包括在第一位置处的第一层中的第一变形，以及在第二位置处的第二层中的第二变形，第二位置从第一位置横向移位。

公开(公告)号：US08679707B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13564334

申请日：2012-08-01

申请人： Hsin-Chang Lee ,  Yun-Yue Lin ,  Pei-Cheng Hsu ,  Chia-Jen Chen ,  Ta-Cheng Lien ,  Anthony Yen

发明人： Hsin-Chang Lee ,  Yun-Yue Lin ,  Pei-Cheng Hsu ,  Chia-Jen Chen ,  Ta-Cheng Lien ,  Anthony Yen

IPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/22

CPC分类号： G03F1/22 ,  G03F1/80

摘要： A method of fabricating an extreme ultraviolet (EUV) mask is disclosed. The method includes providing a substrate, forming a reflective multilayer (ML) over the substrate, forming a buffer layer over the reflective ML, forming an absorption layer over the buffer layer and forming a capping layer over the absorption layer. The capping layer and the absorption layer are etched to form the EUV mask.

摘要翻译： 公开了一种制造极紫外（EUV）掩模的方法。 该方法包括提供衬底，在衬底上形成反射多层（ML），在反射ML上形成缓冲层，在缓冲层上形成吸收层，并在吸收层上形成覆盖层。 蚀刻覆盖层和吸收层以形成EUV掩模。

公开(公告)号：US20130298088A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13464116

申请日：2012-05-04

申请人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Yeh Lee-Chih ,  Sheng-Chi Chin ,  Ting-Hao Hsu ,  Anthony Yen

发明人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Yeh Lee-Chih ,  Sheng-Chi Chin ,  Ting-Hao Hsu ,  Anthony Yen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F1/72

摘要： A method and system for measuring layer overlay and for inspecting a mask for defects unrelated to overlay utilizing a singe comprehensive tool is disclosed. An exemplary method includes receiving a mask design database that corresponds to a mask and has a die area with a mask database feature. A mask image of the mask is received, and a comprehensive inspection system compares the mask image to the mask design database in order to detect mask defects that are not related to layer alignment. The system produces mask defect information corresponding to the mask defects. The comprehensive inspection system also compares the mask image to the mask design database to determine a database-to-mask offset. From the database-to-mask offset, a mask overlay characteristic is determined.

摘要翻译： 公开了一种用于测量层叠覆盖层的方法和系统，并且用于使用单个综合工具来检查与覆盖无关的缺陷的掩模。 一种示例性方法包括接收对应于掩模并且具有掩模数据库特征的管芯区域的掩模设计数据库。 接收掩模的掩模图像，并且综合检查系统将掩模图像与掩模设计数据库进行比较，以便检测与层对齐无关的掩模缺陷。 系统产生对应于掩模缺陷的掩模缺陷信息。 综合检查系统还将掩模图像与掩模设计数据库进行比较，以确定数据库对掩模偏移量。 从数据库到掩码偏移，确定掩模覆盖特性。

公开(公告)号：US20130280643A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13451705

申请日：2012-04-20

申请人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

发明人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

IPC分类号： G03F1/24

CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  H01L21/0337

摘要： A reflective mask is described. The mask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a conductive layer deposited on a first surface of the LTEM substrate, a stack of reflective multilayers (ML) deposited on a second surface of the LTEM substrate, a capping layer deposited on the stack of reflective ML, a first absorption layer deposited on the first capping layer, a main pattern, and a border ditch. The border ditch reaches to the capping layer, the second absorption layer deposited inside the border ditch, and the second absorption layer contacts the capping layer.

摘要翻译： 描述了一种反光罩。 掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，沉积在LTEM衬底的第一表面上的导电层，沉积在LTEM衬底的第二表面上的反射多层堆叠（ML），沉积在 堆叠的反射ML，沉积在第一盖层上的第一吸收层，主图案和边界沟。 边界沟到达覆盖层，第二吸收层沉积在边界沟内，第二吸收层接触封盖层。

公开(公告)号：US20090035902A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11831031

申请日：2007-07-31

申请人： Jeff J. Xu ,  Anthony Yen ,  Chia-Ta Hsieh ,  Chia-Chi Chung ,  Cheng-Ming Lin

发明人： Jeff J. Xu ,  Anthony Yen ,  Chia-Ta Hsieh ,  Chia-Chi Chung ,  Cheng-Ming Lin

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823468 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052

摘要： Provided is a method of fabricating a memory device. A substrate including an array region and a peripheral region is provided. A first feature and a second feature are formed in the array region. The first feature and the second feature have a first pitch. A plurality of spacers abutting each of the first feature and the second feature are formed. The plurality of spacers have a second pitch. A third feature in the peripheral region and a fourth and fifth feature in the array region are formed concurrently. The forth and fifth feature have the second pitch.

摘要翻译： 提供一种制造存储器件的方法。 提供了包括阵列区域和外围区域的基板。 第一特征和第二特征形成在阵列区域中。 第一特征和第二特征具有第一音调。 形成邻接第一特征和第二特征的多个间隔件。 多个间隔件具有第二间距。 外围区域的第三特征和阵列区域中的第四和第五特征同时形成。 第四和第五特征具有第二音调。